公开(公告)号：WO2014036485A3

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/US2013057664

申请日：2013-08-30

Applicant: FIRST SOLAR MALAYSIA SDN BHD ,  LUCAS TAMMY JANE ,  CORWINE CAROLINE RAE ,  CLARK LAURA ANNE ,  METZGER WYATT KEITH ,  SADEGHI MEHRAN ,  COLE MICHAEL CHRISTOPHER ,  TRENTLER TIMOTHY JOHN

Inventor： LUCAS TAMMY JANE ,  CORWINE CAROLINE RAE ,  CLARK LAURA ANNE ,  METZGER WYATT KEITH ,  SADEGHI MEHRAN ,  COLE MICHAEL CHRISTOPHER ,  TRENTLER TIMOTHY JOHN

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01B1/24 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

Abstract: Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid.

Abstract translation: 提供了在薄膜光伏器件上形成背接触的方法。 该方法可以包括：将导电浆料施加到由p-n结的p型吸收层（碲化镉）限定的表面上; 并且固化导电浆料以在表面上形成导电涂层，使得在固化期间，来自导电浆料的酸反应以使碲表面富集，但在固化过程中基本消耗。 导电浆料可以包括导电材料，任选的溶剂体系和粘合剂。 还提供了薄膜光伏器件，例如具有基本上不含酸的导电涂层的光电器件。

公开(公告)号：WO2015095607A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/US2014/071301

申请日：2014-12-18

Applicant: URIEL SOLAR, INC.

Inventor： GARNETT, James, David ,  DINGUS, Peter

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0687

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: The present disclosure provides thin film solar cell structures that can achieve dramatically improved power conversion efficiencies in relation to other thin film solar cell structures. The application of tandem solar cells composed of poly-crystalline Group II- VI (e.g., CdTe-based alloy) solar cells under low temperature deposition can achieve practical efficiencies above 25% in a low cost, high through-put, large area production environment. A poly- crystalline Group II- VI (e.g., CdTe-based alloy) solar cell can be deposited in tandem with a crystalline or multi-crystalline silicon p-type substrate with embedded n-type emitter on the deposition side of the substrate. This low temperature poly-crystalline/crystalline approach can allow for the development of a substantially efficient tandem solar cell produced in a relatively low cost, high through-put, large area production environment.

Abstract translation: 本公开提供了薄膜太阳能电池结构，其可以实现相对于其它薄膜太阳能电池结构显着提高的功率转换效率。 在低温沉积下由多晶组II-VI（例如CdTe基合金）太阳能电池组成的串联太阳能电池的应用可以在低成本，高通量，大面积生产环境中实现25％以上的实际效率 。 多晶II-VI族（例如CdTe基合金）太阳能电池可以与在衬底的沉积侧上具有嵌入式n型发射极的晶体或多晶硅p型衬底串联沉积。 这种低温多晶/晶体方法可以允许在相对低成本，高通量，大面积生产环境中生产的基本上有效的串联太阳能电池的开发。

公开(公告)号：WO2015017629A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/US2014/049077

申请日：2014-07-31

Applicant: FIRST SOLAR, INC.

Inventor： FELDMAN-PEABODY, Scott Daniel ,  PAVOL, Mark Jeffrey ,  GOSSMAN, Robert Dwayne ,  LITA, Bogdan ,  KRUSE, Nathan John ,  FLOOD III, John Milton ,  HILL, Valerie Pflumio

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/073 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

Abstract: Thin film photovoltaic devices that include a transparent substrate; a transparent conductive oxide layer on the transparent substrate; a n-type window layer on the transparent conductive oxide layer; a p-type absorber layer on the n-type window layer; and, a back contact on the p-type absorber layer are provided. The p-type absorber layer comprises cadmium telluride, and forms a photovoltaic junction with the n-type window layer. Generally, the p-type absorber layer defines a plurality of finger structures protruding from the p-type absorber layer into the back contact. The finger structures can have an aspect ratio of about 1 or greater and/or can have a height that is about 20% to about 200% of the thickness of the p-type absorber layer. Methods of forming such finger structures protruding from a back surface of the p-type absorber layer are also provided.

