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    METHOD OF FABRICATING PATTERNED CRYSTAL STRUCTURES
    3.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING PATTERNED CRYSTAL STRUCTURES 审中-公开
    制作图案晶体结构的方法

    公开(公告)号：WO2016199093A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/IB2016/053443

    申请日：2016-06-10

    Applicant: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

    Inventor： YU, Liyang ,  AMASSIAN, Aram

    IPC: H01L21/02 ,  H01L51/00

    CPC classification number: B05D3/007 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02667 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0558 ,  H01L2251/105

    Abstract: A method of manufacturing a patterned crystal structure for includes depositing an amorphous material. The amorphous material is modified such that a first portion of the amorphous thin-film layer has a first height/volume and a second portion of the amorphous thin-film layer has a second height/volume greater than the first portion. The amorphous material is annealed to induce crystallization, wherein crystallization is induced in the second portion first due to the greater height/volume of the second portion relative to the first portion to form patterned crystal structures.

    Abstract translation: 制造图案化晶体结构的方法包括沉积非晶材料。 非晶材料被修改为使得非晶薄膜层的第一部分具有第一高度/体积，并且非晶薄膜层的第二部分具有比第一部分大的第二高度/体积。 无定形材料退火以诱导结晶，其中由于第二部分相对于第一部分的较大的高度/体积，首先引起第二部分中的结晶，以形成图案化的晶体结构。

    用于OLED材料蒸镀的加热装置
    5.
    发明申请
    用于OLED材料蒸镀的加热装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2016011687A1

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：PCT/CN2014/084450

    申请日：2014-08-15

    Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

    Inventor： 刘亚伟

    IPC: C23C14/26

    CPC classification number: C23C14/243 ,  B05D1/60 ,  C23C14/14 ,  C23C14/26 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56 ,  H05B6/06 ,  H05B6/26 ,  H05B6/36 ,  H05B6/367

    Abstract: 提供一种用于OLED材料蒸镀的加热装置，包括一用于容纳OLED材料（10）的坩埚（1）、套设于坩埚（1）的本体部（11）外围的下加热线圈（2）、套设于坩埚（1）的上盖部（13）外围的上加热线圈（3）、设于所述本体部（11）与下加热线圈（2）之间的下导热均温套（4）、设于所述上盖部（13）与上加热线圈（3）之间的上导热均温套（5）、及设于上、下导热均温套（5、4）之间的一隔热环（6）；所述上、下加热线圈（3、2）分别连接一电源，分别控制所述上盖部（13）与本体部（11）的加热温度。该加热装置能够避免OLED材料（10）的气态分子在坩埚（1）的出气孔（131）处凝结、固化，避免堵塞出气孔（131）。

    MATERIAL PROCESSING SYSTEM WITH CONDUITS CONFIGURED TO PREVENT HEAT TRANSFER BETWEEN A PYROLYSIS TUBE AND ADJACENT ELEMENTS
    6.
    发明申请
    MATERIAL PROCESSING SYSTEM WITH CONDUITS CONFIGURED TO PREVENT HEAT TRANSFER BETWEEN A PYROLYSIS TUBE AND ADJACENT ELEMENTS 审中-公开
    配置有导管的材料处理系统，以防止热解管与相邻元件之间的热传递

    公开(公告)号：WO2015116703A3

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：PCT/US2015013329

    申请日：2015-01-28

    Applicant: HZO INC

    Inventor： DEMPSTER JAMES ,  YUN YANG ,  SORENSON MAX

    IPC: C23C16/00

    CPC classification number: B05D1/60 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561

    Abstract: A material processing system that prevents transmission of infrared radiation from its pyrolysis tube to one or more adjacent elements, such as a vaporization chamber or a deposition chamber, is disclosed. Such a material processing system may include at least one conduit with a non-linear element. The non- linear element of such a conduit may preclude the presence of a line-of-sight through the length of the conduit. The non-linear element may also have a shape that enables gas or vapor to flow therethrough with little or no turbulence, which, in embodiments where part or all of the material processing system lacks valves, enables the gas or vapor to flow freely through the material processing system, or at least through the valveless portion thereof.

    Abstract translation: 公开了防止红外辐射从其热解管传输到一个或多个相邻元件（例如蒸发室或沉积室）的材料处理系统。 这样的材料处理系统可以包括具有非线性元件的至少一个导管。 这种导管的非线性元件可以排除在导管长度上存在视线。 非线性元件还可以具有能够使气体或蒸气流过的几何形状或没有湍流的形状，在部分或全部材料处理系统缺少阀的实施例中，非线性元件能够使气体或蒸气自由地流过 材料处理系统，或至少通过其无阀部分。

    MULTI-CHANNEL PYROLYSIS TUBES AND MATERIAL DEPOSITION EQUIPMENT
    7.
    发明申请
    MULTI-CHANNEL PYROLYSIS TUBES AND MATERIAL DEPOSITION EQUIPMENT 审中-公开
    多通道热解管和材料沉积设备

    公开(公告)号：WO2015116266A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：PCT/US2014/063051

    申请日：2014-10-30

    Applicant: HZO, INC.

