公开(公告)号：WO2008140024A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：PCT/JP2008/058571

申请日：2008-05-08

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  学校法人東京理科大学 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  横尾 邦義 ,  溝渕 裕三 ,  大泉 春菜 ,  才田 守彦 ,  相模 寛之 ,  溝上 員章 ,  古川 猛夫

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  横尾 邦義 ,  溝渕 裕三 ,  大泉 春菜 ,  才田 守彦 ,  相模 寛之 ,  溝上 員章 ,  古川 猛夫

IPC: G01N27/22

CPC classification number: G01N27/226 ,  G01N27/12

Abstract: 　半導体の製造設備における個別のガス配管にも設置可能な超小型となりうるガスセンサー、これを用いた気体計測システム、およびそのための気体検知モジュールを提供する。誘電性半導体を有し、気体の吸着状態に応じて導電率が変化する気体検知素子と、気体検知素子に対して直列に接続された静電容量部と、気体検知素子および静電容量部を含む電気素子の電気的端部に夫々接続された一対の電極とを備え、この一対の電極に印加される極性反転を含み周期的に変化する電圧に応じて変化する電気的応答から、気体検知素子への気体の吸着状態を検知可能とすることを特徴とするガスセンサー。

Abstract translation: 提供了一种超小型的气体传感器，其被设置用于半导体制造设备中的分离的气体管道，使用这种气体传感器的气体测量系统和用于这种气体测量系统的气体检测模块。 气体传感器设置有气体检测元件，其具有介电半导体并且改变对应于气体吸附状态的导电性; 与气体检测元件串联连接的电容部; 以及分别连接到电气元件的电端部的一对电极，包括气体检测元件和电容部。 气体传感器基于根据施加到具有周期性变化的一对电极的电压（包括极性反转）而变化的电响应来检测气体检测元件的气体吸附状态。

公开(公告)号：WO2007086099A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：PCT/JP2006/301023

申请日：2006-01-24

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  畠山 力三 ,  金子 俊郎 ,  李 永峰 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

Inventor： 畠山 力三 ,  金子 俊郎 ,  李 永峰 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01F1/42 ,  C01B32/00 ,  C01B32/05

Abstract: 　スピントロニクス素子として利用することができるメタロセン内包炭素クラスター、強磁性金属内包炭素クラスター、並びにそれらの製造装置及び製造方法を提供する。 　初めに(a)に示すように、加熱容器１０１に炭素クラスター１０２とメタロセン固体１０３を入れて、真空引きする。その後(b)に示すように、メタロセン１０３が蒸発してメタロセン気体１０４になるように、加熱容器１０１を加熱する。このとき、蒸発したメタロセン１０４が炭素クラスター１０２に入り込んで、メタロセン内包炭素クラスターが生成される。その後、加熱容器１０１内の炭素クラスターを取り出し、例えばアルコールに浸して撹拌することにより、炭素クラスター１０２の外側に付着しているメタロセンを除去する。強磁性金属内包炭素クラスターを生成するときは、再び加熱容器１０１に戻して真空引きした後、メタロセンが解離する温度で加熱する。このとき、炭素クラスター内のメタロセンが解離して炭素、水素を放出して、強磁性金属内包炭素クラスターが生成される。

Abstract translation: 其中包含茂金属的碳簇和其中包含铁磁性金属的碳簇各自可用作自旋电子元件; 用于生产这些的装置; 以及制造这些的方法。 首先，如（a）所示，将碳簇（102）和固体茂金属（103）放入加热容器（101）中，将加热容器（101）抽真空。 此后，如（b）所示，加热加热容器（101），使得茂金属（103）蒸发成气态茂金属（104）。 在该加热期间，蒸发的茂金属（104）进入碳簇（102）以产生其中包含金属茂的碳簇。 此后，将碳簇从加热容器（101）中取出并浸渍在例如酒精中。 搅拌该醇混合物以除去粘附到碳簇（102）的外表面的金属茂。 为了制造其中包含铁磁性金属的碳簇，将簇返回到加热容器（101），将容器（101）抽真空。 此后，在金属茂解离的温度下加热该簇。 在该加热期间，碳簇中所含的茂金属离解以释放碳和氢。 因此，制造了其中包含铁磁性金属的碳簇。

公开(公告)号：WO2007057994A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：PCT/JP2006/307241

