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公开(公告)号：WO2013027839A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/JP2012/071506
申请日：2012-08-24
Applicant: 古河電気工業株式会社 , 奥野 良和 , 福島 弘之 , 早瀬 裕子 , 小嶋 映二
CPC classification number: H01B12/02 , C23C14/082 , C23C14/083 , C23C14/3442 , C23C14/562 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 基板１０上に導電性を有する非配向ベッド層２４を形成する導電性ベッド層形成工程と、ベッド層２４上に二軸配向層２６を形成する二軸配向層形成工程と、を有する超電導導体用基材２の製造方法である。
Abstract translation: 提供一种制造超导体基板（2）的方法，包括：导电床层形成步骤，在基板（10）上形成具有导电性的非取向床层（24）; 以及在床层（24）上形成双轴取向层（26）的双轴取向层形成步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2013015328A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/JP2012/068873
申请日：2012-07-25
CPC classification number: H01L39/125 , H01L39/14 , H01L39/24 , H01L39/2461 , Y10T428/265
Abstract: 基材からの金属元素の拡散抑制効果が高く、強制配向層の配向性を向上させる。 超電導薄膜用基材（２）は、金属元素を含む基材（１０）と、この基材（１０）の表面に形成され、スピネル型結晶構造を有した少なくとも１種の遷移金属元素と、Ｍｇと、酸素とからなる非配向のスピネル化合物を主体とするベッド層（２２）と、このベッド層（２２）の表面に形成され、Ｍｇを含む岩塩型結晶構造の岩塩型化合物を主体とし、２軸配向性を有する強制配向層（２４）と、を備える。
Abstract translation: 为了提高强制取向层的取向性能，改善金属元素从基材的扩散抑制，该超导薄膜用基材（2）具备：金属元素的基材（10） 具有尖晶石型晶体结构并主要由由氧，Mg和至少一种类型的过渡金属元素组成的非取向尖晶石化合物的床层（22），所述床层形成在基体的表面上 材料（10）; 以及形成在床层（22）的表面上的强制取向层（24），其主要由具有包含Mg的岩盐型结晶结构的岩盐型化合物组成并具有双轴取向。
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公开(公告)号：WO2012111678A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/JP2012/053435
申请日：2012-02-14
Applicant: 古河電気工業株式会社 , 福島 弘之 , 早瀬 裕子 , 奥野 良和 , 小嶋 映二
CPC classification number: H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/2461
Abstract: 酸化物超電導層や酸化物超電導層と中間層との界面における不純物を少なくする。 超電導線材１の構成を、基材（１０）と、当該基材（１０）上に形成された中間層（２０）と、当該中間層（２０）上に形成され、多結晶体のＳｒＬａＦｅＯ ４+δ１ 又はＣａＬａＦｅＯ ４+δ２ を主に含有し、δ１及びδ２は酸素不定比量である反応抑制層（２８）と、反応抑制層（２８）上に形成され、酸化物超電導体を主に含有した酸化物超電導層（３０）と、を備えるようにした。
Abstract translation: 在氧化物超导层或氧化物超导层和中间层之间的界面处杂质减少。 超导线（1）包括衬底（10）; 形成在所述基板（10）上的中间层（20） 反应控制层（28），其形成在中间层（20）上并且主要包含多晶SrLaFeO4 + d1或CaLaFeO4 + d2，其中d1和d2是非化学计量的氧; 和形成在反应控制层（28）上并主要包含氧化物超导体的氧化物超导层（30）。
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公开(公告)号：WO2012060425A1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：PCT/JP2011/075340
申请日：2011-11-02
Applicant: 古河電気工業株式会社 , 笠原 正靖 , 福島 弘之 , 奥野 良和 , 早瀬 裕子
CPC classification number: H01B13/00 , C01G45/1264 , C01G51/70 , C01P2002/54 , C01P2002/77 , H01B12/02 , H01L39/143 , H01L39/2454 , Y10S505/704
Abstract: 中間層又は中間層の一部としての酸化物層を構成するＬＭＯの結晶格子が立方晶となる相転移温度を低くする。 超電導線材用基材が、組成式がＬａ ｚ （Ｍｎ １－ｘ Ｍ ｘ ） ｗ Ｏ ３＋δ （Ｍ＝Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｏ及びＴｉから選ばれる少なくとも１つであって、δは酸素不定比量であり、０＜ｗ／ｚ＜２、０＜ｘ≦１である）で表される結晶材料を主体とする酸化物層（ＬＭＯ層（２２））、を含む。
Abstract translation: 为了降低构成中间层或作为中间层的一部分的氧化物层的LMO晶格的立方晶体的相变温度，本发明提供了一种超导线材的基材，其包含氧化物 主要具有由组成式Laz（Mn1-xMx）wO3 + d表示的结晶材料（其中M是选自Cr，Al，Co和Ti中的至少一种元素）的层（LMO层（22））; d是氧非化学计量 ; 0
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公开(公告)号：WO2013008851A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/067707
申请日：2012-07-11
CPC classification number: H01B12/02 , H01L39/2454 , H01L39/2461 , Y10T428/12458 , Y10T428/12549
Abstract: 金属基材と金属酸化物層との密着性を高める。 超電導薄膜（１）は、金属基材（１０）と、この金属基材（１０）の主面に形成され、不動態化可能な金属元素を主体とする金属層（２２）と、この金属層（２２）に形成され、不動態化された前記金属元素を主体とする金属酸化物層（２４）と、この金属酸化物層（２４）上に直接又は中間層を介して形成された、酸化物超電導体を主体とする超電導層（４０）と、を備える。
Abstract translation: 为了增加金属基材和金属氧化物层之间的粘附性，超导薄膜（1）包括金属基材（10），形成在金属基材（10）的主表面上的金属层 ），主要由能够钝化的金属元素组成，形成在金属层（22）上并主要由钝化金属元素组成的金属氧化物层（24）和形成在金属氧化物层上的超导层（40） 24）直接或中间层之间并且主要由氧化物超导体组成。
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公开(公告)号：WO2012070631A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/JP2011/077096
申请日：2011-11-24
Applicant: 古河電気工業株式会社 , 奥野 良和 , 福島 弘之 , 小嶋 映二 , 早瀬 裕子
CPC classification number: H01B12/06 , B82Y30/00 , C01G3/00 , C01G45/1264 , C01P2002/76 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01B13/32 , H01L39/143 , H01L39/24 , H01L39/2461
Abstract: 酸化物超電導層や中間層側の酸化物超電導層の界面における不純物を少なくする。 超電導線材の構成を、金属基材１０と、金属基材１０上に形成され、Ｂａと反応する希土類元素を含有する中間層２０と、中間層２０上に形成され、ＬａＭｎＯ ３＋δ１ を主に含有し、δ１は酸素不定比量である反応抑制層２８と、反応抑制層２８上に形成され、Ｂａを含有する酸化物超電導体で主として構成された酸化物超電導層３０と、を備えるようにした。
Abstract translation: 在本发明中，与中间层侧的氧化物超导体层或氧化物超导体层的界面的杂质减少。 超导线材的构造包括：金属基材（10）; 中间层（20），其形成在金属基材（10）上并含有与Ba反应的稀土元素; 形成在主要含有LaMnO 3 + d1的中间层（20）上的反应控制层（28），d1是非化学计量氧的量; 以及主要由包含Ba的氧化物超导体构成的反应控制层（28）上形成的氧化物超导体层（30）。
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