Abstract:
The invention concerns the thermochemical treatment of a carbon-containing material with optionally apparent porosity for generating by activated carbonisation a refractory carbide coating on the surface and inside said material in case it is porous; the use of specific alloys as carbonising mixture, for thermochemical treatment, in halogenated atmosphere, of carbon-containing materials with optionally apparent porosity. The invention is characterised in that the activated carbonisation is implemented, under reduced pressure, with the intervention of the element E (to be transported and reacted with the carbon of the material to generate the expected carbide) alloyed with an element M and halogenide (chloride or fluoride, preferably fluoride) of same said element M, not easily volatilised, present in solid form.
Abstract:
Un procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur comprend le chargement de substrats poreux à densifier dans une zone de chargement d'une enceinte (10), le chauffage du volume interne de l'enceinte et l'introduction d'un gaz réactif dans l'enceinte à travers une entrée située à une extrémité de celle-ci. Avant sa venue au contact des substrats (20) situés dans la zone de chargement, le gaz réactif admis dans l'enceinte est préchauffé au moins en partie par passage dans un conduit (30) raccordé à l'entrée de gaz, s'étendant à travers la zone de chargement et porté à la température interne de l'enceinte, et le gaz réactif préchauffé est distribué dans la zone de chargement à travers une ou plusieurs ouvertures (33) formées dans la paroi latérale (32) du conduit, le long de celui-ci.
Abstract:
A dry pump (32) has an inlet connected to an oven (10) for providing the low pressure conditions required therein and removing residual gases from said oven, the residual gases being collected by an atmospheric pressure hydrolysis reactor (50) connected to an outlet of the dry pump. The hydrolysis reactor comprises a first outlet (52) for solid deposits or acid solutions produced during the hydrolysis of the incoming gases and a second gas outlet (54) connected to the atmosphere. Means for injecting gas (46, 68) between the dry pump inlet (32) and the hydrolysis reactor (50) prevent the reflux of reaction products from the hydrolysis reactor towards the pump. Water-supply means (74, 76) are connected to the hydrolysis reactor (50) through at least the second oulet (54) thereof so as to dissolve the acid vapors produced by the hydrolysis reactor and prevent them from being released into the atmosphere.
Abstract:
Dispositif de chargement (10) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de substrats poreux (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, le dispositif comprenant un étage de chargement annulaire (11) formé par des première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) disposées concentriquement l'une par rapport à l'autre et délimitant entre elles un espace de chargement annulaire (13) pour les substrats poreux à densifier. Des premier et deuxième plateaux (112, 113) couvrent respectivement la partie inférieure et la partie supérieure de l'espace de chargement annulaire (13). Les première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) comprennent chacune des éléments de support (1100, 1110) répartis dans l'espace de chargement annulaire (13) de manière à définir entre eux des cellules de chargement unitaire (14) destinées à recevoir chacune un substrat à densifier. Le dispositif comprend en outre des orifices d'alimentation en gaz (1102) et des orifices d'évacuation de gaz (1112) au voisinage de chaque cellule de chargement unitaire (14).
Abstract:
Des substrats annulaires (20) sont disposés en pile dans une enceinte où ils délimitent un volume interne (24) et un volume externe (26) à la pile. Une phase gazeuse contenant au moins un précurseur d'un matériau de matrice à déposer au sein de la porosité des substrats est canalisée dans l'enceinte vers un premier (24) des deux volumes et une phase gazeuse résiduelle est extraite de l'enceinte à partir de l'autre volume (26). Un ou plusieurs passages de fuite (22) font communiquer les volumes entre eux, en dehors des substrats. La section totale des passages de fuite est comprise entre une valeur minimale telle qu'une pression maximum de phase gazeuse dans le premier volume ne soit pas dépassée jusqu'à la fin de la densification, et une valeur maximale telle qu'une différence de pression soit établie entre les deux volumes dès le début de la densification.
Abstract:
The material consists of a textile reinforcement of fibers made up essentially of silicon carbide, and an interphase layer between the reinforcing fibers and the matrix. The reinforcing fibers are long fibers which contain less than 5 % at. of residual oxygen and have a modulus higher than 250 GPa, the interphase layer is strongly bound to the fibers and to the matrix such that the shearing strength inside the interphase layer and at the fiber-interphase and interphase-matrix is greater than that inside the matrix.
Abstract:
The interphase is formed by nanometric scale sequencing of various constituents, of which a first has an intrinsic lamellar microtexture and at least a second can protect the first against oxidation. Several basic layers of a first lamellar microtexture constituent selected for example from pyrocarbon, boron nitride and BC3 are formed alternately with one or more layers of a second constituent having an oxidation protection function, selected for example from SiC, Si3N4, SiB4, SiB6 or a codeposit of the elements Si, B, C. The basic interphase layers, the thickness of which is preferably less than 10 nanometres, are formed by pulsed chemical vapour deposition or infiltration.
Abstract:
Une pièce en matériau composite est réalisée par formation d'une préforme fibreuse (20), formation de trous (22) s'étendant dans la préforme à partir d'au moins une face de celle-ci, et densification de la préforme par une matrice formée au moins partiellement par un processus de type infiltration chimique en phase gazeuse (CVI). Les trous (22) sont formés par enlèvement de la matière de celle-ci avec rupture des fibres, par exemple par usinage au jet d'eau sous pression, l'arrangement des fibres dans la préforme munie de trous étant sensiblement non modifié par rapport à l'arrangement initial avant formation des trous. Le gradient de densification est ainsi très réduit, et une densité peut être obtenue en un seul cycle de densification qui nécessitait, dans l'art antérieur, plusieurs cycles séparés par écroûtage intermédiaire.
Abstract:
Pour réaliser la densificatîon de substrats poreux minces (1) par infiltration chimique en phase vapeur, l'invention propose l'utilisation d'un outillage de chargement (10) comprenant un conduit tubulaire (11) disposé entre des premier et second plateaux (12, 13) et autour duquel sont disposés radialement les substrats minces à densifier. L'outillage ainsi chargé est alors disposé à l'intérieur d'une chambre de réaction (20), d'un four d'infiltration dont l'entrée d'admission en gaz réactif (21) est raccordée au conduit tubulaire (11) pour permettre l'admission d'un gaz réactif dans le conduit qui distribue le gaz le long des faces principales des substrats (1) suivant une direction d'écoulement essentiellement radiale. Le gaz réactif peut également circuler dans l'autre sens, c'est-à-dire être admis dans l'outillage (10) à partir de l'enveloppe externe (16) de celui-ci et être évacué par le conduit (11).
Abstract:
The substrates (10) to be densified are arranged in at least one ring-shaped stack (20) which delimits an internal passage (26) with spaces provided between the substrates. The substrates are non-uniformly heated by establishing a temperature gradient within each substrate, for example by direct inductive coupling, such that parts of the substrates distant from their surfaces exposed to the gas phase have a temperature higher than that of the exposed surfaces. A gas phase containing at least one precursor of the material to be deposited is channelled into the reaction chamber (30) towards one of the two volumes constituted by the inside and the outside of the stack of substrates, at its end closest to the first longitudinal end of the chamber, the volume (26) in which the gas phase is channelled being closed at its end furthest from the first longitudinal end of the chamber.