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公开(公告)号：WO2021246578A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/KR2020/012447
申请日：2020-09-15
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사
Abstract: 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치가 제공된다. 발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 복수의 발광 패턴들을 제공하는 단계, 상기 발광 패턴들 사이에 연질 재료층을 제공하는 단계, 상기 연질 재료층을 변형시키는 단계, 및 상기 기판으로부터 상기 발광 패턴들을 분리하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2021172909A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：PCT/KR2021/002405
申请日：2021-02-25
Applicant: 서울바이오시스주식회사
Abstract: 일 실시예에 따른 발광 소자는, 단파장 발광부; 장파장 발광부; 및 상기 단파장 발광부와 장파장 발광부를 결합하는 결합층을 포함하되, 상기 단파장 발광부 및 장파장 발광부는 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 장파장 발광부의 활성층은 상기 단파장 발광부의 활성층보다 더 많은 인디움(In)을 함유하고, 상기 단파장 발광부는 상기 장파장 발광부에 비해 파장이 더 짧은 광을 방출한다.
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公开(公告)号：WO2020242850A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/US2020/033735
申请日：2020-05-20
Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： GANAPATHIAPPAN, Sivapackia , LUO, Yingdong , ZHANG, Daihua , NG, Hou T. , ZHU, Mingwei , PATIBANDLA, Nag B.
Abstract: A photocurable composition includes a nanomaterial selected to emit radiation in a first wavelength band in the visible light range in response to absorption of radiation in a second wavelength band in the UV or visible light range, one or more (meth)acrylate monomers, and a photoinitiator that initiates polymerization of the one or more (meth)acrylate monomers in response to absorption of radiation in the second wavelength band. The second wavelength band is different than the first wavelength band. A light-emitting device includes a plurality of light-emitting diodes and the cured photocurable composition in contact with a surface through which radiation in a first wavelength band in the UV or visible light range is emitted from each of the light-emitting diodes.
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公开(公告)号：WO2020149512A1
公开(公告)日：2020-07-23
申请号：PCT/KR2019/016244
申请日：2019-11-25
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사
Abstract: 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 발광 소자는 제1 극성으로 도핑된 제1 도전형 반도체, 상기 제1 극성과 반대인 제2 극성으로 도핑된 제2 도전형 반도체, 상기 제1 도전형 반도체와 상기 제2 도전형 반도체 사이에 배치되는 활성층 및 적어도 상기 활성층의 측면을 둘러싸는 절연막을 포함하고, 상기 절연막은 절연피막 및 상기 절연피막 상의 적어도 일부에 배치된 적어도 하나의 광 변환입자를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2020091174A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/KR2019/006596
申请日：2019-05-31
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사
Abstract: 발광 소자 분산제, 이를 포함하는 발광 소자 잉크 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 표시장치의 제조방법은 제1 전극 및 제2 전극이 형성된 대상 기판 상부에 용매, 발광 소자 및 소자 분산제를 포함하는 잉크를 분사하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 대상 기판 상부에 전계를 생성하는 단계, 상기 대상 기판의 상부에 분사된 상기 잉크에 광을 조사하여 상기 소자 분산제가 분해된 분산제 단편을 형성하는 단계 및 상기 잉크의 상기 용매 및 상기 분산제 단편을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
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Patent Agency Ranking86.发明申请
公开(公告)号：WO2019204748A1
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：PCT/US2019/028350
申请日：2019-04-19
Applicant: GLO AB
Inventor： BATRES, Max , CICH, Michael J. , CHEN, Zhen , DANESH, Fariba
Abstract: A light emitting diode (LED) includes a n-doped semiconductor material layer located over a substrate, an active region including an optically active compound semiconductor layer stack configured to emit light located over the n-doped semiconductor material layer, a p-doped semiconductor material layer located over the active region and containing a nickel doped surface region, a conductive layer contacting the nickel doped surface region of the p-doped semiconductor material, and a device-side bonding pad layer electrically connected to the conductive layer.
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公开(公告)号：WO2019114829A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/CN2018/121251
申请日：2018-12-14
Applicant: TCL集团股份有限公司
Abstract: 一种量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；其中，所述置换配体含有至少一个能与量子点表面结合的官能团。
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88.发明申请
公开(公告)号：WO2018063391A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/US2016/054991
申请日：2016-09-30
Applicant: INTEL CORPORATION
Inventor： AHMED, Khaled
CPC classification number: H01L33/32 , H01L25/167 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24
Abstract: An apparatus including a red LED and monolithic multicolor LED pixel and a method of fabricating an LED device is disclosed. The method includes providing a substrate for the wafer. The method also includes forming a light emitting diode (LED) using Hydrazine to dispose above the substrate an Indium Gallium Nitride (InGaN) layer of the LED.
Abstract translation: 公开了一种包括红色LED和单片多色LED像素的装置以及制造LED装置的方法。 该方法包括为晶片提供衬底。 该方法还包括使用肼形成发光二极管（LED）以在衬底之上设置LED的氮化铟镓（InGaN）层。
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公开(公告)号：WO2018001368A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/CN2017/091236
申请日：2017-06-30
Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种氮化物荧光体及包含其的发光装置。该氮化物荧光体的化学式为M m A a X y : Tb z ，M为元素La、Ce、Lu、Y和Gd中的一种或几种，A为Si或者A为Si和Ge，X为N或者X为N和O，且2＜m≤4，5.5≤a≤6.5，10≤y≤12，0＜z≤0.5。通过选择上述种类的元素及其含量，能够形成以Tb为发光中心的La 3 Si 6 N 11 晶体结构，这使得激活剂中心在三价稀土离子以及Si-N四面体场的作用下获得更高的跃迁能量，从而改善目前含Tb荧光粉光效低的问题，获得高光效绿光。而且以类La 3 Si 6 N 11 晶体结构作为基质，制备出的荧光体热稳定性高，适合用于高能量密度激发的器件，其光效高，寿命长。
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公开(公告)号：WO2017217706A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/KR2017/006052
申请日：2017-06-12
Applicant: 주식회사 페타룩스
Abstract: 본 발명은, 기판, 제1반도체층, 제1클래딩층, 활성층, 제2클래딩층, 및 제2반도체층으로 구성된 반도체 발광장치 및 제조방법을 제공하는 데 있다. 상기 제1반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 또는 Ⅱ-Ⅶ족 반도체를 포함하는 n-type 반도체를 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2반도체층은 Ⅰ-Ⅶ족 반도체로 p-type 반도체를 형성할 수 있다. 또한, 활성층과 제2클래딩층 사이에 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 또는 Ⅱ-Ⅶ족 반도체로 구성된 제3클래딩층을 더 포함할 수 있다. 따라서, 하이브리드 타입 반도체 발광장치 및 제조방법을 제공하여 p-type 반도체의 발광효율 한계를 극복할 수 있다.
Abstract translation:
本发明是提供一种衬底，第一半导体层，所述第一包层，有源层，第二包层，以及由第二半导体层的半导体发光器件，及其制造方法。 第一半导体层可以形成包括III-V半导体或II-VII半导体的n型半导体。 另外，第二半导体层可以形成具有I-VII族半导体的p型半导体。 此外，在有源层和第二包层之间还可以包括由III-V半导体或II-VII半导体制成的第三包层。 因此，通过提供混合型半导体发光器件和制造方法，可以克服p型半导体的发光效率的限制。
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