    Inventor： DEMPSTER, James ,  MAYNARD, Jason

    IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448

    CPC classification number: B01J19/2415 ,  B01J2219/00087 ,  B01J2219/24 ,  B05D1/60 ,  C07C4/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C07C15/08

    Abstract: A pyrolysis tube for use with a material deposition system includes a plurality of channels. The channels may be defined by internal elements of the pyrolysis tube, or by internal elements that form an insert for a conventionally configured pyrolysis tube. One or more of the channels may extend straight through the pyrolysis tube, providing a direct line of sight through the pyrolysis tube. Material deposition systems that include such an insert or pyrolysis tube are also disclosed, as are methods for efficiently pyrolyzing precursor materials at temperatures that are reduced relative to conventional pyrolysis temperatures and/or at rates that are increased relative to conventional pyrolysis rates.

    Abstract translation: 用于材料沉积系统的热解管包括多个通道。 通道可以由热解管的内部元件或由形成用于常规构造的热解管的插入物的内部元件限定。 一个或多个通道可以直接延伸通过热解管，从而提供通过热解管的直接视线。 还公开了包括这种插入物或热解管的材料沉积系统，以及在相对于常规热解温度降低的温度和/或相对于常规热解速率增加的速率下有效地热解前体材料的方法。

    ガスバリア性フィルムおよびその製造方法
    9.
    发明申请
    ガスバリア性フィルムおよびその製造方法 审中-公开
    气体阻隔膜及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014178332A1

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：PCT/JP2014/061624

    申请日：2014-04-24

    Applicant: コニカミノルタ株式会社

    Inventor： 西尾　昌二

    IPC: B32B9/00 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  H01L31/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

    CPC classification number: B05D3/065 ,  B05D1/60 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/509 ,  C23C16/513 ,  C23C16/545 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256

    Abstract: 本発明は、蒸着膜上にポリシラザンを含む塗布液から製膜した第２のバリア層を形成し、バリア層の密着性に優れ、高温高湿下にさらしても組成変化が起こらず、高いバリア性を維持するガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。本発明のガスバリア性フィルムは、基材（支持体）の少なくとも一方の面に蒸着法で形成した第１のバリア層（第１無機層）と、前記第１無機層上にポリシラザン塗布膜を改質することにより形成した第２のバリア層（第２無機層）とを含み、前記ポリシラザン塗布膜は、金属酸化物及び金属窒化物の少なくともいずれか１種類のナノ粒子を含有し、前記ポリシラザン塗布膜の改質は前記ポリシラザン塗布膜に波長２００ｎｍ以下の真空紫外光を照射することにより行うことを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种阻气膜，其通过在蒸镀膜上由含有聚硅氮烷的涂布液形成第二阻挡层而获得，并且显示出优异的阻挡层附着力且不含组合物 即使暴露在高温高湿下也会发生变化，从而保持高的阻隔性。 根据本发明的阻气膜的特征在于包括通过气相沉积法形成在基底（支撑体）的至少一个表面上的第一阻挡层（第一无机层）和第二阻挡层 （第二无机层），其通过改性聚硅氮烷涂膜在第一无机层上形成。 该阻气膜的特征还在于，聚硅氮烷涂膜含有金属氧化物和/或金属氮化物的纳米颗粒，聚硅氮烷涂膜的改性是通过用波长为 200nm以下。

    FABRICATION AND PASSIVATION OF SILICON SURFACES
    10.
    发明申请
    FABRICATION AND PASSIVATION OF SILICON SURFACES 审中-公开
    硅表面的制造和钝化

    公开(公告)号：WO2014081817A3

    公开(公告)日：2014-10-16

    申请号：PCT/US2013070984

    申请日：2013-11-20

    Applicant: MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY

    Inventor： GLEASON KAREN K ,  YANG RONG ,  BUONASSISI TONIO ,  JAYAN BABY REEJA ,  SEGAL YARON

    IPC: H01L21/312 ,  B05D1/00 ,  C23C14/12

    CPC classification number: B05D1/60 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

    Abstract: Embodiments described herein are related to methods for processing substrates such as silicon substrates. In some cases, the method may provide the ability to passivate a silicon surface at relatively low temperatures and/or in the absence of a solvent. Methods described herein may be useful in the fabrication of a wide range of devices, including electronic devices such as photovoltaic devices, solar cells, organic light- emitting diodes, sensors, and the like.

    Abstract translation: 本文描述的实施例涉及用于处理诸如硅衬底的衬底的方法。 在一些情况下，该方法可提供在较低温度和/或不存在溶剂的情况下钝化硅表面的能力。 本文描述的方法可用于制造宽范围的装置，包括诸如光伏器件，太阳能电池，有机发光二极管，传感器等的电子器件。

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