PROCEDE ET INSTALLATION POUR LA DENSIFICATION DE SUBSTRATS PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
    2.
    发明申请
    PROCEDE ET INSTALLATION POUR LA DENSIFICATION DE SUBSTRATS PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR 审中-公开
    通过化学气相渗透法测定基质浓度的方法和装置

    公开(公告)号:WO2003060183A1

    公开(公告)日:2003-07-24

    申请号:PCT/FR2003/000097

    申请日:2003-01-14

    Abstract: Un procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur comprend le chargement de substrats poreux à densifier dans une zone de chargement d'une enceinte (10), le chauffage du volume interne de l'enceinte et l'introduction d'un gaz réactif dans l'enceinte à travers une entrée située à une extrémité de celle-ci. Avant sa venue au contact des substrats (20) situés dans la zone de chargement, le gaz réactif admis dans l'enceinte est préchauffé au moins en partie par passage dans un conduit (30) raccordé à l'entrée de gaz, s'étendant à travers la zone de chargement et porté à la température interne de l'enceinte, et le gaz réactif préchauffé est distribué dans la zone de chargement à travers une ou plusieurs ouvertures (33) formées dans la paroi latérale (32) du conduit, le long de celui-ci.

    Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相渗透致密化多孔基材的方法。 本发明的方法在于:将待致密化的多孔基材装载到室(10)的装载区域中; 加热上述室的内部容积; 并通过设置在其一端的入口将反应性气体引入所述室。 在与位于装载区域中的基板(20)接触之前,进入室中的反应性气体至少部分地通过连接到气体入口的导管(30)进行预热。 所述导管延伸穿过装载区域并被带到室的内部温度。 预热的反应性气体通过一个或多个沿导管的侧壁(32)的长度设置的开口(33)输送到装载区域中。

    GAS REMOVAL DEVICE
    3.
    发明申请
    GAS REMOVAL DEVICE 审中-公开
    气体去除装置

    公开(公告)号:WO1996017972A1

    公开(公告)日:1996-06-13

    申请号:PCT/FR1995001587

    申请日:1995-12-01

    CPC classification number: C23C16/4412 B01D53/46 Y10S261/54

    Abstract: A dry pump (32) has an inlet connected to an oven (10) for providing the low pressure conditions required therein and removing residual gases from said oven, the residual gases being collected by an atmospheric pressure hydrolysis reactor (50) connected to an outlet of the dry pump. The hydrolysis reactor comprises a first outlet (52) for solid deposits or acid solutions produced during the hydrolysis of the incoming gases and a second gas outlet (54) connected to the atmosphere. Means for injecting gas (46, 68) between the dry pump inlet (32) and the hydrolysis reactor (50) prevent the reflux of reaction products from the hydrolysis reactor towards the pump. Water-supply means (74, 76) are connected to the hydrolysis reactor (50) through at least the second oulet (54) thereof so as to dissolve the acid vapors produced by the hydrolysis reactor and prevent them from being released into the atmosphere.

    Abstract translation: 干泵(32)具有连接到烘箱(10)的入口,用于提供所需的低压条件并从所述炉中除去残留气体,所述残留气体由连接到出口的大气压水解反应器(50)收集 的干泵。 水解反应器包括用于固体沉积物的第一出口(52)或在进入的气体的水解期间产生的酸溶液和连接到大气的第二气体出口(54)。 用于在干式泵入口(32)和水解反应器(50)之间注入气体(46,68)的装置防止反应产物从水解反应器向泵返回。 供水装置(74,76)通过至少其第二口(54)连接到水解反应器(50),以便溶解由水解反应器产生的酸蒸气并防止它们被释放到大气中。

    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE
    4.
    发明申请
    DISPOSITIF DE CHARGEMENT POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN FLUX DIRIGE DE SUBSTRATS POREUX DE FORME TRIDIMENTIONNELLE 审中-公开
    通过三维多孔基板的方向流中的蒸汽相中的化学浸渗进行浓缩的装载装置

    公开(公告)号:WO2013045788A1

    公开(公告)日:2013-04-04

    申请号:PCT/FR2012/052066

    申请日:2012-09-14

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/455

    Abstract: Dispositif de chargement (10) pour la densification, par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirigé, dans une chambre de réaction d'un four d'infiltration, de substrats poreux (20) de forme tridimensionnelle s'étendant principalement dans une direction longitudinale, le dispositif comprenant un étage de chargement annulaire (11) formé par des première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) disposées concentriquement l'une par rapport à l'autre et délimitant entre elles un espace de chargement annulaire (13) pour les substrats poreux à densifier. Des premier et deuxième plateaux (112, 113) couvrent respectivement la partie inférieure et la partie supérieure de l'espace de chargement annulaire (13). Les première et deuxième enceintes verticales annulaires (110, 111) comprennent chacune des éléments de support (1100, 1110) répartis dans l'espace de chargement annulaire (13) de manière à définir entre eux des cellules de chargement unitaire (14) destinées à recevoir chacune un substrat à densifier. Le dispositif comprend en outre des orifices d'alimentation en gaz (1102) et des orifices d'évacuation de gaz (1112) au voisinage de chaque cellule de chargement unitaire (14).

