公开(公告)号：WO2018094022A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/US2017/061975

申请日：2017-11-16

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： YOSHIDOME, Goichi ,  MILLER, Keith A. ,  TAVASSOLI, Hamid ,  TOMKO, Andrew

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/046 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3447

Abstract: Embodiments of collimators and process chambers incorporating same are provided herein. In some embodiments, a collimator for use in a substrate processing chamber includes a ring; an adapter surrounding the ring and having an inner annular wall; and a plurality of spokes extending from the inner annular wall and intersecting at a central axis of the collimator.

公开(公告)号：WO2017108271A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/EP2016/077709

申请日：2016-11-15

Applicant: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH

Inventor： SIMONS, Christoph ,  HERZOG, Andreas ,  SCHULTHEIS, Markus ,  SCHOTT, Anna

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01G25/02 ,  C01P2002/72 ,  C23C14/08

Abstract: The present invention relates to a sputtering target, which comprises a zirconium oxide as a sputtering material, wherein the zirconium oxide -has an oxygen deficiency, compared to the oxygen content of its fully oxidized form, of at least 0.40 wt%, -has a total amount of metal elements other than zirconium of less than 3.0 wt%, based on the total amounts of metal elements including zirconium, and -has an X-ray powder diffraction pattern having a peak P1 at 28.2° +/-0.2° 2-theta, a peak P2 at 31.4° +/-0.2° 2-theta, and a peak P3 at 30.2° +/-0.2° 2-theta.

Abstract translation: 溅射靶技术领域本发明涉及溅射靶，其包含作为溅射材料的氧化锆，其中氧化锆与其完全氧化形式的氧含量相比具有氧不足 基于包括锆在内的金属元​​素的总量，具有小于3.0重量％的除锆以外的金属元素的总量为至少0.40重量％，并且具有在28.2的峰值P1的X射线粉末衍射图 ＆度; +/- 0.2＆度; 2θ，在31.4°处的峰P2， +/- 0.2＆度; 2θ和在30.2°处的峰值P3。 +/- 0.2＆度; 2-θ。

公开(公告)号：WO2016187011A2

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/US2016/032370

申请日：2016-05-13

Applicant: MATERION CORPORATION

Inventor： MA, Longzhou ,  YANG, Xingbo ,  STOJAKOVIC, Dejan ,  TESTANERO, Arthur V. ,  KOMERTZ, Matthew J.

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B24C1/003 ,  B24C1/08 ,  B24C11/00 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

Abstract: Methods for finishing a sputtering target to reduce particulation and to reduce burn-in time are disclosed. The surface of the unfinished sputtering target is blasted with beads to remove machining-induced defects. Additional post-processing steps include dust blowing-off, surface wiping, dry ice blasting, removing moisture using hot air gun, and annealing, resulting in a homogeneous, ultra-clean, residual-stress-free, hydrocarbon chemicals-free surface.

Abstract translation: 公开了用于完成溅射靶以减少微粒和减少燃烧时间的方法。 未完成的溅射靶的表面用珠喷射以去除加工引起的缺陷。 额外的后处理步骤包括除尘，表面擦拭，干冰喷砂，使用热风枪除去水分和退火，导致均匀的，超清洁的，无残留应力的无烃化学品表面。

公开(公告)号：WO2016183502A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/US2016/032499

申请日：2016-05-13

Applicant: MATERION CORPORATION

Inventor： YANG, Xingbo ,  STOJAKOVIC, Dejan ,  KOMERTZ, Matthew J. ,  TESTANERO, Arthur V.

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C19/07 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/3322

Abstract: Methods for making a high purity (>99.99%) and low oxygen (

Abstract translation: 含有Co，CoFe，CoNi，CoMn，CoFeX（X = B，C，Al），Fe，FeNi或Ni合金的高纯度（> 99.99％）和低氧（<40ppm）溅射靶的方法， 公开了由硼金属间化合物构成的柱状微结构。 通过定向铸造金属合金的熔融混合物，退火以除去残余应力，切片和任选的退火和精加工来制造溅射靶，以获得溅射靶。

公开(公告)号：WO2016152349A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/JP2016/054839

申请日：2016-02-19

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山口　洋平 ,  角田　浩二

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、前記焼結体に存在するクラックの平均長さが３μｍ以上、１５μｍ以下であることを特徴とするＩＧＺＯ焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

