公开(公告)号：WO2022270371A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：PCT/JP2022/023909

申请日：2022-06-15

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 保屋野　瑞希 ,  西藤　洋将 ,  高橋　聖基 ,  小島　尚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361 ,  H04N5/369

Abstract: 本技術は、加工ダメージを生じさせることなく特性を向上させることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 固体撮像装置は、複数の画素が設けられた画素アレイ部を備え、画素アレイ部は、カラーフィルタが設けられたカラーフィルタ層と、光電変換部が設けられた光電変換層と、カラーフィルタ層と光電変換層の間に形成された酸化膜層と、カラーフィルタよりも屈折率が低い材料からなり、画素間におけるカラーフィルタ層の酸化膜層側とは反対側の端から酸化膜層の途中まで形成された低屈折率壁とを有する。本技術はCMOSイメージセンサに適用することができる。

公开(公告)号：WO2022151852A1

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：PCT/CN2021/134021

申请日：2021-11-29

Applicant: OPPO广东移动通信有限公司

Inventor： 耿飞

IPC: H04N5/359

Abstract: 提供了一种图像处理方法、装置、系统、电子设备以及存储介质。方法包括：通过图像传感器获取原始图像（S110）；通过Pre-ISP对原始图像进行增益处理以得到第一图像（S120）；并对第一图像进行降噪处理以得到第二图像（S130）；以及将原始图像与第二图像进行融合处理以得到融合图像（S140）。本方法实现了避免由于多次曝光产生的图像重影问题。

公开(公告)号：WO2022130662A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/JP2021/023240

申请日：2021-06-18

Applicant: ソニーグループ株式会社

Inventor： 藤井　真一

IPC: H04N5/232 ,  G02B7/34 ,  G03B13/36 ,  H04N5/225 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369

Abstract: 撮像装置は、それぞれ別々の画素信号を出力する第１のフォトダイオード画素と第２のフォトダイオード画素とを含むフォトダイオード分割画素を備えた撮像素子と、画素信号の出力値が飽和値となった場合に、飽和値と出力予測値に基づいて出力値を修正する飽和対応処理を行う信号処理部とを備えるようにする。

公开(公告)号：WO2022118535A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/JP2021/037355

申请日：2021-10-08

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 塚田　敦士 ,  牧野　博文 ,  五十嵐　浩一

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H04N5/359

Abstract: チップ・オン・チップ構造やチップ・オン・ウエハ構造を採用する半導体モジュールにおいて不要な光線反射を防止する。　半導体モジュールは、基板と、第１および第２の半導体素子と、覆い部とを備える。第１の半導体素子は、基板上に配置される。第１の半導体素子は、基板との間で電気的に接続された配線および基板に対向する面とは反対の上面に撮像素子の画素領域を備える。第２の半導体素子は、第１の半導体素子の上面において画素領域とは異なる位置に配置される。覆い部は、画素領域を除く少なくとも一部の領域について、第１および第２の半導体素子を上面から覆う。

公开(公告)号：WO2021200508A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/JP2021/012399

申请日：2021-03-24

Applicant: ソニーグループ株式会社 ,  ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 中野　博史 ,  平田　晋太郎 ,  室山　雅和 ,  山崎　雄介 ,  森脇　俊貴 ,  飯野　陽一郎 ,  栗島　一徳 ,  村上　洋介

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/374

Abstract: 本開示の一実施形態の撮像素子は、並列配置されてなる第１の電極および第２の電極と、第１の電極および第２の電極と対向配置された第３の電極と、第１の電極および第２の電極と、第３の電極との間に設けられた有機材料を含む光電変換層と、第１の電極および第２の電極と、光電変換層との間において第１の電極および第２の電極側から順に積層された第１の層および第２の層を含む半導体層とを備え、第１の層は、伝導帯の底に対する５ｓ軌道の寄与割合を表すＣ５ｓの値が第２の層のＣ５ｓの値より大きく、第２の層は、酸素欠損生成エネルギーを表すＥＶＯまたは窒素欠損生成エネルギーを表すＥＶＮの値が第１の層のＥＶＯまたはＥＶＮの値よりも大きい。

公开(公告)号：WO2021111848A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/JP2020/042499

申请日：2020-11-13

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 柴田　智彦 ,  辻　清茂

IPC: H04N5/359 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/374

Abstract: イメージセンサ（１０２）は、光電荷を生成する光電変換部（１０）と、光電変換部（１０）に接続され、光電変換部（１０）により生成された光電荷を保持するセンスノード（ＳＮ）（２１）と、センスノード（ＳＮ）（２１）が保持する光電荷を外部へ排出するための排出トランジスタ（１５）と、排出トランジスタ（１５）のゲートに排出トランジスタ（１５）をオフにする際に印加するオフ電圧の電圧値を制御する電圧制御部（１１４）とを備える。

公开(公告)号：WO2021106521A1

公开(公告)日：2021-06-03

申请号：PCT/JP2020/041462

申请日：2020-11-06

Applicant: パナソニックＩＰマネジメント株式会社

Inventor： 石井　基範

IPC: H04N5/359 ,  G01S7/486 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 光検出器は、複数の画素（１０１）と、複数の画素（１０１）に接続された共通リセット線（１０４）と、を備え、複数の画素（１０１）のそれぞれは、アバランシェフォトダイオード（１０２）と、ゲート及びソースがアバランシェフォトダイオード（１０２）のカソードに接続されたクエンチングトランジスタ（１１２）と、ソース及びドレインの一方が、クエンチングトランジスタ（１１２）のドレインに接続され、ソース及びドレインの他方が、共通リセット線（１０４）に接続されたフォトダイオードリセットトランジスタ（１０３）と、を有する。

公开(公告)号：WO2021066065A1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：PCT/JP2020/037289

申请日：2020-09-30

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 安藤　良次

IPC: H04N5/359 ,  H04N5/369

Abstract: 撮像素子は、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷に基づく信号が出力される信号線とが設けられる第１基板と、前記信号線の電圧が所定電圧以下にならないよう前記信号線に電圧供給する供給部と、前記信号線に出力された信号を処理する処理部とが設けられ、前記第１基板に積層される第２基板と、を備える。

公开(公告)号：WO2020181059A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：PCT/US2020/021132

申请日：2020-03-05

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： KULIK, Victor ,  SOMAN, Mehul

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/353 ,  H04N5/359

Abstract: Techniques may include synchronizing the positioning of an adjustable lens in a camera assembly with the capture of an image frame by the image sensor and optimizing the position of the adjustable lens to reduce the amount of blur caused by translation of the camera assembly along a direction along the optical axis over the course of a frame. Techniques may provide moving the lens to a plurality of optimized positions, relative to the image sensor, over the course of a frame, to reduce motion blur in an image due to translation of the camera assembly in a direction along the optical axis during the frame. Some embodiments may provide for "tight" synchronization in cases where the plurality of optimized positions are based on a time-dependent function that takes into account when each row of the image sensor is being exposed over the course of the frame.

公开(公告)号：WO2020017330A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：PCT/JP2019/026474

申请日：2019-07-03

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 定榮　正大 ,  村田　賢一 ,  平田　晋太郎 ,  林　利彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L51/42 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369

Abstract: 撮像素子１０は、第１電極２１、有機系材料から成る光電変換層２３Ａ及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、第１電極２１と光電変換層２３Ａとの間には、第１電極側から、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂが形成されている。