Abstract:
Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Halbleiterspeichereinrichtungen. Die Erfindung betrifft ein Prüfverfahren für Halbleiterspeichereinrichtungen (P), die einen bidirektionalen Datenstrobe-Anschluss für ein Datenstrobe-Signal (DQS) aufweisen, an einer Prüfapparatur (PA), wobei die Prüfung des Datenstrobe-Signals durch einen Datentransfer zwischen der zu prüfenden Halbleiterspeichereinrichtung (P) und einer zweiten Halbleiterspeichereinrichtung gleichen Typs (R) erfolgt, sowie eine dafür geeignete Vorrichtung.
Abstract:
The invention relates to a test method for testing, on a testing device (PA), semiconductor devices (P) that have a bi-directional data strobe link for a data strobe signal (DQS) whereby the data strobe signal is tested by transferring data between the semiconductor memory device (P) to be tested and a second semiconductor memory device of the same type (R). The invention also relates to a device for carrying out the inventive method.