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公开(公告)号：WO2009150226A3
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/EP2009057289
申请日：2009-06-12
Applicant: AIR LIQUIDE , INTEGA GMBH , TIKOVSKY ANDREAS
Inventor： TIKOVSKY ANDREAS
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J7/20 , H01J7/22 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J2237/006
Abstract: The apparatus (1) according to the invention for the treatment of a semiconductor substrate, wherein an ion beam (4) can be produced from a doping gas and can be directed onto the semiconductor substrate (2), wherein the doping gas can be fed through a doping gas hose (6) composed of a first plastic from an adsorber-free gas container (14) to a means (3) for producing an ion beam, wherein the doping gas hose (6) is surrounded by a buffer hose (7) formed from a second plastic, is distinguished by the fact that at least one of the following measures is realized: a) the permeation coefficient of the second plastic for water is less than the permeation coefficient of the first plastic for water; b) the buffer hose (6) is surrounded by a shield hose (24) composed of a third plastic; c) a coating (25, 26) is formed on at least one of the following surfaces of the buffer hose: i) the inner surface and ii) the outer surface; and d) the doping gas hose (6) can be connected to a drying agent (28). The method according to the invention and the apparatus (1) according to the invention advantageously permit apparatuses for the treatment of semiconductor substrates such as in particle implanters to be supplied with doping gas such as, for example, phosphine and/or arsine from adsorber-free gas cylinders (14). On account of the configuration of buffer hose (7) and shield hose (24), and also the corresponding coatings (25, 26), the admission of water vapour into the buffer hose (7) and thus also into the doping gas hose (6) can be reduced in comparison with solutions known from the prior art. The risk of corrosion for the equipment supplied with the doping gas thus decreases.
Abstract translation: 根据本发明的用于处理半导体衬底的设备（1），其中离子束（4）可以由掺杂气体产生并且可以被引导到半导体衬底（2）上，其中可以馈送掺杂气体 通过由不含无吸附剂的气体容器（14）的第一塑料组成的用于产生离子束的装置（3）的掺杂气体软管（6），其中掺杂气体软管（6）被缓冲软管 由第二塑料形成的区别在于以下事实：实现以下措施中的至少一个：a）第二塑料对水的渗透系数小于第一塑料对水的渗透系数; b）缓冲软管（6）被由第三塑料构成的屏蔽软管（24）包围; c）在缓冲软管的至少一个以下表面上形成涂层（25,26）：i）内表面和ii）外表面; 和d）掺杂气体软管（6）可以连接到干燥剂（28）。 根据本发明的方法和根据本发明的装置（1）有利地允许用于处理诸如颗粒注入机中的半导体衬底的装置从吸附器 - 供给诸如磷化氢和/或胂的掺杂气体， 游离气瓶（14）。 由于缓冲软管（7）和屏蔽软管（24）的配置以及相应的涂层（25,26）的配置，允许水蒸汽进入缓冲软管（7），因此也进入掺杂气体软管 与现有技术中已知的溶液相比，可以减少6）。 因此，随着掺杂气体供给的设备的腐蚀风险降低。
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公开(公告)号：WO2009000933A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/EP2008058343
申请日：2008-06-27
Applicant: INTEGA GMBH , AIR LIQUIDE , INFINEON TECHNOLOGIES AG , TIKOVSKY ANDREAS , LAUMBACHER MATTHIAS , REICHL GERHARD
Inventor： TIKOVSKY ANDREAS , LAUMBACHER MATTHIAS , REICHL GERHARD
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0206
Abstract: Method for the treatment of a semiconductor substrate (2), in which an ion beam (3) is produced from a doping gas and is directed onto the semiconductor substrate (2), characterized in that the doping gas is fed through a plastic hose (6) to a means (3) for producing an ion beam (4), and is then ionised. The method according to the invention and the device 1 according to the invention advantageously permit the supply of the means 3 for producing an ion beam 4 with a doping gas from customary gas reservoirs 14 such as customary compressed gas cylinders, for example. Voltage flashovers from the deflection means 5 are effectively prevented by the use of a plastic hose 6. The method according to the invention and the device 1 according to the invention thus permit the simple construction of a corresponding ion implantation apparatus in conjunction with possible inexpensive supply thereof with doping gas.
