KENNZEICHNUNGSVORRICHTUNG UND KENNZEICHNUNGSVERFAHREN
    1.
    发明申请
    KENNZEICHNUNGSVORRICHTUNG UND KENNZEICHNUNGSVERFAHREN 审中-公开
    识别装置和认证过程

    公开(公告)号:WO2006007901A1

    公开(公告)日:2006-01-26

    申请号:PCT/EP2005/006221

    申请日:2005-06-09

    Inventor: KELLER, Wolfgang

    CPC classification number: B41J3/36

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine, Kennzeichnungsvorrichtung (10) zum Kennzeichnen zumindest einer Fläche eines Gegenstandes, wobei sich die Kennzeichnungsvorrichtung (10) und die Fläche relativ zueinander bewegen, umfassend: - eine Detektionsvorrichtung (32), welche ausgelegt ist eine Vergleichsgröße zu detektieren, wobei die Vergleichsgröße eine Funktion einer Relativgeschwindigkeit v zwischen der Kennzeichnungsvorrichtung (10) und der Fläche des Gegenstandes ist und - zumindest eine Druckvorrichtung (14), wobei die zumindest eine Druckvorrichtung (14) ausgelegt ist, den Gegenstand unter Berücksichtigung der ermittelten Vergleichsgröße kontaktlos zu bedrucken. Ferner betrifft die Erfindung ein Kennzeichnungsverfahren sowie eine Steuervorrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于识别物品的至少一个表面,其中,所述标记装置(10)和相对于彼此,其特征在于所述表面移动标记装置(10): - 一个检测其适于检测参考值装置(32),其中,所述 比较变量是所述识别装置(10)和所述物体和表面之间的相对速度v的函数 - 的至少一个打印装置(14),其中,所述至少一个打印装置(14)适合于打印目的,考虑到不接触来确定所述比较的变量。 此外,本发明涉及一种标记方法和控制装置。

    TRANSISTOR CELL
    3.
    发明申请
    TRANSISTOR CELL 审中-公开
    晶体管单元

    公开(公告)号:WO03007371A3

    公开(公告)日:2003-09-18

    申请号:PCT/EP0207306

    申请日:2002-07-02

    CPC classification number: H01L23/367 H01L23/3677 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a transistor cell, characterized in that for the individual transistors of said transistor cell a heat dissipation adapted to the temperature conditions of the cell in operation is provided. Heat dissipation can for example be specifically reduced for the transistors at the edge of a cell which are colder so that they reach the same temperature as the transistors in the center of the cell which are hotter. This can be achieved without substantially increasing the temperature of the hottest transistors.

    Abstract translation: 根据本发明的晶体管单元是基于适合于散热的操作温度条件下,提供一种用于在晶体管单元的各个晶体管的考虑。 因此,冷却器本身的散热,例如,晶体管可以被选择性地在小区的边缘劣化,以使它们达到相同的温度如在单元的中心较温暖本身晶体管。 这可以实现,而不最热晶体管实质上增加的温度。

    SCHWINGUNGSAUFNEHMER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DERARTIGEN SCHWINGUNGSAUFNEHMERS
    4.
    发明申请
    SCHWINGUNGSAUFNEHMER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DERARTIGEN SCHWINGUNGSAUFNEHMERS 审中-公开
    振动传感器和方法用于制造这样的振动传感器

    公开(公告)号:WO2012110160A1

    公开(公告)日:2012-08-23

    申请号:PCT/EP2011/074191

    申请日:2011-12-28

    Inventor: KELLER, Wolfgang

    CPC classification number: G01L23/222

    Abstract: Die Erfindung schafft einen Schwingungsaufnehmer (1), insbesondere einen Klopfsensor (1), mit: einer Druckhülse (2), welche einen Hülsenabschnitt (3) und einen Anlageabschnitt (4) aufweist, wobei die Druckhülse (2) mittels einer Anlagefläche (22) mit einem Schwingungen verursachenden Bauteil (25) wirkverbindbar ist; einem Detektionsmittel (28), welches den Hülsenabschnitt (3) zumindest abschnittsweise umgreift; einer seismischen Masse (31), welche den Hülsenabschnitt (3) zumindest abschnittsweise umgreift; und einer Federeinrichtung (32), welche das Detektionsmittel (28) und die seismische Masse (31) zwischen dem Anlageabschnitt (4) und einem Vorsprung (12) des Hülsenabschnittes (3) unter einer in einer Axialrichtung (x) der Druckhülse (3) wirkenden Vorspannung hält, wobei die Druckhülse (2) mehrteilig mit dem Hülsenabschnitt (3) und dem von diesem getrennt ausgebildeten Anlageabschnitt (4) ausgebildet ist, wobei der Hülsenabschnitt (3) und der Anlageabschnitt (4) zum Bilden der Druckhülse (2) miteinander wirkverbunden sind. Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Schwingungsaufnehmers (1).