申请日：2006-04-05

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  独立行政法人科学技術振興機構 ,  畠山 力三 ,  金子 俊郎 ,  平田 孝道 ,  佐藤 玄太 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

Inventor： 畠山 力三 ,  金子 俊郎 ,  平田 孝道 ,  佐藤 玄太 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152

Abstract: 　簡単な操作で、化学修飾フラーレン、ヘテロフラーレン、内包フラーレンのいずれかを選択して生成できる装置及び方法を提供する。 　マイクロ波導入口１０１から、例えば磁力線の回りで回転運動している電子に共鳴する2.45GHzのマイクロ波を導入すると共に、誘導対象物導入口１１０から窒素ガスを導入する。そして高密度プラズマ流発生室１０２で窒素イオンN + から成るプラズマ流を形成する。このプラズマ流中に、フラーレン昇華オーブン１０６からフラーレンを導入する。フラーレン昇華オーブン１０６の下流側には電位体１０５を配置している。この電位体に供給する電圧を制御することにより、ヘテロフラーレンC 60-X N X 又は内包フラーレンN@C 60 を選択的に生成する。或いは両方の誘導フラーレンを生成して、中空のフラーレンが未反応のまま電位体に堆積する量を少なくする。両方の誘導フラーレンを生成した後は、化学処理等を施していずれか一方の誘導フラーレンを抽出して、その含有率を高めるようにしてもよい。

Abstract translation: 本发明提供了一种能够以简单的方式选择性地生产化学改性的富勒烯，异型富勒烯和包含的富勒烯中的任何一种的装置和方法。 通过微波引入口（101）引入例如使电子围绕磁力线旋转移动的2.45GHz的微波，通过衍生化对象导入口（110）引入氮气。 在高密度等离子体流产生室（102）中形成由氮离子N + +组成的等离子体流。 富勒烯从富勒烯升华炉（106）引入等离子体流中。 在富勒烯升华炉（106）的下游侧配置有电位体（105）。 通过控制提供给电位的电压来选择性地产生异丁烯C 60-X N N X或包含的富勒烯N C C 60。 或者，可以制备衍生的富勒烯，以将以未反应状态沉积的中空富勒烯的量减少到潜在的体上。 在产生衍生的富勒烯之后，可以对富勒烯进行化学处理等以提取任何衍生的富勒烯，从而提高其含量。

公开(公告)号：WO2007029684A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/317526

申请日：2006-09-05

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  表 研次 ,  溝渕 裕三 ,  笠間 泰彦

Inventor： 表 研次 ,  溝渕 裕三 ,  笠間 泰彦

IPC: C01B31/02

CPC classification number: G01N27/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/16 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0048 ,  Y10T428/30

Abstract: 　フラーレンは有機デバイス材料として期待される新規材料であるが、これまで報告された電気伝導度は絶縁体から半導体まで広い範囲に及び、高い精度で電気伝導度を制御する方法が知られていなかった。 　フラーレンを、特定の温度条件、ガス流量条件にて不活性ガス中で加熱処理することにより、フラーレンに吸着された不純物濃度、特に、酸素と水の濃度を制御することにより電気伝導度を高い再現性で向上することが可能になった。これまで報告されたことのない高い電気伝導度のフラーレンを製造することも可能になり、有機デバイスの性能向上に大きな効果が得られる。

Abstract translation: 尽管富勒烯是有机器件材料有希望的新材料，但是其导电性从绝缘体到半导体的范围广泛，迄今为止尚未知道以高精度控制富勒烯的导电性的方法。 通过在特定温度和气体流量条件下对惰性气体中的富勒烯进行热处理，可以控制杂质浓度，特别是吸附在富勒烯上的氧和水的浓度，从而以高重复性提高富勒烯的导电性。 因此，可以产生具有先前未报告的高导电性的富勒烯，从而可以显着提高有机器件的性能。

公开(公告)号：WO2006075691A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：PCT/JP2006/300357

申请日：2006-01-13

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  横尾 邦義

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  横尾 邦義

IPC: H05H1/24 ,  C01B31/02 ,  H01J27/24 ,  H01J27/22 ,  H01J37/08 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152 ,  H05H2240/10

