Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikvorrichtung vorgeschlagen, wobei die Photovoltaikvorrichtung mindestens zwei Halbleiterschichten aufweist und wobei die Halbleiterschichten Poren, Risse oder feine Löcher aufweisen, wobei die Halbleiterschichten in Substratkonfiguration nacheinander auf einer flexiblen Trägerschicht und einer ersten unedlen metallischen Kontaktelektrode ausgebildet werden und wobei die Poren, Risse und feinen Löcher mittels kathodischer Abscheidung beziehungsweise mittels einer Elektro-Reduktions-Polymerisation eines elektrischen Isolators gefüllt werden.
Abstract:
Es wird eine Photovoltaikvorrichtung (2) vorgeschlagen, umfassend eine metallische Trägerschicht (14) und eine erste elektrisch isolierende Schicht (15), eine erste Kontaktschicht (10), eine erste Halbleiterschicht (11) aus CdTe, eine zweite Halbleiterschicht (12) aus CdS, eine lichtdurchlässige zweite Kontaktschicht (13) und eine lichtdurchlässige und elektrisch isolierende Deckschicht (17), wobei die metallische Trägerschicht (14) und sämtliche weiteren Schichten (15, 10, 11, 12, 13, 17) als flexible dünne Schichten und/oder Folien ausgebildet sind und wobei die weiteren Schichten (15, 10, 11, 12, 13, 17) in einem mehrstufigen Beschichtungs- oder Bedruckungsverfahren nacheinander auf der metallischen Trägerschicht (14) angeordnet sind. Die Photovoltaikvorrichtung (2) kann in einer Anlage ähnlich einer Mehrfarbensiebdruckmaschine hergestellt werden. Die Photovoltaikvorrichtung (2) zeichnet sich aus durch ein geringes Gewicht, eine hohe Flexibilität und niedrige Herstellkosten.
Abstract:
A photovoltaic device and a method for producing it are proposed, wherein the photovoltaic device has at least two semiconductor layers and wherein the first semiconductor layer has defects such as pores, cracks or fine holes, wherein the semiconductor layers are formed in substrate configurations successively on a first base metallic contact electrode of a flexible carrier layer, and wherein the defects of the first semiconductor layer are filled by means of cathodic deposition and by means of a reducing electropolymerization of an electrical insulator, and wherein a high selectivity of the filling is ensured.
Abstract:
Es wird eine Photovoltaikvorrichtung und ein Verfahren deren Herstellung vorgeschlagen, wobei die Photovoltaikvorrichtung mindestens zwei Halbleiterschichten aufweist und wobei die erste Halbleiterschicht Defekte wie Poren, Risse oder feine Löcher aufweiset, wobei die Halbleiterschichten in Substratkonfiguration nacheinander auf einer ersten unedlen metallischen Kontaktelektrode einer flexiblen Trägerschicht ausgebildet werden und wobei die Defekte der ersten Halbleiterschicht mittels kathodischer Abscheidung und mittels einer reduzierenden Elektropolymerisation eines elektrischen Isolators gefüllt werden und wobei eine hohe Selektivität der Füllung gewährleistet ist.