CIRCUIT D'ALIMENTATION D'UNE CHARGE ELECTRIQUE DE PUISSANCE
    1.
    发明申请
    CIRCUIT D'ALIMENTATION D'UNE CHARGE ELECTRIQUE DE PUISSANCE 审中-公开
    电力电力负载供电电路

    公开(公告)号:WO2006045948A1

    公开(公告)日:2006-05-04

    申请号:PCT/FR2005/002660

    申请日:2005-10-25

    CPC classification number: G05F1/14

    Abstract: La présente invention concerne un circuit d'alimentation d'une charge électrique de puissance comportant un transformateur électrique et un circuit régulateur de puissance à thyristor commandé par un circuit de commande caractérisé en ce que ledit circuit régulateur comporte au moins deux étages (21, 22) reliés chacun à une prise du bobinage du transformateur correspondant à une prise de tension spécifique, le circuit de commande activant l'état passant d'un étage à la fois seulement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于电力电力负载的电源电路,包括由控制电路控制的电力变压器和晶闸管调节电路,其特征在于所述调节电路包括至少两个级(21,22),每个级连接到变压器 对应于特定电压抽头的绕组抽头,控制电路仅激活一次从一个级通过的状态。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ANLEGEN EINER SPANNUNG AN EINE VIELZAHL VON SILIZIUMSTÄBEN IN EINEM CVD-REAKTOR
    2.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ANLEGEN EINER SPANNUNG AN EINE VIELZAHL VON SILIZIUMSTÄBEN IN EINEM CVD-REAKTOR 审中-公开
    设备和方法产生电压硅棒的各种CVD反应器

    公开(公告)号:WO2013064229A2

    公开(公告)日:2013-05-10

    申请号:PCT/EP2012/004483

    申请日:2012-10-26

    CPC classification number: C23C16/24 C23C16/4418 H02M5/12 H02M5/257

    Abstract: Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Anlegen einer Spannung an eine Vielzahl von Siliziumstäben in einem CVD-Reaktor beschrieben. Es sind jeweils eine Reihenschaltung, in der die Siliziumstäbe als Widerstände einsetzbar sind, wenigstens eine erste, wenigstens eine zweite und wenigstens eine dritte Stromversorgungseinheit sowie wenigstens eine Kurzschlusseinrichtung vorgesehen. Die Kurzschlusseinheit ist geeignet steuerbar die äußeren Enden der Reihenschaltung miteinander und mit Erde zu verbinden. Ferner ist wenigstens eine Steuereinheit zum Steuern der ersten, zweiten und dritten Stromversorgungseinheiten sowie der Kurzschlusseinrichtung vorgesehen, wobei die erste Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von ersten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens einem Siliziumstab in der Reihe verbunden sind, wobei die zweite Stromversorgungseinheit eine Vielzahl von zweiten Transformatoren aufweist, deren Ausgänge jeweils mit wenigstens derselben Anzahl von Siliziumstäben wie die ersten Transformatoren in der Reihe verbunden sind, und zwar parallel zu einem oder mehreren der ersten Transformatoren, und wobei die dritte Stromversorgungseinheit Ausgänge aufweist, die mit der Reihe von Siliziumstäben verbunden sind, und zwar parallel zu den ersten und zweiten Transformatoren. Die Kurzschlusseinrichtung weist eine die äußeren Enden der Reihenschaltung verbindende Leitung auf, in der wenigstens ein Widerstand oder eine Sekundärseite eines Transformators und wenigstens ein Schalter vorgesehen sind. Die Steuereinheit ist mit wenigstens einem Strommesser zum Messen eines Stromflusses durch den Widerstand oder einem Spannungsmesser zum Messen einer Spannung an der Primärseite des Transformators verbunden.

    Abstract translation: 它是用于将电压施加到在所述的CVD反应器中的多个硅棒的设备和方法。 在每种情况下的串联电路,其中所述的硅棒被用作电阻器,至少一个第一,至少一个第二和至少一个第三供电单元和至少一个短路设备被提供。 所述短路单元适于可控地连接的串联电路的外端部和到一起接地。 此外,用于控制第一,第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置,其中所述第一电源单元包括多个第一变压器,其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中,其中,所述第二电源单元包括多个的 具有第二变压器,它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器,并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联,并且其输出端连接到硅棒的数量 平行于第一和第二变压器。 短路装置具有的串联电路的连接线,电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。 所述控制单元被连接到至少一个电流表,用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。

    BESCHICHTUNG FÜR EIN REAKTORGEFÄSS UND BESCHICHTUNGSVERFAHREN
    3.
    发明申请
    BESCHICHTUNG FÜR EIN REAKTORGEFÄSS UND BESCHICHTUNGSVERFAHREN 审中-公开
    涂料的反应容器和涂装工艺

