公开(公告)号：WO2015068264A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/JP2013/080258

申请日：2013-11-08

Applicant: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記 ,  原田 望 ,  リ, イ-ソ ,  ツェン, ツィシャン ,  チャン,ウィン ウェイ ,  ウィン,ケイ ティ ,  ワン, キンペン

Inventor： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記 ,  原田　望 ,  リ，　イ－ソ ,  ツェン，　ツィシャン ,  チャン，ウィン　ウェイ ,  ウィン，ケイ　ティ ,  ワン，　キンペン

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176

Abstract: 　有機ガスを用いた原子層堆積を用いて、所望の実効仕事関数を有する半導体装置を提供することを課題とする。半導体装置は、シリコン基板（１０１）上に形成されたゲート酸化膜（１０２）と、ゲート酸化膜（１０２）上に形成されたゲート電極とを備える。ゲート電極は、炭素を含有する窒化チタン膜と多結晶シリコン膜との積層構造であって、シリコン基板（１０１）と、ゲート酸化膜と炭素を含有する窒化チタン膜（１０３）と、多結晶シリコン膜（１０４）とは、水素を含む雰囲気中で３５０℃以上で熱処理されたことにより、上記課題を解決する。

Abstract translation: 本发明解决了使用有机气体使用原子层沉积来提供具有期望的有效功函数的半导体器件的问题。 所述问题由设置有以下的半导体器件解决：形成在硅衬底（101）的顶部上的栅极氧化膜（102）; 以及形成在所述栅氧化膜（102）的顶部上的栅电极。 栅电极具有由含碳氮化钛膜和多晶硅膜构成的层叠结构，硅基板（101），栅极氧化膜和含碳氮化钛膜（103），以及 多晶硅膜（104）在含氢气氛中在至少350℃的温度下进行热处理。

公开(公告)号：WO2015063840A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/JP2013/079159

申请日：2013-10-28

Applicant: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド ,  舛岡 富士雄 ,  中村 広記 ,  原田 望 ,  リ, イ-ソ ,  ツェン, ツィシャン ,  チャン,ウィン ウェイ ,  ウィン,ケイ ティ ,  ワン, キンペン

Inventor： 舛岡　富士雄 ,  中村　広記 ,  原田　望 ,  リ，　イ－ソ ,  ツェン，　ツィシャン ,  チャン，ウィン　ウェイ ,  ウィン，ケイ　ティ ,  ワン，　キンペン

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966

Abstract: 　有機ガスを用いた原子層堆積を用いて、シリコンのミッドギャップである４．６ｅＶ近傍の実効仕事関数を有する半導体装置を提供することを課題とする。半導体装置は、シリコン基板（１０１）上に形成されたゲート酸化膜（１０２）と、ゲート酸化膜（１０２）上に形成されたゲート電極と、を備える。ゲート電極は、炭素を含有する窒化チタン膜（１０３）を含む。シリコン基板（１０１）、ゲート酸化膜（１０２）、及び炭素を含有する窒化チタン膜（１０３）を含むゲート電極を有する半導体装置は、シリコン基板（１０１）、ゲート酸化膜（１０２）、及び炭素を含有する窒化チタン膜（１０３）が、水素を含む雰囲気中にて３５０℃以上で熱処理されたことにより、上記課題を解決する。

Abstract translation: 本发明解决了使用有机气体使用原子层沉积来提供半导体器件的问题，所述半导体器件具有接近4.6eV的有效功函数，硅的中间隙。 该半导体器件设置有形成在硅衬底（101）的顶部上的栅极氧化膜（102）和形成在所述栅极氧化膜（102）的顶部上的栅电极。 栅电极含有含碳氮化钛膜（103）。 具有硅衬底（101），栅极氧化膜（102）和含有碳的氮化钛膜（103）的栅电极的半导体器件解决了上述问题，这是因为硅衬底 101），栅极氧化膜（102）和含碳氮化钛膜（103）在含氢气氛中在至少350℃的温度下进行热处理。