    Abstract translation: 本发明提供一种振动换能器(1),特别是爆震传感器(1),包括:具有套筒部分(3)和抵接部(4)的压力套筒(2),其中,所述压力套(2)由一支承表面的装置(22) 可操作地与振动引起部件(25)相连; 一个检测装置,其至少包围所述套筒部分(3)在第(28); 其中至少围绕所述套筒部分(3)在第一个地震震动质量(31); 和一个弹簧装置(32)连接下一个轴承部(4)和套筒部分(3)的突起(12)之间的检测装置(28)和惯性质量(31)在轴向方向(X)的压缩套筒(3)的 保持作用预应力,其特征在于,所述压力套(2)是多片与所述套筒部分(3)和所述从该分别地形成的轴承部(4),其中,所述套筒部分(3)和用于与彼此形成压力套筒(2)的轴承部(4) 可操作地连接。 本发明进一步提供了一种用于制造这样的振动传感器(1)的方法。

    FER A REPASSER A VAPEUR COMPRENANT UN RESERVOIR MUNI D'UN DISPOSITIF DE SECURITE CONTRE LES SURPRESSIONS
    5.
    发明申请
    FER A REPASSER A VAPEUR COMPRENANT UN RESERVOIR MUNI D'UN DISPOSITIF DE SECURITE CONTRE LES SURPRESSIONS 审中-公开
    带有罐的蒸汽熨斗包括过压安全装置

    公开(公告)号:WO2008110897A1

    公开(公告)日:2008-09-18

    申请号:PCT/IB2008/000566

    申请日:2008-02-28

    CPC classification number: D06F75/14 D06F75/18

    Abstract: Fer à repasser à vapeur comprenant un boîtier renfermant un réservoir (5) surmontant un corps chauffant et un dispositif de sécurité protégeant le réservoir (5) contre les surpressions, le corps chauffant (3) comportant une chambre de vaporisation alimentée en liquide du réservoir (5) par un circuit d'alimentation, caractérisé en ce que ledit circuit d'alimentation comporte un élément (93) s'étendant à l'intérieur du réservoir (5) et comportant une ouverture (12) obturée par un clapet (94A), ledit clapet (94A) libérant un passage au travers de ladite ouverture (12) lorsque la pression régnant à l'intérieur du réservoir (5) atteint une valeur prédéterminée.

    Abstract translation: 本发明涉及一种蒸汽熨斗,其包​​括壳体,该壳体包括在加热体上方的罐(5)和保护罐(5)免受过压的安全装置,所述加热体(3)包括从所述蒸发室供应液体 罐(5),其特征在于,所述供应回路包括在罐(5)内部延伸并具有由阀(94A)阻挡的开口(12)的构件(93),所述阀(94A)打开 当罐(5)内的压力达到预定值时,通过所述开口(12)。

    TRANSISTORZELLE
    7.
    发明申请
    TRANSISTORZELLE 审中-公开
    晶体管单元

    公开(公告)号:WO2003007371A2

    公开(公告)日:2003-01-23

    申请号:PCT/EP2002/007306

    申请日:2002-07-02

    CPC classification number: H01L23/367 H01L23/3677 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: Die erfindungsgemässe Transistorzelle basiert auf der Überlegung, dass für die Einzeltransistoren in einer Transistorzelle eine an die Temperaturverhältnisse im Betrieb angepasste Wärmeableitung vorgesehen ist. So kann beispielsweise die Wärmeableitung der an sich kälteren Transistoren am Rand der Zelle gezielt verschlechtert werden, so dass sie die gleiche Temperatur erreichen wie die an sich wärmeren Transistorenin der Mitte der Zelle. Dies kann erreicht werden, ohne dass die Temperatur der heissesten Transistorenwesentlich erhöht wird.

    Abstract translation:

    AUML本发明&;基于所述导航用途berlegung使得f导航使用SSE晶体管单元R中的晶体管的各个晶体管单元A〜Temperaturverh BEAR-关系在操作过程中适于WÄ被rmeableitung提供。 例如,WÄ rmeableitung的本身在小区的边缘ķ高级晶体管具体劣化,从而使它们达到相同的温度本身瓦特在小区的中心BEAR较差晶体管。 这可以在不显着增加最热晶体管温度的情况下完成。

    THERMOPLASTIC SILICON BLOCK COPOLYMERS, THE PRODUCTION THEREOF AND THE USE OF THE SAME
    8.
    发明申请
    THERMOPLASTIC SILICON BLOCK COPOLYMERS, THE PRODUCTION THEREOF AND THE USE OF THE SAME 审中-公开
    热塑性硅块,生产和使用