Abstract translation: 一种用于治疗，其中（4）从掺杂剂和（2）被引导在半导体衬底中产生的离子束的半导体衬底（2），方法，其特征在于通过塑料软管掺杂气体（6）的装置（3），用于产生一个 离子束（4）被供给，然后离子化。 的方法以及根据本发明的设备1允许以有利的方式的装置3的，用于产生离子束4与常规气藏14的掺杂，例如，传统的压缩气体钢瓶供给。 从偏转电压击穿装置5可以通过使用塑料管可以有效地防止。6 因此，本发明的方法和本发明的设备1允许在同一时间使用相同的掺杂物可能较便宜供应容易构造的相应的离子注入装置的。
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公开(公告)号：WO2009000932A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/EP2008/058342
申请日：2008-06-27
Applicant: Intega GmbH , L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude , TIKOVSKY, Andreas
Inventor： TIKOVSKY, Andreas
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0206
Abstract: Verfahren zum Behandeln eines Halbleitersubstrats (2), bei dem ein Ionenstrahl (4) aus einem Dotiergas erzeugt und auf das Halbleitersubstrat (2) gelenkt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Dotiergas durch einen Kunststoffschlauch (6) einem Mittel (3) zum Erzeugen eines Ionenstrahls (4) zugeführt und dann ionisiert wird. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 erlauben in vorteilhafter Weise die Versorgung des Mittels 3 zum Erzeugen eines Ionenstrahls 4 mit einem Dotiergas aus üblichen Gasreservoiren 14 wie beispielsweise übliche Druckgasflaschen. Durch den erfindungsgemäßen Pufferschlauch 7 wird gewährleistet, dass kein Dotiergas in die Umgebung abgegeben werden kann. So erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 den einfachen Aufbau einer entsprechenden Ionenimplantationseinrichtung bei gleichzeitig möglicher Versorgung derselben mit Dotiergas, wobei ein Austritt von Dotiergas an die Umgebung weitestgehend ausgeschlossen ist.
Abstract translation: 一种用于治疗，其中（4）从掺杂剂和（2）被引导在半导体衬底中产生的离子束的半导体衬底（2），方法，其特征在于通过塑料软管掺杂气体（6）的装置（3），用于产生一个 离子束（4）被供给，然后离子化。 的方法以及根据本发明的设备1允许以有利的方式的装置3的，用于产生离子束4与常规气藏14的掺杂，例如，传统的压缩气体钢瓶供给。 本发明的缓冲液软管7确保了没有掺杂气体可以被释放到环境中。 因此，本发明的方法和根据本发明的设备1允许在与掺杂物相同的电位供给，由此，掺杂气体向环境的泄漏是大大地排除施工容易的相应的离子注入装置的。
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公开(公告)号：WO2009153219A3
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/057285
申请日：2009-06-12
Applicant: L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , INTEGA GmbH , TIKOVSKY, Andreas
Inventor： TIKOVSKY, Andreas
Abstract: The apparatus (1) according to the invention for regulating a process medium flow (2) to be fed to a process medium consumer (28), comprising a) a process medium path (3), by means of which a process medium source (27) can be connected to the process medium consumer (28), and b) a control gas path (4), by means of which a control gas pressure can be built up with a control gas, wherein the process medium path (3) comprises a pneumatic pressure regulator (5), the control input (6) of which is connected to the control gas path (4), wherein means (7) for regulating the control gas pressure are embodied, is distinguished by the fact that the means (7) for regulating the control gas pressure comprise a delivery valve (8) for connecting the control gas path (4) to a control gas pressure source (9) and a discharge valve (10) for decreasing pressure in the control gas path (4). The apparatus (1) according to the invention and the method according to the invention