公开(公告)号：WO2008055518A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：PCT/EP2006/010635

申请日：2006-11-07

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  MCCANN, Michelle ,  STRUEMPEL, Claudia ,  KNAUSS, Holger ,  LEMP, Engelbert ,  FATH, Peter

Inventor： MCCANN, Michelle ,  STRUEMPEL, Claudia ,  KNAUSS, Holger ,  LEMP, Engelbert ,  FATH, Peter

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/74

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen. Um ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen bereitzustellen, das auf fertigungstechnisch einfache und damit kostengünstige Weise durchgeführt werden kann und die Herstellung von Solarzellen mit einem höheren Wirkungsgrad erlaubt, wird vorgeschlagen, dass das Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Einbringen eines Grabens mit einer Breite b und mit einer Tiefe t in eine Oberfläche einer Vorderseite des Siliciumwafers unter einem Winkel alpha zur Normalen der Oberfläche; b) Maskieren der bei senkrechter Draufsicht auf die Vorderseite sichtbaren Bereiche der Oberfläche des Siliciumwafers durch Ablagerung einer elektrisch nichtleitenden Schicht mittels gerichteter Abscheidung; c) Einbringen von elektrisch leitfähigem Material in den Graben.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在用于太阳能电池的硅晶片浸没接触结构的方法。 为了在用于可在制造技术上简单，因此价格低廉的方式进行的太阳能电池的硅晶片的制备埋头接触结构提供方法，以及太阳能电池的制造中可以允许有较高的效率，所以建议的方法包括以下步骤：a） 引入沟槽具有宽度b和以相对于表面法线的角度α的硅晶片的前侧的表面的深度t; B）掩蔽在通过沉积由定向沉积的装置的一个非导电层的硅晶片的表面的部分的垂直平面图中的前侧的可见; c）将导电材料到所述沟槽。