公开(公告)号：WO2012074176A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/KR2011/004399

申请日：2011-06-16

Applicant: 주식회사 선반도체 ,  한석빈 ,  최용규

Inventor： 한석빈 ,  최용규

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 본 발명은 광효율을 극대화시킬 수 있고, 공정의 구현 및 비용을 절감시킬 수 있는 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 태양전지는 표면이 텍스쳐링 처리된 제1도전형 반도체층과; 상기 제1도전형 반도체층의 표면내에 형성된 제1도전형 고농도 반도체층과; 상기 제1도전형 반도체층의 텍스쳐링된 상면과 배면에 각각 형성된 제1, 제2산화막과; 상기 제1도전형 반도체층의 배면에 이격 형성된 복수개의 제1트렌치들과; 상기 제1트렌치의 상측면에 형성된 제3산화막과; 인접한 상기 제1트렌치들 하부의 상기 제1도전형 반도체층에 서로 다른 도전형을 갖고 형성된 제1, 제2도전형 불순물영역과; 상기 제1, 제2도전형 불순물영역에 대응되는 상기 각각 제1트렌치내에 형성된 제1, 제2금속전극으로 구성된 것을 포함하고, 상술한 본 발명은 태양전지의 광효율을 극대화할 수 있고, 잉크젯 방식을 활용하여 공정의 구현 및 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种太阳能电池，该太阳能电池可以最大限度地提高光效率并且可以节省工艺实施和成本，并且还提供一种太阳能电池的制造方法。 本发明的太阳能电池包括：表面纹理化的第一导电半导体层; 第一导电高密度半导体层，其形成在第一导电半导体层的表面内; 分别形成在第一导电半导体层的纹理化的上表面和后表面上的第一和第二氧化物膜; 多个第一沟槽，其间隔地形成在所述第一导电半导体层的背面上; 形成在第一沟槽的顶侧表面上的第三氧化物膜; 形成为在相邻的第一沟槽下方的第一导电半导体层中具有相互不同形式的导电性的第一和第二导电杂质区; 以及形成在每个第一沟槽内的第一和第二金属电极，对应于第一和第二导电杂质区。 本发明的优点在于，其可以使太阳能电池的光效最大​​化，并且可以利用喷墨技术来节省工艺实施和成本。