公开(公告)号：WO2010118906A9

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：PCT/EP2010/052225

申请日：2010-02-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  STRAUB, Axel ,  REPMANN, Tobias

Inventor： STRAUB, Axel ,  REPMANN, Tobias

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/05

Abstract: The invention relates to a thin-film solar cell module (71) in which a layer (72) of TCO is applied on a glass substrate (73). On this layer (72) of TCO is disposed a semiconductor layer (75) on which is applied an electrically conducting backside layer (85). The backside layer (85) includes a bridge element (88) in contact with the layer (72) of TCO. Directly on the layer (72) of TCO are applied busbars (82) by means of a printing method. The busbars (82) are herein connected with the backside layer (85) via the layer (72) of TCO.

公开(公告)号：WO2005071761A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：PCT/DE2004/002752

申请日：2004-12-16

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  REPMANN, Tobias ,  RECH, Bernd

Inventor： REPMANN, Tobias ,  RECH, Bernd

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/5096 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/935

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen umfassend wenigstens eine p-i-n-Schichtenfolge mit mikrokristallinen Schichten mit Hilfe eines PE-CVD-­Verfahrens. Das Verfahren wird dadurch gekennzeichnet, dass alle Schichten der p-i-n Schichtenfolge in einem Einkammer­prozess abgeschieden werden. Dabei wird ein Elektrodenab­stand zwischen 5 und 15 mm gewählt und die Gasverteilung erfolgt über einen Showerhead-Gaseinlass, der eine homogene Verteilung des Gases über das Substrat gewährleistet. Es werden SiH 4 -Gasflüsse zwischen 0,01 und 3 sccm/cm 2 zugege­ben, wobei ein Prozessdruck zwischen 8 und 50 hPa einge­stellt wird. Die Heizertemperatur wird zwischen 50 und 280°C eingestellt und die HF-Leistung beträgt zwischen 0,2 und 2 Watt/cm 2 . Die H 2 -Gasflüsse betragen zwischen 0,3 und 30 sccm/cm 2 , insbesondere zwischen 0,3 und 10 sccm/cm 2 .

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造由PE-CVD方法的装置包括与微晶层中的至少一个P-I-n层序列的太阳能电池。 沉积在单室对在层序列的所有层的方法，其特征在于。 这里，被选择电极5和15mm之间的距离，和气体的分布经由喷头气体入口，这确保了气体在衬底上的均匀分布发生。 有0.01和3之间的SiH 4气体流SCCM /厘米的溶液，其特征在于，8和50百帕之间的处理压力设定<2>。 加热器温度被设定为50〜280℃，RF功率瓦/厘米<2> 0.2和2之间。 H2气流入量至0.3为30sccm /厘米<2>，尤其是0.3和10sccm的/厘米<2>之间。

公开(公告)号：WO2010086042A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/EP2009/065511

申请日：2009-11-19

Applicant: APPLIED MATERIALS INC. ,  REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel

Inventor： REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel

IPC: H01L31/18 ,  B23K26/42

CPC classification number: B23K26/04 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/705 ,  B23K2203/50 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: A laser scribing device 20 is provided which comprises at least a laser light source 21. The laser light source 21 may generate a laser beam 22 for scribing cell lines 12a, 12b,...;13a, 13b,...; 14a, 14b,... to form a patterned solar cell module 10. Furthermore, the laser 21 may emit a light beam 23 for generating a light spot 24 on the surface of the solar cell module. The light beam 23 may be modulated compared with the light beam 22 used for the scribing process. By means of the light spot 24 a particular region of the active area 18 of the solar cell module may be illuminated, and the voltage V oc (L) may be measured at a voltage measurement device 25. The voltage measurement device 25 is connected between the negative contact area 15 and the positive contact area 16 of the solar cell module 10. The measured voltage V oc (L) depends on the location of the laser spot 24 on the solar cell module 10 and the intensity of the laser spot 24.

Abstract translation: 提供了至少包括激光光源21的激光划片装置20.激光光源21可以产生用于划线细胞线12a，12b，...，13a，13b，...的激光束22。 14a，14b，...以形成图案化的太阳能电池模块10.此外，激光器21可以发射用于在太阳能电池模块的表面上产生光点24的光束23。 与用于划线过程的光束22相比，光束23可以被调制。 通过光点24可以照射太阳能电池模块的有源区域18的特定区域，并且可以在电压测量装置25处测量电压Voc（L）。电压测量装置25连接在 负极接触区域15和太阳能电池模块10的正极接触区域16.测量电压Voc（L）取决于激光光斑24在太阳能电池模块10上的位置和激光点24的强度。

公开(公告)号：WO2010063590A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/EP2009/065510

申请日：2009-11-19

Applicant: REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel ,  APPLIED MATERIALS INC.

Inventor： REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/52

Abstract: A solar cell module 1 comprises a transparent substrate 2, e.g. a glass substrate. On top of the glass substrate 2 a layer system 3 is deposited. The layer system 3 comprises a front electrode 4 which may be a transparent conductive oxide (TCO) layer. Furthermore, the layer system 3 comprises a thin film semiconductor layer 5 deposited on the front electrode layer 4. A back electrode is formed on the thin film semiconductor layer 5 which includes a very thin metal layer 6 having a thickness d smaller than 50 nm. A Lambertian reflective layer 7 is deposited on the thin metal layer 6 in order to reflect light transmitted through the metal layer 6.

