公开(公告)号：WO2012053083A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/JP2010/068550

申请日：2010-10-21

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  丹藤 匠 ,  根岸 伸幸 ,  板橋 直志

Inventor： 丹藤　匠 ,  根岸　伸幸 ,  板橋　直志

IPC: A61L2/14 ,  A61L9/22 ,  G01N21/68 ,  H05H1/24

CPC classification number: A61L2/20 ,  A61L2/14 ,  G01N21/67 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2443 ,  H05H2001/2462 ,  H05H2245/1225

Abstract: 　プラズマを用いて滅菌を行なう際、特定の発光スペクトルを計測することで、菌の活性/不活性をリアルタイムに判定し、高効率に滅菌する装置を提供する。解決手段として、交流電源に接続されたプラズマ源から、処理対象物にプラズマを当て、プラズマを当てられたことに起因する処理対象物の発光を発光強度検出部で検出する。特に、水素又は水酸基の波長強度を検出することで、菌の活性/不活性を早期に判定できる。したがって滅菌のための適切な電源の出力を制御することができる。

Abstract translation: 其目的是提供一种在使用等离子体进行灭菌的情况下，通过测定特定的发光光谱并实时评价微生物活动/不活动来非常有效地进行灭菌。 解决方案是将等离子体从连接到AC电源的等离子体源施加到被处理物体上，并利用发射强度检测单元检测来自等离子体施加的被处理物体的发光。 特别是通过检测氢或羟基的波长强度，可以在早期评估微生物活性/不活动性。 因此，可以适当地控制电源的输出以进行灭菌。

公开(公告)号：WO2004036639A1

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：PCT/JP2002/010845

申请日：2002-10-18

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  横川 賢悦 ,  根岸 伸幸 ,  伊澤 勝

Inventor： 横川 賢悦 ,  根岸 伸幸 ,  伊澤 勝

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/31798 ,  H01L22/26

Abstract: An etching system characterized by comprising means for irradiating an etched wafer substrate with an electron beam having an intensity of irradiation area of 0.00001-1 cm and time modulated energy, means for detecting dependency of the strength of a substrate current or a sound wave being excited in the wafer substrate through irradiation by electron beam on the relative angle between the electron beam and the surface of the wafer substrate, and means for making a decision as to whether the etching results, especially the opening and shape of a contact hole, are acceptable or not using the detecting means and designating stoppage of etching for subsequent wafers, designating correction of the etching conditions or correcting the processing conditions automatically.

Abstract translation: 一种蚀刻系统，其特征在于包括：用蚀刻的晶片基板照射面积为0.00001-1cm 2的电子束和时间调制能量的装置，用于检测衬底电流强度或声音的依赖性的装置 通过电子束照射电子束和晶片基板的表面之间的相对角度在晶片基板中激发波，以及用于决定蚀刻结果是否特别是接触孔的开口和形状的装置 ，可以接受或不可以使用检测装置，并指定后续晶片的蚀刻停止，指定蚀刻条件的校正或自动校正处理条件。

公开(公告)号：WO2004036638A1

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：PCT/JP2002/010844

申请日：2002-10-18

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  根岸 伸幸 ,  横川 賢悦 ,  伊澤 勝

Inventor： 根岸 伸幸 ,  横川 賢悦 ,  伊澤 勝

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L22/12

Abstract: 本発明の目的は歩留りおよび生産性向上が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明に係わる半導体装置の製造方法は、本発明は、真空容器1と、前記真空容器1内に設けられたウエハ8を設置するためのサセプタ7と、前記真空容器に原料ガスを導入するためのガス導入手段2と、および高周波電力導入手段6とを有するプラズマエッチング装置が準備され、前記ガス導入手段2により前記真空容器1内に導入されたガスを前記高周波電力でプラズマ化し、前記プラズマ雰囲気中でウエハ主面の酸化膜23に選択的に複数の穴を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記穴を形成する工程で前記半導体ウエハ主面の平坦部と穴部とに連続スペクトルを有する光15を照射させ、前記平坦部と前記穴部との反射率変化を測定することを特徴とする。

Abstract translation: 一种可以提高产量和生产率的半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括提供包括真空容器（1），用于将晶片（8）放置在真空容器（1）中的基座（7））的等离子体蚀刻系统的步骤，用于引入 向真空容器施加原料气体，以及用于引入高频电力的装置（6），以及通过使用高频电力通过气体导入装置产生引入真空容器（1）的气体的等离子体的步骤 （2），并且在等离子体气氛中的晶片的主表面上的氧化物膜（23）中选择性地形成多个孔，其特征在于，将半导体晶片的主表面上的平坦部分和孔部分照射 在平坦部分和孔部分测量在制造孔的过程中具有连续光谱的光（15）和反射率的变化。