Abstract:
La présente invention concerne un circuit d'alimentation d'une charge électrique de puissance comportant un transformateur électrique et un circuit régulateur de puissance à thyristor commandé par un circuit de commande caractérisé en ce que ledit circuit régulateur comporte au moins deux étages (21, 22) reliés chacun à une prise du bobinage du transformateur correspondant à une prise de tension spécifique, le circuit de commande activant l'état passant d'un étage à la fois seulement.
Abstract:
Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Anlegen einer Spannung an eine Vielzahl von Siliziumstäben in einem CVD-Reaktor beschrieben. Es sind jeweils eine Reihenschaltung, in der die Siliziumstäbe als Widerstände einsetzbar sind, wenigstens eine erste, wenigstens eine zweite und wenigstens eine dritte Stromversorgungseinheit sowie wenigstens eine Kurzschlusseinrichtung vorgesehen. Die Kurzschlusseinheit ist geeignet steuerbar die äußeren Enden der Reihenschaltung miteinander und mit Erde zu verbinden. Ferner ist wenigstens eine Steuereinheit zum Steuern der ersten, zweiten und dritten Stromversorgungseinheiten sowie der Kurzschlusseinrichtung vorgesehen, wobei die erste Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von ersten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens einem Siliziumstab in der Reihe verbunden sind, wobei die zweite Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von zweiten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens derselben Anzahl von Siliziumstäben wie die ersten Transformatoren in der Reihe verbunden sind, und zwar parallel zu einem oder mehreren der ersten Transformatoren, und wobei die dritte Stromversorgungseinheit Ausgänge aufweist, die mit der Reihe von Siliziumstäben verbunden sind, und zwar parallel zu den ersten und zweiten Transformatoren. Die Kurzschlusseinrichtung weist eine die äußeren Enden der Reihenschaltung verbindende Leitung auf, in der wenigstens ein Widerstand oder eine Sekundärseite eines Transformators und wenigstens ein Schalter vorgesehen sind. Die Steuereinheit ist mit wenigstens einem Strommesser zum Messen eines Stromflusses durch den Widerstand oder einem Spannungsmesser zum Messen einer Spannung an der Primärseite des Transformators verbunden.
Abstract:
Bei einem Reaktor für die Abscheidung von Silizium aus der Gasphase mit einem Reaktorgefäß mit einer Innenfläche, die zumindest teilweise einen Prozessraum begrenzt, und einer Beschichtung auf wenigstens einem Teil der Innenfläche des Reaktorgefäßes kann eine Kostenreduzierung bei der Herstellung erreicht werden, indem eine Beschichtung vorgesehen wird, die eine erste Schicht aufweist, die wenigstens in einem oberen Bereich auf der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes, und eine zweite Schicht, die in einem unteren Bereich der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes. Die zweite Schicht ist wesentlich dicker als die erste Schicht. Ein Verfahren zur Herstellung der Beschichtung wird ebenfalls beschrieben. Der Reaktor ist dennoch robust und weist eine lange Lebensdauer auf.
Abstract:
An apparatus and a method for applying a voltage across a plurality of silicon rods (51-54) in a CVD reactor and a CVD reactor are described. The apparatus has a series connection in which the silicon rods may be inserted as resistors, at least one first power supply unit (12), at least one second power supply unit (14), at least one third power supply unit (16), and at least one control unit which is capable of applying a voltage across the silicon rods in the series connection via the first, the second or the third power supply unit. The first power supply unit has a plurality of first transformers (21-24), the outputs of which are each connected with one silicon rod in the series connection and wherein the first transformers have a first open circuit voltage and a first short circuit current. The second power supply unit has a plurality of second transformers (31-32), the outputs of which are connected to the same number of silicon rods as the first transformers in the series connection, in parallel to one or more of the first transformers and wherein the second transformers have a second open circuit voltage and a second short circuit current, wherein the second open circuit voltage is lower than the first open circuit voltage and the second short circuit current is higher than the first short circuit current. The third power supply unit has outputs which are connected with the silicon rods in the series connection in parallel to the first and second transformers and wherein the third power supply unit is capable of providing a current in a voltage range which is below the open circuit voltage of the second transformer, which current is higher than the short circuit current of the second transformer.
