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公开(公告)号：WO2013088785A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2012/070764
申请日：2012-08-15
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
CPC classification number: C22F1/16 , C22F1/00 , C23C14/0623 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 高い成膜レートが得られるインジウムスパッタリングターゲットを提供する。スパッタリングされる表面に直線状粒界を有する結晶粒をもち、当該結晶粒の面積割合が６５．１％以上であるインジウム製スパッタリングターゲット部材。
Abstract translation: 提供了获得高成膜速度的铟溅射靶。 铟溅射靶构件在溅射表面具有具有线性晶界的晶粒，并且晶粒的面积分数为至少65.1％。
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公开(公告)号：WO2012029364A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/JP2011/061684
申请日：2011-05-20
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 前川 貴誠 , 遠藤 瑶輔
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。本発明によれば、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ 3 以下であるインジウムターゲットを提供する。当該インジウムターゲットはインジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延することにより製造可能である。
Abstract translation: 提供能够在抑制异常放电的同时保持高溅射速度的铟靶及其制造方法。 根据本发明提供的是一种铟靶，其目标表面的平均结晶粒径为10mm以下; 与平行于轧制方向的平均粒径相比，与轧制方向垂直的平均粒径的比例与从与轧制方向平行的截面观察到的结晶粒子为0.1〜小于0.7， 孔径为50μm以上的空隙以1个/ cm 3以下计数。 该铟靶可以通过在熔融和铸造之后冷轧铟原料来制造。
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公开(公告)号：WO2013103029A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/JP2012/070766
申请日：2012-08-15
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
Abstract: スパッタを開始してから成膜レートが安定するまでに要する時間の短いインジウム製スパッタリングターゲットを提供する。スパッタされる表面の算術平均粗さＲａが５μｍ～７０μｍであるインジウム製スパッタリングターゲット。
Abstract translation: 提供了一种铟溅射靶，其在开始溅射之后稳定成膜速率需要很短的时间。 铟溅射靶的溅射表面上的算术平均粗糙度（Ra）为5μm-70μm。
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公开(公告)号：WO2013042451A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/JP2012/068838
申请日：2012-07-25
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
IPC: C23C14/34
CPC classification number: B23K1/00 , B23K1/19 , B23K35/26 , B23K35/262 , C23C14/3414 , Y10T428/12681 , Y10T428/12708
Abstract: インジウム－錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が良好に抑制された、使用効率が良好な積層構造体及びその製造方法を提供する。積層構造体は、バッキングプレート、インジウム－錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム－錫ロウ材側表面から２．５～３．０ｍｍの厚み範囲における錫濃度が、５ｗｔｐｐｍ以下である。
Abstract translation: 本发明提供了一种具有良好使用效率的层压结构体，其中锡从铟锡钎焊材料扩散至铟靶材也得到了良好的控制，也是其制造方法。 层叠体包括依次层叠的背板，铟锡钎焊材料和铟靶，锡铟钎焊材料侧的厚度范围为2.5〜3.0mm的锡浓度为5重量ppm以下 铟靶的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2012029363A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/JP2011/061682
申请日：2011-05-20
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 前川 貴誠
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3426 , C22F1/16 , C23C14/14 , C23C14/3414
Abstract: 異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを達成することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。インジウムインゴットの溶解鋳造時の凝固過程において、少なくとも凝固直前状態の溶融インジウム溶液に対して超音波振動を付加することで、結晶粒径の粗大化を抑制する。これにより、全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、板厚方向に平行な断面から観察した結晶粒について、板厚方向に直角方向の平均粒径に対する板厚方向に平行方向の平均粒径の比が０．７～１．１であり、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ 3 以下のインジウムターゲットが提供される。
Abstract translation: 本发明提供能够在抑制异常放电的同时实现高溅射速度的铟靶，以及铟靶的制造方法。 在通过熔融铸造制造铟锭的凝固过程中，至少在熔融铟固化之前，对熔融铟施加超声波振动，以抑制铟晶粒尺寸的粗大化。 结果，铟靶的总平均晶粒尺寸不大于10mm，并且当从与铟的厚度方向平行的方向截取的铟靶的截面观察铟靶的晶粒时 目标相对于铟靶在与厚度方向垂直的方向上的平均粒径相对于厚度方向平行方向的铟靶的平均粒径的比例为0.7〜1.1。 铟靶具有1孔/ cm 3以下的密度的直径为50μm以上的孔。
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公开(公告)号：WO2012029355A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/JP2011/060969
申请日：2011-05-12
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 前川 貴誠 , 遠藤 瑶輔
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/14 , B22D7/005 , B22D21/027 , B22D23/00 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下である。
Abstract translation: 提供可以有利地抑制异常放电的发生的铟靶，以及铟靶的制造方法。 铟靶具有算术平均粗糙度（Ra）小于或等于1.6μm的目标表面。
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公开(公告)号：WO2012144089A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/JP2011/065587
申请日：2011-07-07
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。インジウムターゲットは、粒径が０．５～２０μｍの介在物を１５００個／ｇ以下含む。
Abstract translation: 提供：一种新颖的铟靶，其可以令人满意地最小化溅射期间的异常放电和成型膜中的颗粒的出现; 及其制造方法。 该铟靶每克含有多达1500个粒径为0.5至20μm的夹杂物。
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公开(公告)号：WO2012117579A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/JP2011/065585
申请日：2011-07-07
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , Y10T29/49991
Abstract: 成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比（長手方向の長さ／短手方向の長さ）が２．０以下であるインジウムターゲット。
Abstract translation: 提供一种铟靶，其初始放电电压低的成膜速度高，此外，从溅射开始到完成，成膜速度稳定，放电电压稳定。 还提供了制造铟靶的方法。 当从目标的横截面方向观察时，铟靶具有2.0以下的晶粒长宽比（长度方向/长度方向）。
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公开(公告)号：WO2012108074A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/JP2011/070388
申请日：2011-09-07
Applicant: JX日鉱日石金属株式会社 , 遠藤 瑶輔 , 坂本 勝
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。ターゲットの一方の表面から他方の表面にかけてターゲットの厚さ方向に延びる柱状晶組織を有し、柱状晶組織の体積含有率が９０～１００％であるインジウムターゲット。
Abstract translation: 提供了一种铟靶，其中从溅射开始到结束的沉积速率以及放电电压和其它溅射性质保持稳定; 以及该靶的制造方法。 该铟靶具有从靶的一个表面向靶的厚度方向的另一个表面延伸的柱状晶体结构，柱状晶体结构的体积含量构成靶的90〜100％。
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