Abstract translation: 包括透明基板的薄膜光伏器件; 在透明基板上的透明导电氧化物层; 透明导电氧化物层上的n型窗口层; n型窗口层上的p型吸收层; 并且提供了p型吸收层上的背面接触。 p型吸收层包括碲化镉，并与n型窗口层形成光伏结。 通常，p型吸收层限定了从p型吸收层向后接触突出的多个手指结构。 指状结构可以具有约1或更大的纵横比和/或可以具有约p-型吸收层厚度的约20％至约200％的高度。 还提供了形成从p型吸收层的背面突出的这种手指结构的方法。

公开(公告)号：WO2014123806A3

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/US2014014419

申请日：2014-02-03

Applicant: FIRST SOLAR INC

Inventor： TRIVEDI JIGISH ,  POWELL RICK ,  DAMJANOVIC DAN ,  GUO JING ,  ZHAO ZHIBO ,  LIAO FENG ,  KARPENKO OLEH ,  JAYARAMAN SREENIVAS ,  LIM CHONG

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A photovoltaic device (100) including a protective layer (114) between a window layer (112) and an absorber layer (116), the protective layer inhibiting dissolving/intermixing of the window layer into the absorber layer during a device activation step, and methods of forming such photovoltaic devices.

Abstract translation: 一种光伏器件（100），包括在窗口层（112）和吸收层（116）之间的保护层（114），所述保护层在器件激活步骤期间抑制了窗口层在吸收层中的溶解/混合，以及 形成这种光伏器件的方法。

公开(公告)号：WO2014121187A3

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/US2014014414

申请日：2014-02-03

Applicant: FIRST SOLAR INC

Inventor： DAMJANOVIC DAN ,  LIAO FENG ,  POWELL RICK ,  SHAO RUI ,  TRIVEDI JIGISH ,  ZHAO ZHIBO

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/028

CPC classification number: H01L31/02966 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A photovoltaic device includes a substrate structure and a p-type semiconductor absorber layer, the substrate structure including a CdSSe layer. A photovoltaic device may alternatively include a CdSeTe layer. A process for manufacturing a photovoltaic device includes forming a CdSSe layer over a substrate by at least one of sputtering, evaporation deposition, CVD, chemical bath deposition process, and vapor transport deposition process. The process includes forming a p- type absorber layer above the CdSSe layer.

Abstract translation: 光电器件包括衬底结构和p型半导体吸收层，该衬底结构包括CdSSe层。 光电器件可以替代地包括CdSeTe层。 制造光伏器件的方法包括通过溅射，蒸发沉积，CVD，化学浴沉积工艺和蒸气迁移沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSSe层。 该方法包括在CdSSe层上形成p型吸收层。

公开(公告)号：WO2014144120A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/US2014/028402

申请日：2014-03-14

Applicant: FIRST SOLAR, INC.

Inventor： CHRISTENSEN, Scott ,  MROZEK, Pawel ,  XIONG, Gang ,  YU, San

IPC: B08B6/00

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A method to improve CdTe-based photovoltaic device efficiency is disclosed, the method including steps for removing surface contaminants from a semiconductor absorber layer prior to the deposition or formation of a back contact layer on the semiconductor absorber layer, the surface contaminants removed using at least one of a dry etching process and a wet etching process.

Abstract translation: 公开了一种改善CdTe基光伏器件效率的方法，该方法包括在半导体吸收层上沉积或形成背接触层之前从半导体吸收体层除去表面污染物的步骤，至少使用至少去除表面污染物 干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺之一。

公开(公告)号：WO2014125902A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/051509

申请日：2014-01-24

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 西井　洸人 ,  渡邉　太一 ,  山本　祐輔 ,  寺地　誠喜 ,  河村　和典

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 　大面積素子を作製する場合であっても、変換効率に優れるＣＩＧＳ膜を、低コストで再現性よく製造できるＣＩＧＳ膜の製法およびそれを含むＣＩＧＳ太陽電池の製法を提供するため、インジウムとガリウムとセレンとを含む層（Ａ）と、銅とセレンとを含む層（Ｂ）を、固相状態でこの順で基板に積層する積層工程と、上記層（Ａ）および層（Ｂ）が積層された積層体を加熱し、上記層（Ｂ）を溶融させ液相状態とすることにより、上記層（Ａ）中に上記層（Ｂ）中の銅を拡散させ、結晶成長させる加熱工程とを有するＣＩＧＳ膜の製法であって、上記層（Ａ）の形成を、セレン化ガリウム膜（Ｙ）とセレン化インジウム膜（Ｘ）とをこの順で積層することを繰り返して行い、かつ、上記セレン化ガリウム膜（Ｙ）とセレン化インジウム膜（Ｘ）の膜厚比（Ｙ／Ｘ）を、積層を繰り返すごとに小さくなるよう設定した。