    Abstract translation: 装载装置(10)用于通过在蒸汽相中的化学渗透通过化学渗透在主要在纵向方向上延伸的三维多孔基材(20)的入渗炉的反应室中进行致密化,所述装置包括环状载荷水平 由第一和第二环形垂直单元(110,111)形成,第一和第二环形垂直单元(110,111)相对于彼此同心地分布并且在彼此之间限定用于多孔基底的致密化的环形加载区域(13)。 第一和第二板(112,113)分别覆盖下部元件和环形装载区域(13)的上部元件。 第一和第二环形垂直单元(110,111)各自包括分布在环形加载区域(13)中的支撑构件(1100,1110),以便在它们之间限定单元加载单元(14),每个单元加载单元 旨在用于接收待致密化的基底。 该装置还包括在每个单元装载单元(14)附近的气体供应孔(1102)和排气孔(1112)。

    PROCEDE POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE SUBSTRATS POREUX AYANT UN PASSAGE CENTRAL
    5.
    发明申请
    PROCEDE POUR LA DENSIFICATION PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE SUBSTRATS POREUX AYANT UN PASSAGE CENTRAL 审中-公开
    用于透过中央通道的多孔基板的化学气相渗透方法

    公开(公告)号:WO2002070775A1

    公开(公告)日:2002-09-12

    申请号:PCT/FR2002/000803

    申请日:2002-03-06

    Abstract: Des substrats annulaires (20) sont disposés en pile dans une enceinte où ils délimitent un volume interne (24) et un volume externe (26) à la pile. Une phase gazeuse contenant au moins un précurseur d'un matériau de matrice à déposer au sein de la porosité des substrats est canalisée dans l'enceinte vers un premier (24) des deux volumes et une phase gazeuse résiduelle est extraite de l'enceinte à partir de l'autre volume (26). Un ou plusieurs passages de fuite (22) font communiquer les volumes entre eux, en dehors des substrats. La section totale des passages de fuite est comprise entre une valeur minimale telle qu'une pression maximum de phase gazeuse dans le premier volume ne soit pas dépassée jusqu'à la fin de la densification, et une valeur maximale telle qu'une différence de pression soit établie entre les deux volumes dès le début de la densification.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法,其中环形基板(20)在腔室内堆叠,在腔室内限定了内部的体积(24)和体积(26)堆叠。 将至少含有待沉积在基底的孔隙中的基体材料的前体的气相引导到腔室中朝向两个体积的第一(24),并且从腔室中将剩余气相从另一体积 (26)。 一个或多个排出通道(22)在基板之外彼此连通。 逃生通道的总横截面范围在最小值之间,使得在第一体积内的气相的最大压力不被超过直到致密化完成为止,并且在两个体积之间建立差压的最大值 在致密化的开始。

    METHOD OF MANUFACTURING A COMPOSITE MATERIAL WITH LAMELLAR INTERPHASE BETWEEN REINFORCING FIBRES AND MATRIX, AND MATERIAL OBTAINED
    7.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING A COMPOSITE MATERIAL WITH LAMELLAR INTERPHASE BETWEEN REINFORCING FIBRES AND MATRIX, AND MATERIAL OBTAINED 审中-公开
    使用增强纤维和基体之间的层状相的制备复合材料的方法和材料获得

    公开(公告)号:WO1995009136A1

    公开(公告)日:1995-04-06

    申请号:PCT/FR1994001091

    申请日:1994-09-20

    Abstract: The interphase is formed by nanometric scale sequencing of various constituents, of which a first has an intrinsic lamellar microtexture and at least a second can protect the first against oxidation. Several basic layers of a first lamellar microtexture constituent selected for example from pyrocarbon, boron nitride and BC3 are formed alternately with one or more layers of a second constituent having an oxidation protection function, selected for example from SiC, Si3N4, SiB4, SiB6 or a codeposit of the elements Si, B, C. The basic interphase layers, the thickness of which is preferably less than 10 nanometres, are formed by pulsed chemical vapour deposition or infiltration.

