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    METHOD AND DEVICE FOR THE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    1.
    发明申请
    METHOD AND DEVICE FOR THE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
    方法和设备处理半导体衬底

    公开(公告)号：WO2009000933A1

    公开(公告)日：2008-12-31

    申请号：PCT/EP2008058343

    申请日：2008-06-27

    Applicant: INTEGA GMBH ,  AIR LIQUIDE ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  TIKOVSKY ANDREAS ,  LAUMBACHER MATTHIAS ,  REICHL GERHARD

    Inventor： TIKOVSKY ANDREAS ,  LAUMBACHER MATTHIAS ,  REICHL GERHARD

    IPC: H01J37/08 ,  F16L11/00

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0206

    Abstract: Method for the treatment of a semiconductor substrate (2), in which an ion beam (3) is produced from a doping gas and is directed onto the semiconductor substrate (2), characterized in that the doping gas is fed through a plastic hose (6) to a means (3) for producing an ion beam (4), and is then ionised. The method according to the invention and the device 1 according to the invention advantageously permit the supply of the means 3 for producing an ion beam 4 with a doping gas from customary gas reservoirs 14 such as customary compressed gas cylinders, for example. Voltage flashovers from the deflection means 5 are effectively prevented by the use of a plastic hose 6. The method according to the invention and the device 1 according to the invention thus permit the simple construction of a corresponding ion implantation apparatus in conjunction with possible inexpensive supply thereof with doping gas.

    Abstract translation: 一种用于治疗，其中（4）从掺杂剂和（2）被引导在半导体衬底中产生的离子束的半导体衬底（2），方法，其特征在于通过塑料软管掺杂气体（6）的装置（3），用于产生一个 离子束（4）被供给，然后离子化。 的方法以及根据本发明的设备1允许以有利的方式的装置3的，用于产生离子束4与常规气藏14的掺杂，例如，传统的压缩气体钢瓶供给。 从偏转电压击穿装置5可以通过使用塑料管可以有效地防止。6 因此，本发明的方法和本发明的设备1允许在同一时间使用相同的掺杂物可能较便宜供应容易构造的相应的离子注入装置的。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BEHANDELN EINES HALBLEITERSUBSTRATS
    2.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BEHANDELN EINES HALBLEITERSUBSTRATS 审中-公开
    处理半导体衬底的方法和装置

    公开(公告)号：WO2009000933A9

    公开(公告)日：2008-12-31

    申请号：PCT/EP2008/058343

    申请日：2008-06-27

    Applicant: INTEGA GMBH ,  L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  TIKOVSKY, Andreas ,  LAUMBACHER, Matthias ,  REICHL, Gerhard

    Inventor： TIKOVSKY, Andreas ,  LAUMBACHER, Matthias ,  REICHL, Gerhard

    IPC: H01J37/08 ,  F16L11/00

    Abstract: Verfahren zum Behandeln eines Halbleitersubstrats (2), bei dem ein Ionenstrahl (4) aus einem Dotiergas erzeugt und auf das Halbleitersubstrat (2) gelenkt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Dotiergas durch einen Kunststoffschlauch (6) einem Mittel (3) zum Erzeugen eines Ionenstrahls (4) zugeführt und dann ionisiert wird. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 erlauben in vorteilhafter Weise die Versorgung des Mittels 3 zum Erzeugen eines Ionenstrahls 4 mit einem Dotiergas aus üblichen Gasreservoiren 14 wie beispielsweise übliche Druckgasflaschen. Spannungsüberschläge von den Ablenkmitteln 5 werden durch Einsatz eines Kunststoffschlauchs 6 wirkungsvoll verhindert. So erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäßeVorrichtung 1 den einfachen Aufbau einer entsprechenden Ionenimplantationseinrichtung bei gleichzeitig möglicher preiswerter Versorgung derselben mit Dotiergas.

    Abstract translation:

    一种用于治疗其中（4）从掺杂剂和（2）被引导在半导体衬底中产生的离子束的半导体衬底（2），方法，其特征在于通过塑料管的掺杂气体（6） 用于产生离子束（4）的装置（3）被馈送然后被离子化。 本发明BEAR ROAD方法和本发明BEAR ROAD装置1允许以有利的方式的装置3的供给用于与导航通常使用气藏14如导航使用常规压缩气瓶的掺杂产生离子束4。 通过使用塑料管6有效地防止了偏转装置5的应力。 从而允许本发明＆AUML;道路过程，并且本发明＆AUML;大街eVorrichtung 1的相应的离子注入装置的简单的结构在同一M＆ouml ;.可能更便宜的具有掺杂提供它们

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