公开(公告)号：WO2012053035A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/JP2010/006247

申请日：2010-10-21

Applicant: 国立大学法人広島大学 ,  トーヨーエイテック株式会社 ,  牧平清超 ,  二川浩樹 ,  峯裕一 ,  岡本圭司 ,  阿部義紀 ,  中谷達行 ,  新田祐樹

Inventor： 牧平清超 ,  二川浩樹 ,  峯裕一 ,  岡本圭司 ,  阿部義紀 ,  中谷達行 ,  新田祐樹

IPC: A61L27/00 ,  A61C8/00 ,  A61F2/28 ,  A61F2/30

CPC classification number: A61C8/0012 ,  A61C8/0013 ,  A61F2002/3093 ,  A61L27/06 ,  A61L27/303 ,  A61L2400/18

Abstract: 　インプラント用材料は、基材１０と、基材１０の表面に形成された炭素質薄膜２０とを備えている。炭素質薄膜２０は、酸素を含む官能基及び窒素を含む官能基の少なくとも一方を有する。酸素を含む官能基の存在比は４％以下であり、窒素を含む官能基の存在比／酸素を含む官能基の存在比は１０以下である。

Abstract translation: 在本发明中，植入材料包括基底（10）和形成在基底（10）的表面上的碳质薄膜（20）。 碳质薄膜（20）具有含氧的官能团或含有氮的官能团中的至少一种。 含有氧的官能团的百分比为4％以下，含有官能团的官能团含氮的官能团的含量不超过10。

公开(公告)号：WO2010092616A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/JP2009/000541

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人広島大学 ,  トーヨーエイテック株式会社 ,  二川浩樹 ,  牧平清超 ,  峯裕一 ,  阿部義紀 ,  中谷達行 ,  岡本圭司 ,  新田祐樹

Inventor： 二川浩樹 ,  牧平清超 ,  峯裕一 ,  阿部義紀 ,  中谷達行 ,  岡本圭司 ,  新田祐樹

IPC: A61L27/00 ,  A61K6/00

CPC classification number: A61L27/025 ,  A61K6/027 ,  A61L27/303 ,  A61L27/306 ,  A61L2420/04 ,  C23C16/30 ,  Y10T428/31678

Abstract: 　インプラント用材料は、基材と、基材の表面に形成され、シリコンを含む炭素質薄膜とを備えている。炭素質薄膜は、炭素同士が結合したＣ－Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含み、ＳｉＣ成分の比率は、０．０６以上である。

Abstract translation: 公开了一种植入材料，其包含在基底表面上形成并含有硅的基底和碳质薄膜。 碳质薄膜含有碳原子彼此键合的C-C成分，碳原子和硅原子相互结合的SiC成分。 碳质薄膜中的SiC成分的比例为0.06以上。