Abstract translation: 太阳能电池模块1包括透明基板2，例如， 玻璃基板。 在玻璃基板2的顶部，沉积有层系3。 层系统3包括可以是透明导电氧化物（TCO）层的前电极4。 此外，层系统3包括沉积在前电极层4上的薄膜半导体层5.背面电极形成在薄膜半导体层5上，该薄膜半导体层5包括厚度d小于50nm的非常薄的金属层6。 为了反射透过金属层6的光，在薄金属层6上沉积朗伯反射层7。

公开(公告)号：WO2010142639A3

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：PCT/EP2010057920

申请日：2010-06-07

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  REPMANN TOBIAS ,  STRAUB AXEL

Inventor： REPMANN TOBIAS ,  STRAUB AXEL

IPC: H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0465 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/41

Abstract: A semiconductor device module is provided, including a number of n semiconductor devices formed on a substrate (10), n being an integer = 2; each semiconductor device having a stack of a first contact layer region (12; 22), a semiconductor layer region (30), and a second contact layer region (40); wherein the first contact layer region of each (n-1)th semiconductor device is connected to the second contact layer region of the nth semiconductor device by an interconnection (46); and wherein, of the first and second contact layer regions, at least the first contact layer region of at least one of the semiconductor devices has a varying thickness, the thickness being maximum at the interconnection.

Abstract translation: 提供半导体器件模块，其包括形成在衬底（10）上的n个半导体器件，n为整数= 2; 每个半导体器件具有第一接触层区域（12; 22），半导体层区域（30）和第二接触层区域（40）的堆叠; 其中第（n-1）半导体器件的第一接触层区域通过互连（46）连接到第n个半导体器件的第二接触层区域; 并且其中，在所述第一和第二接触层区域中，所述半导体器件中的至少一个半导体器件的至少第一接触层区域具有变化的厚度，所述互连处的厚度最大。

公开(公告)号：WO2010118906A2

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：PCT/EP2010052225

申请日：2010-02-23

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  STRAUB AXEL ,  REPMANN TOBIAS

Inventor： STRAUB AXEL ,  REPMANN TOBIAS

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/05 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to a thin-film solar cell module (71) in which a layer (72) of TCO is applied on a glass substrate (73). On this layer (72) of TCO is disposed a semiconductor layer (75) on which is applied an electrically conducting backside layer (85). The backside layer (85) includes a bridge element (88) in contact with the layer (72) of TCO. Directly on the layer (72) of TCO are applied busbars (82) by means of a printing method. The busbars (82) are herein connected with the backside layer (85) via the layer (72) of TCO.

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池模块（71），其中将TCO层（72）施加在玻璃基板（73）上。 在TCO的该层（72）上设置半导体层（75），在其上施加导电背面层（85）。 背面层（85）包括与TCO层（72）接触的桥接元件（88）。 直接在TCO的层（72）上通过打印方式施加汇流条（82）。 汇流条（82）在此通过TCO的层（72）与背侧层（85）连接。

公开(公告)号：WO2010118906A3

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/EP2010052225

申请日：2010-02-23

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  STRAUB AXEL ,  REPMANN TOBIAS

Inventor： STRAUB AXEL ,  REPMANN TOBIAS

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/05 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/50

Abstract: The invention relates to a thin-film solar cell module (71) in which a layer (72) of TCO is applied on a glass substrate (73). On this layer (72) of TCO is disposed a semiconductor layer (75) on which is applied an electrically conducting backside layer (85). The backside layer (85) includes a bridge element (88) in contact with the layer (72) of TCO. Directly on the layer (72) of TCO are applied busbars (82) by means of a printing method. The busbars (82) are herein connected with the backside layer (85) via the layer (72) of TCO.

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池模块（71），其中将TCO层（72）施加在玻璃基板（73）上。 在TCO的该层（72）上设置半导体层（75），在其上施加导电背面层（85）。 背面层（85）包括与TCO层（72）接触的桥接元件（88）。 直接在TCO的层（72）上通过打印方式施加汇流条（82）。 汇流条（82）在此通过TCO的层（72）与背侧层（85）连接。

公开(公告)号：WO2010142639A2

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：PCT/EP2010/057920

申请日：2010-06-07

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel

Inventor： REPMANN, Tobias ,  STRAUB, Axel

IPC: H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0465 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/41

Abstract: A semiconductor device module is provided, including a number of n semiconductor devices formed on a substrate (10), n being an integer ≥ 2; each semiconductor device having a stack of a first contact layer region (12; 22), a semiconductor layer region (30), and a second contact layer region (40); wherein the first contact layer region of each (n-1)th semiconductor device is connected to the second contact layer region of the nth semiconductor device by an interconnection (46); and wherein, of the first and second contact layer regions, at least the first contact layer region of at least one of the semiconductor devices has a varying thickness, the thickness being maximum at the interconnection.

