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    ＴＯＦセンサ
    61.
    发明申请
    ＴＯＦセンサ 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022009775A1

    公开(公告)日：2022-01-13

    申请号：PCT/JP2021/024979

    申请日：2021-07-01

    Applicant: Ｇｐｉｘｅｌ　Ｊａｐａｎ株式会社

    Inventor： ボガーツ　ヤン ,  原田　真吾

    IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/894 ,  H01L27/146 ,  H04N5/376

    Abstract: 【課題】各画素の転送ゲートに接続される高速クロック信号の伝搬遅延時間の画素ごとのばらつきを小さくすることのできる配線構造を備えたＴＯＦセンサを提供する。 【解決方法】ＴＯＦセンサ２００は、画素領域３０と画素領域のＹ方向の一端側に配置されるクロックバッファ領域２０とを備え、画素領域３０には、単独の画素４０、または、複数の画素から構成された単位画素群３６が２次元配列され、転送ゲート４２の駆動する複数のクロックはそれぞれ、クロックバッファ領域２０においてＸ方向にバイナリー分岐されて、単位画素群３６がＹ方向に配列された単位画素群列３５を駆動する最終段のクロックバッファ２２に入力され、クロックバッファ２２の出力は、Ｙ方向においてバイナリー分岐されて、単位画素群列３５の転送ゲート４２に接続される。

    一种图像传感器及使用其的探测系统
    63.
    发明申请
    一种图像传感器及使用其的探测系统 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022001645A1

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：PCT/CN2021/099952

    申请日：2021-06-15

    Applicant: 宁波飞芯电子科技有限公司

    Inventor： 雷述宇

    IPC: G01S17/894 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/481 ,  G01S17/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

    Abstract: 本发明提供一种图像传感器及使用其的探测系统，属于半导体图像传感器领域，图像传感器包含，第一基板，所述第一基板至少包含用于光电转化的光电单元；N个信号传输通路与所述光电单元连接，N大于等于1；第二基板，包含对应于所述N个传输通路的N个第二电荷存储单元，所述传输通路接收控制信号，电性连通所述光电单元与所述的第二电荷存储单元，并将所述光电单元内产生的至少部分光生电子转移至所述的第二电荷存储单元，通过两层基板堆叠保证像素小型化和高集成化设计的效果，更进一步在两个基板上均设置电荷存储单元，可以一方面利用像素周边区域面积，另一方面实现更高电荷存储量的效果，可以保证测距准确性等效果。

    LIDAR SYSTEM
    64.
    发明申请
    LIDAR SYSTEM 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021258106A1

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：PCT/US2021/070715

    申请日：2021-06-15

    Applicant: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.

    Inventor： SMITH, Elliot John

    IPC: G01S7/4863 ,  G01S7/481 ,  G01S17/10 ,  G01S17/894 ,  G01S17/931 ,  H01L31/02 ,  B60R11/00 ,  G01S7/4814 ,  G01S7/4816

    Abstract: A Lidar system includes a focal-plane array having a plurality of pixels. Each pixel includes a first single-photon avalanche diode (SPAD) and a second SPAD. The Lidar system operates by, for each of a plurality of the pixels, applying a bias voltage to the first SPAD of the pixel while no bias voltage or low bias voltage is applied to the second SPAD of the pixel, then removing the bias voltage from the first SPAD of the pixel and applying a bias voltage to the second SPAD of the pixel while no bias voltage or low bias voltage is applied to the first SPAD of the pixel, and then recording detection of a photon by the first SPAD of the pixel and detection of a photon by the second SPAD on a common memory bank of the pixel.