Abstract:
Der Erfindung, welche ein Verfahren zur Stromversorgung eines CVD-Prozesses bei der Siliziumabscheidung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, bei deutlich verringertem Aufwand unter Vermeidung der aufwändigen Parallel-/Seriell-Umschaltung eine schnelle und effektive Aufheizung der Stabpaare zu gewährleisten. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Stabpaare in einer elektrischen Reihenschaltung geschaltet werden und dass jedes Stabpaar durch ein Mittel zum elektrischen überbrücken des Stabpaares zumindest teilweise überbrückbar ist und dass an mindestens einem Stabpaar die angelegte elektrische Spannung anliegt.
Abstract:
The invention relates to a device and a method for applying a voltage to a plurality of silicon rods in a CVD reactor. In each case, a series circuit, in which the silicon rods can be used as resistors, at least one first, at least one second and least one third power supply unit and at least one short-circuit device are provided. The short-circuit unit can be controlled in a suitable way to connect the outer ends of the series circuit to one another and to ground. At least one control unit for controlling the first, second and third power supply units and the short-circuit device is also provided, wherein the first power supply unit has a plurality of first transformers, the outputs of which are each connected to at least one silicon rod in the series, wherein the second power supply unit has a plurality of second transformers, the outputs of which are each connected to at least the same number of silicon rods as the first transformers in the series, specifically in parallel with one or more of the first transformers, and wherein the third power supply unit has outputs which are connected to the series of silicon rods, specifically in parallel with the first and second transformers. The short-circuit device has a line connecting the outer ends of the series circuit, in which line at least one resistor or a secondary side of a transformer and at least one switch are provided. The control unit is connected to at least one ammeter for measuring a current flow through the resistor or to a voltmeter for measuring a voltage on the primary side of the transformer.
Abstract:
A method and a device for igniting silicon rods outside a CVD-reactor for preparing silicon rods for subsequent processing in a CVD-reactor are described. In the method, a silicon rod is disposed inside an ignition device, and a first voltage is applied to the silicon rod by means of a first power supply unit, wherein the voltage is sufficient to ignite the silicon rod. Optionally, the silicon rod may be heated by means of a current flow and/or by means of an external heating unit to a temperature within a predetermined temperature range, thereafter. The silicon rod is removed from the ignition device and may be exposed to a depositing process inside a CVD-reactor, thereafter. The ignition of the silicon rod outside the CVD-reactor facilitates a new ignition for the depositing process. The device comprises a casing having a chamber for receiving at least one silicon rod. In the chamber, at least one pair of contact electrodes is arranged, in order to hold at least one silicon rod therebetween. Furthermore, a first power supply unit having at least one transformer is provided, wherein each output of the transformer is connected to one contacting electrode of a pair, respectively. The transformer comprises an open circuit voltage which is sufficiently high, in order to initialize a current flow in the silicon rod.
Abstract:
Der Erfindung, welche eine Anordnung und ein Verfahren zur Phasenanschnitt-Steuerung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Phasenanschnitt-Steuerung anzugeben, mit welcher der Aufwand und die Kosten bei der Herstellung und Funktionskontrolle vermindert werden. Diese Aufgabe wird anordnungsseitig dadurch gelöst, dass alle steuerbaren elektrischen Schaltmittel mit einem gemeinsamen Steller welcher einen ersten Eingang für ein erstes Steuersignal aufweist, verbunden sind. Die Aufgabe wird verfahrensseitig dadurch gelöst, dass der Sollwert einem Mittel zur Steuerung der steuerbaren elektrischer Schaltmittel als eine erste Eingangsgrösse vorgegeben wird, dass der jeweils durch ein Schaltmittel fliessende Strom gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine jeweilige zweite Eingangsgrösse übertragen wird, dass der aktuelle Wert der Spannung an der Last gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine dritte Eingangsgrösse übertragen wird, und dass das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel gesteuert durch die erste, zweite und dritte Eingangsgrösse alle Schaltmittel steuert, wobei maximal zwei Schaltmittel gleichzeitig aktiv sind.