advantageously permit precise regulation of the process medium flow (2) from a process medium source (27) to a process medium consumer (28) using simple means. On account of the magnetic valves (8, 10, 19) used such as, for example, the magnetic 5/3-way directional valve (19) for increasing or decreasing a control gas pressure in a control gas path (4), corresponding regulation can even be used in areas at risk of an explosion, such as, for example, in ultra-clean rooms, in implanters (18) or the like.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009000933A9
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/EP2008/058343
申请日：2008-06-27
Applicant: INTEGA GMBH , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , INFINEON TECHNOLOGIES AG , TIKOVSKY, Andreas , LAUMBACHER, Matthias , REICHL, Gerhard
Inventor： TIKOVSKY, Andreas , LAUMBACHER, Matthias , REICHL, Gerhard
Abstract: Verfahren zum Behandeln eines Halbleitersubstrats (2), bei dem ein Ionenstrahl (4) aus einem Dotiergas erzeugt und auf das Halbleitersubstrat (2) gelenkt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Dotiergas durch einen Kunststoffschlauch (6) einem Mittel (3) zum Erzeugen eines Ionenstrahls (4) zugeführt und dann ionisiert wird. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 erlauben in vorteilhafter Weise die Versorgung des Mittels 3 zum Erzeugen eines Ionenstrahls 4 mit einem Dotiergas aus üblichen Gasreservoiren 14 wie beispielsweise übliche Druckgasflaschen. Spannungsüberschläge von den Ablenkmitteln 5 werden durch Einsatz eines Kunststoffschlauchs 6 wirkungsvoll verhindert. So erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäßeVorrichtung 1 den einfachen Aufbau einer entsprechenden Ionenimplantationseinrichtung bei gleichzeitig möglicher preiswerter Versorgung derselben mit Dotiergas.
Abstract translation:
一种用于治疗其中（4）从掺杂剂和（2）被引导在半导体衬底中产生的离子束的半导体衬底（2），方法，其特征在于通过塑料管的掺杂气体（6） 用于产生离子束（4）的装置（3）被馈送然后被离子化。 本发明BEAR ROAD方法和本发明BEAR ROAD装置1允许以有利的方式的装置3的供给用于与导航通常使用气藏14如导航使用常规压缩气瓶的掺杂产生离子束4。 通过使用塑料管6有效地防止了偏转装置5的应力。 从而允许本发明＆AUML;道路过程，并且本发明＆AUML;大街eVorrichtung 1的相应的离子注入装置的简单的结构在同一M＆ouml ;.可能更便宜的具有掺杂提供它们
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公开(公告)号：WO2009000930A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/EP2008/058340
申请日：2008-06-27
Applicant: INTEGA GMBH , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , INFINEON TECHNOLOGIES AG , TIKOVSKY, Andreas , LAUMBACHER, Matthias , REICHL, Gerhard
Inventor： TIKOVSKY, Andreas , LAUMBACHER, Matthias , REICHL, Gerhard
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/0206
Abstract: Eine Anordnung zum Prozessieren eines Substrats weist auf eine Ionenquelle zum Erzeugen von Ionen zum Prozessieren des Substrats unter Verwendung mindestens eines Prozessgases, und eine mit der Ionenquelle gekoppelte Prozessgas- Zuführeinrichtung zum Zuführen des Prozessgases in die Ionenquelle. Die Prozessgas-Zuführeinrichtung weist ein Rohr aus elektrisch isolierendem Material sowie einen Prozessgas-Zuführregler auf, der derart eingerichtet ist, dass das Prozessgas mit einem Druck zugeführt wird, der niedriger ist als der Umgebungsdruck des Rohres.