Abstract translation: 该氧化物烧结体包括铟（In），镓（Ga），锌（Zn），氧（O）和不可避免的杂质，并且是具有烧结体中存在的平均裂纹长度的IGZO烧结体， 超过3μm但不大于15μm。 本发明解决了提供一种能够通过减少靶中裂纹发生而形成优异薄膜的溅射靶的问题，并且通过DC溅射进行沉积时减少了颗粒的产生。

公开(公告)号：WO2016129457A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/JP2016/053064

申请日：2016-02-02

Applicant: 日本イットリウム株式会社

Inventor： 佐藤　龍一 ,  深川　直樹 ,  重吉　勇二 ,  松倉　賢人

IPC: C23C4/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C24/08

CPC classification number: C23C4/10 ,  C23C4/04 ,  C23C4/11 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/26 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C24/082

Abstract: 　本発明の成膜用粉末は、希土類元素のオキシフッ化物（Ｌｎ－Ｏ－Ｆ）を含有する成膜用粉末であって、粉末の平均粒子径（Ｄ 50 ）が、０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、水銀圧入法により測定した直径１０μｍ以下の細孔の容積が０．１ｃｍ 3 ／ｇ以上０．５ｃｍ 3 ／ｇ以下であり、かつ粉末のＣｕ－Ｋα線又はＣｕ－Ｋα 1 線を用いるＸ線回折測定において、２θ＝２０度～４０度の範囲に観察される希土類元素の酸化物（Ｌｎ x Ｏ y ）の最大ピークの強度（Ｓ０）と、同範囲に観察される希土類元素のオキシフッ化物（Ｌｎ－Ｏ－Ｆ）の最大ピーク強度（Ｓ１）との比（Ｓ０／Ｓ１）が１．０以下である。

Abstract translation: 用于成膜的粉末包含稀土元素（Ln-O-F）的氟氧化物。 该粉末的平均粒径（D50）为0.1μm〜10μm（以下），通过水银侵蚀法测定的直径为10μm以下的孔的体积为0.1cm 3 / g〜0.5cm 3 / g（含）。 在使用Cu-Kα射线或Cu-Kα1射线的该粉末的X射线衍射测定中，稀土元素的氧化物（LnxOy）的最大峰强度（S0） 相对于在相同范围内观察到的稀土元素（Ln-OF）的氟氧化物的最大峰强度（S1）为2θ= 20-40°，即S0 / S1为1.0以下。

公开(公告)号：WO2016120002A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/000092

申请日：2016-01-20

Applicant: PLANSEE COMPOSITE MATERIALS GMBH

Inventor： POLCIK, Peter ,  WÖRLE, Sabine

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  B22F3/12 ,  B22F7/06 ,  C23C14/32

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/12 ,  B22F3/14 ,  B22F7/06 ,  C22C1/05 ,  C22C32/0078 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Beschichtungsquelle zur physikalischen Gasphasenabscheidung, die Beschichtungsquelle umfassend - eine Targetschicht bestehend aus einem wenigstens zweiphasigen Verbundwerkstoff, der eine metallische Phase und wenigstens eine weitere Phase enthält, - eine mechanische Stabilisierungsschicht, welche an einer Seite der Targetschicht mit der Targetschicht verbunden ist, wobei eine erste Pulvermischung, die in ihrer Zusammensetzung dem wenigstens zweiphasigen Verbundwerkstoff entspricht und eine zweite Pulvermischung, die in ihrer Zusammensetzung der mechanischen Stabilisierungsschicht entspricht, in übereinander angeordneten Schichten heiß verdichtet werden.

Abstract translation: 一种制备用于物理气相沉积的涂层源的过程中，涂层源包括： - 目标层由含有金属相和至少一个另外的相位的至少两相的复合材料制成， - 被连接在目标层的一侧到目标层的机械稳定层， 其中，第一粉末混合物，其在其组成对应于所述至少两相复合材料和第二粉末混合物，其在其组成所对应的机械稳定层是热成型的叠加层。

公开(公告)号：WO2016111612A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：PCT/MY2016/050001

申请日：2016-01-05

Applicant: UNIVERSITI MALAYA

Inventor： ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi ,  MANSOR, Mazwan ,  ANUAR, Nur Ameera