Abstract: 　内包フラーレンの製造などに用いられる接触電離方式のプラズマ源は、タングステン製の平坦な円板状加熱金属体にイオン生成対象の金属蒸気を噴射して金属イオンを発生していたが、イオン化確率が小さく、十分なイオン電流がとれないという問題があった。 　イオン生成対象の金属蒸気に加熱金属体上で光を照射し金属原子における電子を励起することにした。加熱金属体の材料として、仕事関数の大きいRe、Os、又はIrを用いることにした。さらに、加熱金属体の表面を凹凸状に加工することにより、イオン化確率を高め、大きなイオン電流の取り出しが可能になった。

Abstract translation: 关于用于制造内嵌式富勒烯等的等离子体接触电离方法，通常的做法是将金属蒸汽作为离子产生物体喷射到加热的平板状金属体钨上，从而产生金属 离子。 这个过程提出了低电离概率的问题，并且没有令人满意的离子电流。 为了应对这些问题，用加热的金属体上的金属蒸汽作为离子产生物体照射光，以激发金属原子的电子。 作为加热的金属体的材料，使用Re，Os或Ir，其各自表现出大的功函数。 此外，加热金属体的表面被加工成坚固的形式，从而实现电离概率的提高和强离子电流的提取。

公开(公告)号：WO2005059199A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：PCT/JP2004/019036

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  菅野 洋一

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  菅野 洋一

IPC: C23C14/56

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152 ,  C23C14/56

Abstract: 　真空容器内で内包フラーレンなどの薄膜を堆積する枚葉式の薄膜堆積装置では、堆積基板の交換は、堆積を行うメインチャンバーにゲートバルブを介して接続したロードロックチャンバーを通して一枚づつ交換していた。そのためロードロックチャンバーの真空引き、パージに時間がかかり作業効率が悪かった。また、ステンレスからなる真空容器内壁は、EP処理で表面処理を行っていた。そのため内壁の内部に吸着した水分の真空容器内への放出により真空引きに時間がかかるという問題もあった。 　複数の堆積基板を装着可能な平板状の支持部材をメインチャンバーの軸方向に対し直角に移動可能なように取付けた。支持部材の移動により堆積基板の交換ができ、ロードロックチャンバーが不要になったため、真空引き、パージに要する時間が短縮でき作業効率が向上した。また、メインチャンバー内壁をCRP処理で表面処理することにした。CRP処理したステンレスは、水分やガスが内部に浸入しないので、真空引きの時間がさらに短縮可能になった。

Abstract translation: 当使用用于在真空容器中沉积诸如内嵌富勒烯的薄膜的常规薄片沉积装置时，通过通过闸阀连接的负载锁定室逐个地替换基板到主室，其中沉积是 执行。 因此，需要很长时间才能将负载锁定室抽出并执行清洗，因此工艺效率低。 真空室的不锈钢内壁进行EP处理的表面处理。 结果，内壁吸附的水分被吸附到真空室中，从而增加了抽空时间。 可以在与主室的轴向垂直的方向上可移动地附接有能够附着有沉积基板的平坦的支撑构件。 通过移动支撑构件，可以更换沉积基板，因此不需要负载锁定室。 因此，可以缩短抽真空所需的时间，提高处理效率。 主室的内壁进行CRP处理的表面处理。 由于含水量和气体不渗透到经过CRP处理的不锈钢中，因此进一步缩短了排气时间。

公开(公告)号：WO2005058756A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：PCT/JP2004/018934

申请日：2004-12-17

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  高橋 徳昭 ,  遠藤 善美

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次 ,  高橋 徳昭 ,  遠藤 善美

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0875 ,  B01J2219/0898 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152

Abstract: 　内包フラーレン製造装置において堆積条件を最適化するには、さまざまな形状の堆積基板や、堆積条件を変化させた堆積実験を行う必要がある。 　しかし、従来の内包フラーレン製造装置は、一枚の基板をロードして堆積を行う方式であるため、真空引きとパージ、プラズマの停止や立ち上げに時間がかかり、実験効率が悪いという問題があった。 　複数の基板を装着可能な回転円板を使用して、真空室中で基板の交換ができるようにした。基板を大気中に取り出すことなく、内包フラーレンの成膜を連続して行うことが可能になった。内包フラーレンの生成効率が高い最適の堆積基板や堆積条件を、短期間でみつけることができる。

Abstract translation: 为了优化内生富勒烯生成装置的沉积条件，需要使用在各种沉积条件下具有各种形状的沉积基板进行沉积实验。 然而，传统的内置富勒烯生产装置是其中装载单个基板并进行沉积的类型。 因此，疏散，清除和启动和停止等离子体需要很多时间，从而降低了实验效率。 根据本发明，可以使用其上可以安装基板的旋转盘，并且可以在真空室中进行基板的更换。 不将基板取出到空气中，可以连续地形成内嵌式富勒烯的膜。 可以在短时间内发现最佳的沉积基材和用于生产高效内生富勒烯的最佳沉积条件。