    Abstract translation: 相间通过各种成分的纳米尺度测序形成,其中第一个具有固有的层状微结构,并且至少一个第二可以保护第一个抗氧化。 交替地与选自例如SiC,Si3N4,SiB4,SiB6或氧化亚铜的氧化保护功能的第二组分的一层或多层交替地形成选自例如热解碳,氮化硼和BC3的第一层状微结构组分的几个基本层。 元素Si,B,C的共沉积。厚度优选小于10纳米的基本相间层通过脉冲化学气相沉积或渗透形成。

    PROCEDE DE DENSIFICATION DE SUBSTRATS POREUX MINCES PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF DE CHARGEMENT DE TELS SUBSTRATS
    9.
    发明申请
    PROCEDE DE DENSIFICATION DE SUBSTRATS POREUX MINCES PAR INFILTRATION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF DE CHARGEMENT DE TELS SUBSTRATS 审中-公开
    通过蒸气相化学渗透法和多孔底物加载稀薄基底的方法

    公开(公告)号:WO2006087495A1

    公开(公告)日:2006-08-24

    申请号:PCT/FR2006/050141

    申请日:2006-02-16

    CPC classification number: C23C16/045 C23C16/45578 C23C16/4587

    Abstract: Pour réaliser la densificatîon de substrats poreux minces (1) par infiltration chimique en phase vapeur, l'invention propose l'utilisation d'un outillage de chargement (10) comprenant un conduit tubulaire (11) disposé entre des premier et second plateaux (12, 13) et autour duquel sont disposés radialement les substrats minces à densifier. L'outillage ainsi chargé est alors disposé à l'intérieur d'une chambre de réaction (20), d'un four d'infiltration dont l'entrée d'admission en gaz réactif (21) est raccordée au conduit tubulaire (11) pour permettre l'admission d'un gaz réactif dans le conduit qui distribue le gaz le long des faces principales des substrats (1) suivant une direction d'écoulement essentiellement radiale. Le gaz réactif peut également circuler dans l'autre sens, c'est-à-dire être admis dans l'outillage (10) à partir de l'enveloppe externe (16) de celui-ci et être évacué par le conduit (11).

    Abstract translation: 本发明涉及通过气相化学渗透致密化多孔基材(1)的方法。 本发明的方法涉及使用包括管状导管(11)的装载工具(19),所述管状导管(11)设置在第一和第二板(12,13)之间,并且被致密化的薄的衬底围绕该导管以径向方式设置。 一旦装载,该工具就位于具有连接到管状管道(11)的反应性气体入口(21)的浸渗炉的反应室(20)内,以使反应气体能够进入分配 沿着基本上径向的流动方向沿着基板(1)的主面的长度的气体。 反应气体还可以在相反方向上流动,即从其外壳(16)进入工具(10)并通过导管(11)排出。

    DENSIFICATION OF SUBSTRATES ARRANGED IN RING-SHAPED STACKS BY CHEMICAL INFILTRATION IN VAPOUR PHASE WITH TEMPERATURE GRADIENT
    10.
    发明申请
    DENSIFICATION OF SUBSTRATES ARRANGED IN RING-SHAPED STACKS BY CHEMICAL INFILTRATION IN VAPOUR PHASE WITH TEMPERATURE GRADIENT 审中-公开
    通过化学浸渍在温度​​梯度的蒸气相中形成环形堆积中的基底的浓度

    公开(公告)号:WO1998017599A1

    公开(公告)日:1998-04-30

    申请号:PCT/FR1997001858

    申请日:1997-10-17

    Abstract: The substrates (10) to be densified are arranged in at least one ring-shaped stack (20) which delimits an internal passage (26) with spaces provided between the substrates. The substrates are non-uniformly heated by establishing a temperature gradient within each substrate, for example by direct inductive coupling, such that parts of the substrates distant from their surfaces exposed to the gas phase have a temperature higher than that of the exposed surfaces. A gas phase containing at least one precursor of the material to be deposited is channelled into the reaction chamber (30) towards one of the two volumes constituted by the inside and the outside of the stack of substrates, at its end closest to the first longitudinal end of the chamber, the volume (26) in which the gas phase is channelled being closed at its end furthest from the first longitudinal end of the chamber.

    Abstract translation: 要被致密化的基底(10)被布置在至少一个环形叠层(20)中,该环形叠层(20)限定内部通道(26),空间设置在基底之间。 通过例如通过直接感应耦合在每个衬底内建立温度梯度来使衬底不均匀地加热,使得远离其表面暴露于气相的衬底的部分温度高于暴露表面的温度。 含有待沉积材料的至少一种前体的气相被引导到反应室(30)中,朝向由堆叠的衬底的内部和外部构成的两个体积中的一个,其最靠近第一纵向 在腔室的端部,其中气相被引导的体积(26)在其离腔室的第一纵向端部最远的一端封闭。

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