Abstract translation: 提供半导体器件模块，其包括形成在衬底（10）上的n个半导体器件，n为整数= 2; 每个半导体器件具有第一接触层区域（12; 22），半导体层区域（30）和第二接触层区域（40）的堆叠; 其中第（n-1）半导体器件的第一接触层区域通过互连（46）连接到第n个半导体器件的第二接触层区域; 并且其中，在所述第一和第二接触层区域中，所述半导体器件中的至少一个半导体器件的至少第一接触层区域具有变化的厚度，所述互连处的厚度最大。

公开(公告)号：WO2005101522A3

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/DE2005000563

申请日：2005-03-31

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  MUELLER JOACHIM ,  SCHOEPE GUNNAR ,  SIEKMANN HILDEGARD ,  RECH BERND ,  REPMANN TOBIAS ,  APENZELLER WOLFGANG ,  SEHRBROCK BRIGITTE

Inventor： MUELLER JOACHIM ,  SCHOEPE GUNNAR ,  SIEKMANN HILDEGARD ,  RECH BERND ,  REPMANN TOBIAS ,  APENZELLER WOLFGANG ,  SEHRBROCK BRIGITTE

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/6708

Abstract: A simple process is disclosed for treating substrates having pre-structured zinc oxide layers on rigid or flexible supports. The ZnO is treated with an etching medium then with a cleaning liquid. The treatment with the etching and cleaning liquids is carried out while the substrate is conveyed through a device. The process is technically simple to implement and makes it possible to regularly and homogeneously roughen and texturise ZnO layers of up to 1 m 2 . The device for treating substrates having pre-structured zinc oxide layers on rigid or flexible supports has for that purpose a first means for treating the substrate with an etching liquid, a second means for treating the substrate with a cleaning liquid, and another means, in particular transport rollers, for conveying the substrate from the first to the second means.

Abstract translation: 本发明描述了具有布置在预结构化氧化锌层的刚性或柔性支撑件，其中，所述氧化锌用蚀刻介质处理基材的处理的简单方法，并且随后用清洗液进行处理。 同时衬底通过装置输送执行与蚀刻液和清洗液中的处理。 这个过程是处理在技术上较不复杂的，并定期允许最多至1m ^{2 大的ZnO层的均匀粗面化处理和纹理。 用于处理基板的设备，它具有设置在预结构化氧化锌层的刚性或柔性支撑件，具有用于此目的的第一装置，用于用蚀刻液处理衬底，用于与清洗液和另外的装置处理基材，尤其是输送辊，用于第二装置 输送从所述第一到所述第二部件的基板。}

公开(公告)号：WO2005101522A2

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：PCT/DE2005/000563

申请日：2005-03-31

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  MÜLLER, Joachim ,  SCHÖPE, Gunnar ,  SIEKMANN, Hildegard ,  RECH, Bernd ,  REPMANN, Tobias ,  APENZELLER, Wolfgang ,  SEHRBROCK, Brigitte

Inventor： MÜLLER, Joachim ,  SCHÖPE, Gunnar ,  SIEKMANN, Hildegard ,  RECH, Bernd ,  REPMANN, Tobias ,  APENZELLER, Wolfgang ,  SEHRBROCK, Brigitte

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/6708

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein einfaches Verfahren zur Behandlung von Substraten, die auf starren oder flexiblen Trägern angeordnete vorstrukturierte Zinkoxidschichten aufweisen, bei dem das ZnO mit einem Ätzmedium behandelt, und anschließend mit einer Reinigungsflüssigkeit behandelt wird. Dabei erfolgt die Behandlung mit der Ätzflüssigkeit und der Reinigungsflüssigkeit, während das Substrat durch eine Vorrichtung transportiert wird. Das Verfahren ist prozesstechnisch wenig aufwändig und ermöglicht regelmäßig eine homogenen Aufrauung und Texturierung von bis zu 1 m 2 großen ZnO-Schichten. Die Vorrichtung zur Behandlung von Substraten, die auf starren oder flexiblen Trägern angeordnete vorstrukturierte Zinkoxidschichten aufweisen, weist dazu in erstes Mittel zum Behandeln des Substrates mit einer Ätzflüssigkeit, ein zweites Mittel zum Behandeln des Substrates mit Reinigungsflüssigkeit, und ein weiteres Mittel, insbesondere Transportrollen, zum Transport des Substrates von dem ersten zum zweiten Mittel auf.

Abstract translation: 本发明描述了具有布置在预结构化氧化锌层的刚性或柔性支撑件，其中，所述氧化锌用蚀刻介质处理基材的处理的简单方法，并且随后用清洗液进行处理。 同时衬底通过装置输送执行与蚀刻液和清洗液中的处理。 这个过程是处理在技术上较不复杂的，并定期允许均匀的粗面化处理和最多至1m <2>大的ZnO层的织构化。 用于处理基板的设备，它具有设置在预结构化氧化锌层的刚性或柔性支撑件，具有用于此目的的第一装置，用于用蚀刻液处理衬底，用于与清洗液和另外的装置处理基材，尤其是输送辊，用于第二装置 输送从所述第一到所述第二部件的基板。