公开(公告)号：WO2005050745A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：PCT/JP2004/017367

申请日：2004-11-22

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次

IPC: H01L31/04

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01D5/26 ,  G01J1/42 ,  H01L29/06 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49194

Abstract: 　性能を落とすことなく小型化が可能で狭いところでも装着できるセンサ、太陽電池等の電気素子と、該電気素子を容易に製造する方法を提供する。 　柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態のものを塗布することにより、半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。 　４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。

Abstract translation: 公开了一种传感器，其尺寸可以降低而不损害性能，甚至可以安装在狭窄的地方，诸如太阳能电池的电气设备，以及用于容易地制造电气设备的方法。 通过在柱状体（2）上真空沉积半导体或通过将半导体的熔体，溶液或凝胶施加到柱状体（2）上，形成半导体涂层（8）。 四根绝缘导线（6），例如连接的四根绝缘导线（6）的条带缠绕在柱状体（2）上。 然后，通过铜真空沉积去除绝缘线（6）中的一个以在空部中形成铜线（9）。 最后，除去与铜线（9）不相邻的另一绝缘线，以通过铝真空沉积在空部分中形成铝线（10）。 通过测量铜和铝线（9,10）之间的电阻，可以确定撞击半导体（8）的光强度。 通过调整四根绝缘线的厚度，可以调节铜和铝线（9,10）的直径和间隔，并且设计和仿真很容易。 如果使用薄的绝缘线（6），则可以制造小尺寸的光学传感器。

公开(公告)号：WO2005020641A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/JP2004/009924

申请日：2004-07-12

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次

IPC: H05B33/12

CPC classification number: C09K11/06 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: A light-emitting element used for display devices and illumination devices has been formed on a flat substrate, and therefore, when such devices are enlarged, production apparatuses also have to be enlarged. Also, a problem involved has been that even a failure of one light-emitting element causes the entire device to fail, making improvement of production yielding difficult. To solve the above problems, light-emitting elements are formed as linear elements, and the linear elements are combined to form a plane light-emitting device. This enables the light-emitting device can be produced by selecting only linear light-emitting elements of good quality, and enlargement of apparatuses and enhancement of production yielding can be expected.

Abstract translation: 用于显示装置和照明装置的发光元件已经形成在平坦的基板上，因此，当这些装置被放大时，制造装置也必须扩大。 此外，涉及的问题在于，即使一个发光元件的故障也导致整个装置发生故障，导致生产难度提高。 为了解决上述问题，将发光元件形成为线性元件，并且将线性元件组合以形成平面发光器件。 这使得能够通过仅选择质量好的线性发光元件来制造发光器件，并且可以预期设备的放大和生产屈服的提高。

公开(公告)号：WO2004060799A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：PCT/JP2003/016994

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社イデアルスター ,  畠山 力三 ,  平田 孝道 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

Inventor： 畠山 力三 ,  平田 孝道 ,  笠間 泰彦 ,  表 研次

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/129 ,  B01J2219/0894 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/152 ,  C23C14/0605

Abstract: 　より収率性よく内包フラーレンを製造することが可能なハロゲン原子内包フラーレンの製造方法及び装置を提供する。　真空容器５０１と、真空容器５０１内にハロゲンガスを導入するガス導入口５０２と、プラズマを発生させるための手段（ＲＦアンテナ５０３）と、該プラズマにフラーレンを導入するための手段（フラーレンオーブン５０４）と、内包フラーレンを堆積させるための堆積プレート５０５と、プラズマにフラーレンを導入するための手段と堆積プレート５０５との間に設けられた磁気フィルタ５０６とを有する。

Abstract translation: 公开了能够以更高的产率制备含有富勒烯的卤素原子的方法和装置。 该装置包括真空室（501），用于向真空室（501）供应卤素气体的气体供给口（502），产生等离子体的装置（RF天线（503））， 富勒烯进入等离子体（富勒炉（504）），沉积板（505），用于沉积其上含有富勒烯的卤素原子，以及磁性过滤器（506），其布置在用于将富勒烯引入等离子体的装置和沉积板 （505）。