    探测装置及方法
    66.
    发明申请
    探测装置及方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021196545A1

    公开(公告)日：2021-10-07

    申请号：PCT/CN2020/118986

    申请日：2020-09-29

    Applicant: 宁波飞芯电子科技有限公司

    Inventor： 雷述宇

    IPC: G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  G01S7/4802 ,  G01S7/4863

    Abstract: 一种探测装置及方法，涉及激光雷达技术领域。其中，探测装置可以包括光发射模块（210）、处理模块（220）以及光接收模块（230），光发射模块（210）包括M个发射区域，光接收模块（230）包括N个接收区域，M和N均为大于0的整数，M个发射区域分时输出M路发射光，N个接收区域分时接收M个发射区域发射的经探测目标（250）反射的反射光信息，并将反射光信息和反射光信息对应的接收时间发送给处理模块（220），进而处理模块（220）可以根据发射顺序、反射光信息和反射光信息对应的接收时间对所接收反射光信息进行处理合成，以合成一张图像分辨率不低于接收区域数N，且不超过接收区域与发射区域相乘N×M的距离图像，根据距离图像可以输出针对探测目标（250）的测距结果，提高测距的准确性。

    イメージセンサ及び撮像システム
    67.
    发明申请
    イメージセンサ及び撮像システム 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021176876A1

    公开(公告)日：2021-09-10

    申请号：PCT/JP2021/002186

    申请日：2021-01-22

    Applicant: パナソニックＩＰマネジメント株式会社

    Inventor： 能澤　克弥

    IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/374 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89

    Abstract: 本開示の一態様に係るイメージセンサは、複数の半導体型カーボンナノチューブを含有する光電変換領域を含む機能層と、光の入射により前記光電変換領域で発生した正電荷及び負電荷の内の一方である第１電荷を捕集する透明電極と、前記正電荷及び前記負電荷の内、前記第１電荷とは逆の極性を有する第２電荷を捕集する第１捕集電極と、前記第２電荷を捕集する第２捕集電極と、前記第２電荷の、前記第１捕集電極に向けた移動を制御する第１制御電極と、前記第２電荷の、前記第２捕集電極に向けた移動を制御する第２制御電極と、前記第１捕集電極で捕集された前記第２電荷を蓄積する電荷蓄積部とを備える。

    物体検出装置、受光部および物体検出装置の制御方法
    68.
    发明申请
    物体検出装置、受光部および物体検出装置の制御方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021166542A1

    公开(公告)日：2021-08-26

    申请号：PCT/JP2021/002052

    申请日：2021-01-21

    Applicant: 株式会社デンソー

    Inventor： 瀬戸　満里子 ,  柳井　謙一 ,  清野　光宏 ,  尾崎　憲幸

    IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/89

    Abstract: 検出範囲を走査して物体を検出する物体検出装置（１０）が提供される。物体検出装置（１０）は、パルス検出光を発光する発光部（３０）と、複数の受光画素群（２２）を有する受光部（２０）とを備える。複数の受光画素群（２２）は、走査の走査単位に対応して、パルス検出光の発光に応じた反射光を受光する反射光受光画素群（Ｐｉｒ）と、可視光を受光し、可視光成分に対応する１または複数の可視光受光画素群（Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂ）とを含む。

    Q/I CALCULATION CIRCUIT AND METHOD FOR TIME-OF-FLIGHT IMAGE SENSOR
    69.
    发明申请
    Q/I CALCULATION CIRCUIT AND METHOD FOR TIME-OF-FLIGHT IMAGE SENSOR 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021145225A1

    公开(公告)日：2021-07-22

    申请号：PCT/JP2021/000014

    申请日：2021-01-04

    Applicant: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION

    Inventor： SHEM Ariel Ben

    IPC: G01S7/4914 ,  G01S7/4915 ,  G01S17/36 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4865

    Abstract: A time-of-flight device comprises a pixel array including an array of pixel circuits respectively including a photodiode, a first tap, and a second tap; a first signal line coupled to the first tap; a second signal line coupled to the second tap; and processing circuitry coupled to the first signal line and the second signal line, the processing circuitry including: a first comparator configured to receive a first phase signal, to receive a reference signal having an exponential waveform, and to output a first comparison signal, a second comparator configured to receive a second phase signal, to receive the reference signal, and to output a second comparison signal, and a counter configured to perform a count based on the first comparison signal and the second comparison signal.

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