Abstract translation: 用于处理衬底的装置包括用于产生离子的用于处理使用至少一种处理气体的衬底的离子源，和连接到所述离子源的处理气体供给单元用于供给处理气体进入离子源。 处理气体供给装置包括电绝缘材料和工艺气体Zuführregler，其被设置为使得所述处理气体是在压力比该管的环境压力下供给的管。
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公开(公告)号：WO2009153219A2
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009057285
申请日：2009-06-12
Applicant: AIR LIQUIDE , INTEGA GMBH , TIKOVSKY ANDREAS
Inventor： TIKOVSKY ANDREAS
IPC: G05D16/16
CPC classification number: G05D16/2053 , G05D16/2093
Abstract: The apparatus (1) according to the invention for regulating a process medium flow (2) to be fed to a process medium consumer (28), comprising a) a process medium path (3), by means of which a process medium source (27) can be connected to the process medium consumer (28), and b) a control gas path (4), by means of which a control gas pressure can be built up with a control gas, wherein the process medium path (3) comprises a pneumatic pressure regulator (5), the control input (6) of which is connected to the control gas path (4), wherein means (7) for regulating the control gas pressure are embodied, is distinguished by the fact that the means (7) for regulating the control gas pressure comprise a delivery valve (8) for connecting the control gas path (4) to a control gas pressure source (9) and a discharge valve (10) for decreasing pressure in the control gas path (4). The apparatus (1) according to the invention and the method according to the invention advantageously permit precise regulation of the process medium flow (2) from a process medium source (27) to a process medium consumer (28) using simple means. On account of the magnetic valves (8, 10, 19) used such as, for example, the magnetic 5/3-way directional valve (19) for increasing or decreasing a control gas pressure in a control gas path (4), corresponding regulation can even be used in areas at risk of an explosion, such as, for example, in ultra-clean rooms, in implanters (18) or the like.
Abstract translation: 根据本发明的用于调节要供给到处理介质消耗器（28）的处理介质流（2）的装置（1），包括：a）处理介质路径（3），借助于该处理介质路径 27）可以连接到处理介质消耗器（28），以及b）控制气体通道（4），通过该控制气体通道可以与控制气体一起建立控制气体压力，其中处理介质路径（3） 包括气动压力调节器（5），其控制输入（6）连接到控制气体通路（4），其中体现了用于调节控制气体压力的装置（7），其特征在于装置 用于调节控制气体压力的控制气体压力（7）包括用于将控制气体路径（4）连接到控制气体压力源（9）的排出阀（8）和用于减小控制气体通路中的压力的排出阀（10） 4）。 根据本发明的装置（1）和根据本发明的方法有利地允许使用简单的方法将处理介质流（2）从处理介质源（27）精确调节到处理介质消耗器（28）。 由于例如用于增加或减少控制气体路径（4）中的控制气体压力的磁性5/3方向阀（19）所使用的电磁阀（8,10,19），对应于 甚至可以在具有爆炸危险的区域（例如超洁净室，植入器（18）等）中使用。
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公开(公告)号：WO2009150226A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/057289
申请日：2009-06-12
Applicant: L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , INTEGA GmbH , TIKOVSKY, Andreas
Inventor： TIKOVSKY, Andreas
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J7/20 , H01J7/22 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J2237/006
Abstract: The apparatus (1) according to the invention for the treatment of a semiconductor substrate, wherein an ion beam (4) can be produced from a doping gas and can be directed onto the semiconductor substrate (2), wherein the doping gas can be fed through a doping gas hose (6) composed of a first plastic from an adsorber- free gas container (14) to a means (3) for producing an ion beam, wherein the doping gas hose (6) is surrounded by a buffer hose (7) formed from a second plastic, is distinguished by the fact that at least one of the following measures is realized: a) the permeation coefficient of the second plastic for water is less than the permeation coefficient of the first plastic for water; b) the buffer hose (6) is surrounded by a shield hose (24) composed of a third plastic; c) a coating (25, 26) is formed on at least one of the following surfaces of the buffer hose: i) the inner surface and ii) the outer surface; and d) the doping gas hose (6) can be connected to a drying agent (28). The method according to the invention and the apparatus (1) according to the invention advantageously permit apparatuses for the treatment of semiconductor substrates such as in particular implanters to be supplied with doping gas such as, for example, phosphine and/or arsine from adsorber- free gas cylinders (14). On account of the configuration of buffer hose (7) and shield hose (24), and also the corresponding coatings (25, 26), the admission of water vapour into the buffer hose (7) and thus also into the doping gas hose (6) can be reduced in comparison with solutions known from the prior art. The risk of corrosion for the equipment supplied with the doping gas thus decreases.