    公开(公告)号:WO0250167A3

    公开(公告)日:2002-11-07

    申请号:PCT/EP0114708

    申请日:2001-12-13

    Abstract: The invention relates to thermoplastic silicon block copolymers containing (A) a hard segment polymer constituent selected from the group consisting of polystyrene, polymethylmethacrylate, polybutylacrylate, polyacrylonitrile, vinyl copolymers and mixed polymers of said polymers, and (B) a soft segment polymer constituent of general formula (I) G-[(SiR2O)mSiR2-X-]n(SiR2O)mSiR2-G (I) wherein R and X have the designation cited in claim 1, and G can be the same or different and represents a radical (A)-Z-(Si) or Z'-(Si) wherein -Z- represents a bivalent radical selected from the group of radicals of formulae (II), (III), (IV), (V), (VI) and (VII), Z'- represents a monovalent radical of formula (VIII) and/or (IX), (A)- represents a bond to the hard segment polymer constituent (A), and (Si)- represents a bond to the silicon atom in (B), provided that there is, at the most, one radical G and one radical Z'- in formula (I). In formula (I), m represents a whole number between 1 and 1000 and n represents 0 or a whole number between 1 and 20, provided that when n does not equal 0 for the product of n and m, 4 m

    Abstract translation: 包括:(A)选自聚苯乙烯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚丙烯酸丁酯,聚丙烯腈,乙烯基共聚物,以及这些聚合物的共聚物,和(B)通式G的软链段的聚合物组分组成的组中的硬链段聚合物组分的热塑性硅氧烷嵌段共聚物 - [(SIR 2 O)mSiR2-X - ] n的(SIR 2 O)mSiR2-G(I),其中R和X具有权利要求1所述的用于该基团给出的含义,G可以相同或不同,并且是基团(a)-Z-(Si)或Z“ - (硅 ),其中-Z-是选自下式的基团中选择的二价基团(II)和Z“是下式基团(III),的一价,其中(a) - (一键与硬链段的聚合物组分(a)和Si ) - 是一个键合到硅原子在(B),条件是式(I)中的不超过一个基团G能够是自由基Z'-。 m是1至1000的整数,n为0或从1到20的整数,适用条件是当n是0不是n和m的乘积:4 米<。 / =第一千

    RÜHRORGAN FÜR ABRASIVE MEDIEN
    10.
    发明申请
    RÜHRORGAN FÜR ABRASIVE MEDIEN 审中-公开
    搅拌器研磨介质

    公开(公告)号:WO2008135225A1

    公开(公告)日:2008-11-13

    申请号:PCT/EP2008/003522

    申请日:2008-04-30

    Inventor: KELLER, Wolfgang

    Abstract: Es wird ein Rührorgan (1; 1 a - 1 h) angegeben, welches insbesondere für abrasive Medien bestimmt ist. Das Rührorgan (1; 1 a - 1 h) umfasst eine Trägerscheibe (2; 2a - 2h), an welcher im wesentlichen senkrecht hierzu und im wesentlichen radial angeordnete Rührorganblätter (3; 3a - 3h) angebunden sind. Ferner umfasst die Trägerscheibe (2; 2a - 2h) eine Nabe, welche eine Rührwelle aufnimmt, welche vorzugsweise motorisch in geeigneter Weise angetrieben ist. Bei dem Rühror- gan(1; 1 a- 1 h) sind die strömungsabgewandten Seiten der Rührorganblätter (3; 3a - 3h) und/oder der Bereich der Blattanbindungen an der Trägerscheibe (2; 2a - 2h) weitgehend wirbelablösungsfrei gestaltet. Hierzu werden bevorzugte geometrische Maßnahmen betreffend die Rührorganblätter (3; 3a - 3h), die Trägerscheibe (2; 2a - 2h) und die Anbindung der Rührorganblätter (3; 3a - 3h) an der Trägerscheibe (2; 2a - 2h) gezeigt und beschrieben.

    Abstract translation: 它是一种搅拌器(1; 1 - 1个小时)中指定的,其目的特别是用于研磨介质。 搅拌器(1; 1 - 1 h)包括一个支撑板(2; 2A - 2H),其基本上垂直于此,并且基本上沿径向布置Rührorganblätter(3; 3A - 3H)被连接。 ( - 2H 2A 2)具有容纳搅拌器轴,其优选电机驱动以合适的方式另外的轮毂中,支撑盘包括。 在Rühror-甘(1; 1 A-1小时)时,Rührorganblätter的流动相对侧(3; 3A - 3H)和/或所述叶片连接到承载板的面积(2; 2A - 2H)设计在很大程度上涡旋脱落免费。 为此,关于Rührorganblätter(3; 3A - 3H)优选几何措施,载体板(2; 2A - 2H)和Rührorganblätter的连接(3; 3A - 3H)到所述支撑板(2; 2A - 2H)示出和描述 ,

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