IPC: C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: A method of preparing nanocolumns of zinc oxide (ZnO) on silicon substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering is disclosed. The process is performed using ZnO5 targets of 99.999% purity, in the presence of argon and oxygen gases, RF power of 100 to 300 Watt, at substrate temperature of 300 to 600°C and sputtering pressure of 1 to 10 mTorr. The optimum oxygen percentage over total mixture of argon and oxygen found to deposit ZnO layers of uniform thickness, with dense and fine nanocolumns, is 5 to 10% O2. The nanostructured TCO synthesized can be deposited on top of an LED structure to impose10 rough surface properties, which are useful in improving LEE and reducing light loss. In addition, the average optical transmittance of the ZnO film is 78% in the visible range of 470 nm. The present invention demonstrates advantages such as catalyst-free sputter deposition, formation of dense and uniform ZnO nanocolumn arrays, improved LEE and high transmission in visible spectral range, leading to suitable application in blue InGaN-based15 LEDs.

Abstract translation: 公开了一种通过射频（RF）磁控溅射法在硅衬底上制备氧化锌（ZnO）纳米柱的方法。 在氩气和氧气的存在下，使用纯度为99.999％的ZnO5靶，100-300瓦的RF功率，300〜600℃的基板温度，1〜10mTorr的溅射压力，进行该工序。 发现用氩和氧的总混合物的最佳氧气比例为5至10％的氧气，发现它们具有均匀厚度的ZnO层，具有致密和精细的纳米柱。 合成的纳米结构TCO可以沉积在LED结构的顶部，施加10个粗糙的表面性质，这对于改善LEE和减少光损失是有用的。 此外，在470nm的可见光范围内，ZnO膜的平均光透射率为78％。 本发明证明了无催化剂溅射沉积，形成致密且均匀的ZnO纳米柱阵列，改进的LEE和可见光谱范围内的高透射率的优点，导致适用于蓝色InGaN基15 LED。

公开(公告)号：WO2016109007A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/US2015/056930

申请日：2015-10-22

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： WEI, Junqi ,  CAO, Zhitao ,  OW, Yueh Sheng ,  JUPUDI, Ananthkrishna ,  SAVANDAIAH, Kirankumar ,  WANG, Xin ,  THIRUNAVUKARASU, Sriskantharajah

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/12 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0458 ,  C22C14/00 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/247 ,  B22F2202/13

Abstract: Embodiments of the present disclosure include methods and apparatus for controlling titanium-tungsten (TiW) target nodule formation. In some embodiments, a target includes: a source material comprising predominantly titanium (Ti) and tungsten (W), formed from a mixture of titanium powder and tungsten powder, wherein a grain size of a predominant quantity of the titanium powder is less than or equal to a grain size of a predominant quantity of the tungsten powder.

Abstract translation: 本公开的实施例包括用于控制钛 - 钨（TiW）靶结节形成的方法和装置。 在一些实施方案中，靶包括：主要由钛粉末和钨粉末的混合物形成的钛（Ti）和钨（W）的源材料，其中主要量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于 等于主要量的钨粉的粒度。

公开(公告)号：WO2016103114A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/IB2015/059650

申请日：2015-12-16

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山田良則 ,  太田将志

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01G15/006 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3426 ,  H01L29/786

Abstract: 不純物濃度の低い酸化物を有するスパッタリング用ターゲットを提供する。 インジウムと、亜鉛と、元素 Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、 酸素と、を有する混合物を準備する第１のステップと、混合物を、窒素を９０体積％以上１００体積％ 以下の濃度で有する第１の雰囲気で、 第１の温度から第２の温度まで昇温する第２のステップと、 混 合物を、 酸素を１０体積％以上１００体積％以下の濃度で有する第２の雰囲気で、 第２の温度から第 ３の温度まで降温する第３のステップと、を有するスパッタリング用ターゲットの作製方法である。

Abstract translation: 提供了含有杂质浓度低的氧化物的溅射靶。 制造溅射靶的方法包括：制备包含铟，锌，元素M（其中M为铝，镓，钇或锡）和氧的混合物的第一步骤; 第二步，在含有浓度为90体积％至100体积％的氮气的第一气氛中将混合物从第一温度加热至第二温度; 以及在含有10体积％〜100体积％的浓度的氧气的第二气氛中，混合物的温度从第二温度降低到第三温度的第三步骤。