PROCEDE DE DENSIFICATION DE SUBSTRATS POREUX MINCES PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF DE CHARGEMENT DE TELS SUBSTRATS
    1.
    发明申请
    PROCEDE DE DENSIFICATION DE SUBSTRATS POREUX MINCES PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF DE CHARGEMENT DE TELS SUBSTRATS 审中-公开
    通过蒸气相化学渗透法和多孔底物加载稀薄基底的方法

    公开(公告)号:WO2006087495A1

    公开(公告)日:2006-08-24

    申请号:PCT/FR2006/050141

    申请日:2006-02-16

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/45578 C23C16/4587

    Abstract: Pour réaliser la densificatîon de substrats poreux minces (1) par infiltration chimique en phase vapeur, l'invention propose l'utilisation d'un outillage de chargement (10) comprenant un conduit tubulaire (11) disposé entre des premier et second plateaux (12, 13) et autour duquel sont disposés radialement les substrats minces à densifier. L'outillage ainsi chargé est alors disposé à l'intérieur d'une chambre de réaction (20), d'un four d'infiltration dont l'entrée d'admission en gaz réactif (21) est raccordée au conduit tubulaire (11) pour permettre l'admission d'un gaz réactif dans le conduit qui distribue le gaz le long des faces principales des substrats (1) suivant une direction d'écoulement essentiellement radiale. Le gaz réactif peut également circuler dans l'autre sens, c'est-à-dire être admis dans l'outillage (10) à partir de l'enveloppe externe (16) de celui-ci et être évacué par le conduit (11).

    Abstract translation: 本发明涉及通过气相化学渗透致密化多孔基材(1)的方法。 本发明的方法涉及使用包括管状导管(11)的装载工具(19),所述管状导管(11)设置在第一和第二板(12,13)之间,并且被致密化的薄的衬底围绕该导管以径向方式设置。 一旦装载,该工具就位于具有连接到管状管道(11)的反应性气体入口(21)的浸渗炉的反应室(20)内,以使反应气体能够进入分配 沿着基本上径向的流动方向沿着基板(1)的主面的长度的气体。 反应气体还可以在相反方向上流动,即从其外壳(16)进入工具(10)并通过导管(11)排出。

    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE
    2.
    发明申请
    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE 审中-公开
    通过三维多孔基板的方向流中的蒸汽相中的化学浸渗进行浓缩的装载装置

    公开(公告)号:WO2013045788A1

    公开(公告)日:2013-04-04

    申请号:PCT/FR2012/052066

    申请日:2012-09-14

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/455

    Abstract: Dispositif de chargement (10) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de substrats poreux (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, le dispositif comprenant un étage de chargement annulaire (11) formé par des première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) disposées concentriquement l'une par rapport à l'autre et délimitant entre elles un espace de chargement annulaire (13) pour les substrats poreux à densifier. Des premier et deuxième plateaux (112, 113) couvrent respectivement la partie inférieure et la partie supérieure de l'espace de chargement annulaire (13). Les première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) comprennent chacune des éléments de support (1100, 1110) répartis dans l'espace de chargement annulaire (13) de manière à définir entre eux des cellules de chargement unitaire (14) destinées à recevoir chacune un substrat à densifier. Le dispositif comprend en outre des orifices d'alimentation en gaz (1102) et des orifices d'évacuation de gaz (1112) au voisinage de chaque cellule de chargement unitaire (14).

    Abstract translation: 装载装置(10)用于通过在蒸汽相中的化学渗透通过化学渗透在主要在纵向方向上延伸的三维多孔基材(20)的入渗炉的反应室中进行致密化,所述装置包括环状载荷水平 由第一和第二环形垂直单元(110,111)形成,第一和第二环形垂直单元(110,111)相对于彼此同心地分布并且在彼此之间限定用于多孔基底的致密化的环形加载区域(13)。 第一和第二板(112,113)分别覆盖下部元件和环形装载区域(13)的上部元件。 第一和第二环形垂直单元(110,111)各自包括分布在环形加载区域(13)中的支撑构件(1100,1110),以便在它们之间限定单元加载单元(14),每个单元加载单元 旨在用于接收待致密化的基底。 该装置还包括在每个单元装载单元(14)附近的气体供应孔(1102)和排气孔(1112)。

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