Abstract translation: 根据本发明的用于处理半导体衬底的设备（1），其中离子束（4）可以由掺杂气体产生并且可以被引导到半导体衬底（2）上，其中可以馈送掺杂气体 通过由不含吸附剂的气体容器（14）的第一塑料组成的用于产生离子束的装置（3）的掺杂气体软管（6），其中所述掺杂气体软管（6）被缓冲软管 由第二塑料形成的区别在于以下事实：实现以下措施中的至少一个：a）第二塑料对水的渗透系数小于第一塑料对水的渗透系数; b）缓冲软管（6）被由第三塑料构成的屏蔽软管（24）围绕; c）在缓冲软管的至少一个以下表面上形成涂层（25,26）：i）内表面和ii）外表面; 和d）掺杂气体软管（6）可以连接到干燥剂（28）。 根据本发明的方法和根据本发明的装置（1）有利地允许用于处理半导体衬底（例如特别是注入器）的设备从吸附器件提供掺杂气体，例如磷化氢和/或胂， 游离气瓶（14）。 由于缓冲软管（7）和屏蔽软管（24）的配置以及相应的涂层（25,26）的配置，允许水蒸汽进入缓冲软管（7），因此也进入掺杂气体软管 与现有技术中已知的溶液相比，可以减少6）。 因此，随着掺杂气体供给的设备的腐蚀风险降低。
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9.发明申请METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING AT LEAST ONE HYDROGEN CHALCOGEN COMPOUND FROM AN EXHAUST GAS STREAM 审中-公开从排气流中去除最少一个氢化合物的方法和装置
公开(公告)号：WO2009027534A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/EP2008/061445
申请日：2008-08-29
Applicant: INTEGA GMBH , L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , KRÜGER, Ulrich
Inventor： KRÜGER, Ulrich
Abstract: Method for cleaning an exhaust gas or a process gas of a manufacturing process of semiconductor components, whereas the exhaust gas or process gas comprises at least one hydrogen chalcogen compound comprising at least one of the following: a) sulfur (S); b) selenium (Se); c) tellurium (Te); and d) polonium (Po), wherein said hydrogen chalcogen compounds are removed in a wet scrubber from the process gas by guiding the process gas into an aqueous solution of at least one base; supplying the least one base to the aqueous solution and extracting an output exhaust gas stream from the aqueous solution, characterized in that the amount of base supplied is controlled such that the pH-value of the solution is larger than 12. The apparatus (1) and the method according to the present invention allow the efficient removal of hydrogen chalcogen compounds from exhaust gases of the production processes of semiconductor compounds like e. g. photovoltaic modules.
Abstract translation: 清洁半导体部件的制造工序的废气或工艺气体的方法，而废气或工艺气体包括至少一种包含以下至少一种的氢硫属化合物：a）硫（S）; b）硒（Se）; c）碲（Te）; 和d）onium（Po），其中所述氢硫属化合物通过将工艺气体引导至至少一个碱的水溶液中，从湿法洗涤器中除去工艺气体; 将至少一个碱提供到水溶液中并从水溶液中提取输出废气流，其特征在于控制供应的碱的量使得溶液的pH值大于12.该装置（1） 并且根据本发明的方法允许从诸如e的半导体化合物的生产方法的废气中有效地除去氢硫属化合物。 G。 光伏组件。
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