Abstract translation: 提供：CIGS膜制造方法，其中即使制造大面积元件，也能以低成本低变化地制造显示出优异转换效率的CIGS膜; 以及使用所述CIGS膜制造方法的CIGS-太阳能电池制造方法。 所述CIGS膜的制造方法具有以下步骤：层叠步骤，其中将含有铟，镓和硒的层（A）和含有铜和硒的层（B）依次层压到基板上， 阶段状态 加热步骤，其中层压体含有层A和B被加热以熔化层B，产生液相状态，使铜从层B扩散到层A中，并引起晶体生长。 通过重复层叠工艺形成层A，其中依次层叠硒化镓膜（Y）和硒化铟膜（X），并且硒化镓膜的厚度（Y / X） ），并且每次重复层压处理时，硒化铟膜（X）的厚度减小。

公开(公告)号：WO2014100138A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013/076047

申请日：2013-12-18

Applicant: FIRST SOLAR, INC.

Inventor： CHOI, Jongwoo ,  PENG, Hongying ,  CAO, Jinbo

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: An article, such as a photovoltaic device, and methods for making such articles, are provided. For example, one embodiment is an article comprising a plurality of layers comprising an absorber layer and a window stack. The window stack comprises antimony.

Abstract translation: 提供了诸如光伏器件的制品以及制造这种物品的方法。 例如，一个实施例是包括多个层的制品，包括吸收层和窗帘。 窗户堆叠包括锑。

公开(公告)号：WO2014089557A2

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/US2013073869

申请日：2013-12-09

Applicant: FIRST SOLAR MALAYSIA SDN BHD ,  CAO JINBO ,  CHOI JONGWOO ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  XIN QIANQIAN ,  XU SHENG

Inventor： CAO JINBO ,  CHOI JONGWOO ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  XIN QIANQIAN ,  XU SHENG

CPC classification number: H01L31/0445 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: A photovoltaic device is presented. The photovoltaic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an interlayer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, wherein the interlayer includes gadolinium. Methods of making photovoltaic devices are also presented.

Abstract translation: 介绍了光伏器件。 光电器件包括第一半导体层，第二半导体层和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的中间层，其中中间层包括钆。 还介绍了制造光伏器件的方法。

公开(公告)号：WO2014036500A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/US2013/057687

申请日：2013-08-30

Applicant: FIRST SOLAR MALAYSIA SDN. BHD. ,  FOUST, Donald Franklin ,  CAO, Hongbo ,  CLARK, Laura Anne ,  GARBER, Robert Andrew ,  FELDMAN-PEABODY, Scott Daniel ,  METZGER, Wyatt Keith ,  SHAN, Yinghui ,  SHUBA, Roman

Inventor： FOUST, Donald Franklin ,  CAO, Hongbo ,  CLARK, Laura Anne ,  GARBER, Robert Andrew ,  FELDMAN-PEABODY, Scott Daniel ,  METZGER, Wyatt Keith ,  SHAN, Yinghui ,  SHUBA, Roman

IPC: H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/02963 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543

Abstract: Photovoltaic devices are presented. A photovoltaic device includes a window layer and a semiconductor layer including a semiconductor material disposed on window layer. The semiconductor layer includes a first region and a second region, the first region disposed proximate to the window layer, and the second region including a chalcogen-rich region, wherein the first region and the second region include a dopant, and an average atomic concentration of the dopant in the second region is greater than an average atomic concentration of the dopant in the first region.

Abstract translation: 介绍了光伏器件。 光电器件包括窗口层和包括设置在窗口层上的半导体材料的半导体层。 所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置在所述窗口层附近，所述第二区域包括富硫族元素区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且平均原子浓度 在第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。