公开(公告)号：WO2010106541A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/IL2010/000220

申请日：2010-03-17

Applicant: BORON COMPOUNDS LTD. ,  PRILUTSKY, Emanual ,  PRILUTSKY, Oleg ,  YARDENI, Dan

Inventor： PRILUTSKY, Emanual ,  PRILUTSKY, Oleg ,  YARDENI, Dan

IPC: C01B21/064

CPC classification number: C01B21/064 ,  C01B21/0646 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80

Abstract: This invention is directed to a process for the preparation of boron nitride powder, particularly a fine powder with a low degree of contamination, which demonstrates good caking, heat conductivity and dielectric properties. Specifically, a process for the preparation of amorphous boron nitride (a-BN) is provided wherein the process comprises: mixing powders of boric acid and a carbamide at a temperature in the range of about 250-300°C, thereby forming: ammonium polyborates; boron imide or a mixture thereof and ammonia; and heating of the materials formed in step (a) to a temperature in the range of about 500-600°C, thereby forming a powder of a-BN.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备氮化硼粉末，特别是具有低污染度的细粉末的方法，其表现出良好的结块，导热性和介电性能。 具体地，提供了一种制备无定形氮化硼（a-BN）的方法，其中该方法包括：在约250-300℃的温度范围内混合硼酸和脲的粉末，由此形成：聚硼酸铵 ; 硼酰亚胺或其混合物和氨; 和将步骤（a）中形成的材料加热至约500-600℃的温度，从而形成a-BN的粉末。

公开(公告)号：WO2008102357A2

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/IL2008/000228

申请日：2008-02-21

Applicant: BORON COMPOUNDS LTD. ,  PRILUTSKY, Emanual ,  PRILUTSKY, Oleg ,  YARDENI, Dan

Inventor： PRILUTSKY, Emanual ,  PRILUTSKY, Oleg ,  YARDENI, Dan

IPC: C04B35/528

CPC classification number: C01B21/0645 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/942 ,  C01B32/949 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/563 ,  C04B35/573 ,  C04B35/583 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/636 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/786 ,  F41H5/0414

Abstract: This invention is directed to novel and useful process for the preparation of boron carbide, boron nitride and silicon carbide comprising carbidization or nitrization step of boron oxides or silicon oxides, using nanoparticles substrates.

Abstract translation: 本发明涉及使用纳米颗粒底物制备碳化硼，氮化硼和碳化硅的新型和有用的方法，其包括氧化硼或氧化硅的碳化或氮化步骤。

公开(公告)号：WO2008102357A3

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/IL2008000228

申请日：2008-02-21

Applicant: BORON COMPOUNDS LTD ,  PRILUTSKY EMANUAL ,  PRILUTSKY OLEG ,  YARDENI DAN

Inventor： PRILUTSKY EMANUAL ,  PRILUTSKY OLEG ,  YARDENI DAN

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/36 ,  C04B35/56

CPC classification number: C01B21/0645 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/942 ,  C01B32/949 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/563 ,  C04B35/573 ,  C04B35/583 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/636 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/786 ,  F41H5/0414

Abstract: This invention is directed to novel and useful process for the preparation of boron carbide, boron nitride and silicon carbide comprising carbidization or nitrization step of boron oxides or silicon oxides, using nanoparticles substrates.

Abstract translation: 本发明涉及使用纳米颗粒底物制备碳化硼，氮化硼和碳化硅的新型和有用的方法，其包括氧化硼或氧化硅的碳化或氮化步骤。