    公开(公告)号:WO2013053495A1

    公开(公告)日:2013-04-18

    申请号:PCT/EP2012/004285

    申请日:2012-10-12

    Abstract: Bei einem Reaktor für die Abscheidung von Silizium aus der Gasphase mit einem Reaktorgefäß mit einer Innenfläche, die zumindest teilweise einen Prozessraum begrenzt, und einer Beschichtung auf wenigstens einem Teil der Innenfläche des Reaktorgefäßes kann eine Kostenreduzierung bei der Herstellung erreicht werden, indem eine Beschichtung vorgesehen wird, die eine erste Schicht aufweist, die wenigstens in einem oberen Bereich auf der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes, und eine zweite Schicht, die in einem unteren Bereich der Innenfläche des Reaktorgefäßes aufgebracht ist, die einen höheren Reflexionsgrad für Wärmestrahlung hat als die unbeschichtete Innenfläche des Reaktorgefäßes. Die zweite Schicht ist wesentlich dicker als die erste Schicht. Ein Verfahren zur Herstellung der Beschichtung wird ebenfalls beschrieben. Der Reaktor ist dennoch robust und weist eine lange Lebensdauer auf.

    Abstract translation: 在用于硅的从气相中使用具有内表面至少部分地限定处理室中的反应器容器中,并且至少在所述反应器容器的内表面的一部分上的涂层,以降低制造成本的沉积的反应器可以通过提供一个涂层来实现 具有第一层,其至少在其上部施加的反应器容器,其具有比所述反应器容器的未涂覆内表面的热辐射的反射率高的内表面上,并且这是在反应器容器的内表面的下部施加的第二层 为,比所述反应器容器的未涂覆的内表面的热辐射的反射率高。 所述第二层比所述第一层基本上厚。 一种用于涂料的制备方法也被描述。 该反应器是依然强劲,并具有很长的使用寿命。

    APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING ELECTRIC POWER TO A CVD - REACTOR
    4.
    发明申请
    APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING ELECTRIC POWER TO A CVD - REACTOR 审中-公开
    将电力供应给CVD反应器的装置和方法

    公开(公告)号:WO2011144324A1

    公开(公告)日:2011-11-24

    申请号:PCT/EP2011/002449

    申请日:2011-05-17

    CPC classification number: C23C16/24 C01B33/035 C23C16/4418

    Abstract: An apparatus and a method for applying a voltage across a plurality of silicon rods (51-54) in a CVD reactor and a CVD reactor are described. The apparatus has a series connection in which the silicon rods may be inserted as resistors, at least one first power supply unit (12), at least one second power supply unit (14), at least one third power supply unit (16), and at least one control unit which is capable of applying a voltage across the silicon rods in the series connection via the first, the second or the third power supply unit. The first power supply unit has a plurality of first transformers (21-24), the outputs of which are each connected with one silicon rod in the series connection and wherein the first transformers have a first open circuit voltage and a first short circuit current. The second power supply unit has a plurality of second transformers (31-32), the outputs of which are connected to the same number of silicon rods as the first transformers in the series connection, in parallel to one or more of the first transformers and wherein the second transformers have a second open circuit voltage and a second short circuit current, wherein the second open circuit voltage is lower than the first open circuit voltage and the second short circuit current is higher than the first short circuit current. The third power supply unit has outputs which are connected with the silicon rods in the series connection in parallel to the first and second transformers and wherein the third power supply unit is capable of providing a current in a voltage range which is below the open circuit voltage of the second transformer, which current is higher than the short circuit current of the second transformer.

    Abstract translation: 描述了在CVD反应器和CVD反应器中跨多个硅棒(51-54)施加电压的装置和方法。 该装置具有串联连接,其中硅棒可以作为电阻器插入,至少一个第一电源单元(12),至少一个第二电源单元(14),至少一个第三电源单元(16), 以及至少一个控制单元,其能够经由第一,第二或第三电源单元在串联中的硅棒上施加电压。 第一电源单元具有多个第一变压器(21-24),其输出端分别与串联连接中的一个硅棒连接,并且其中第一变压器具有第一开路电压和第一短路电流。 第二电源单元具有多个第二变压器(31-32),它们的输出端连接到与串联连接中的第一变压器相同数量的硅棒,并联到一个或多个第一变压器和 其中所述第二变压器具有第二开路电压和第二短路电流,其中所述第二开路电压低于所述第一开路电压,并且所述第二短路电流高于所述第一短路电流。 第三电源单元具有与第一和第二变压器并联的与串联的硅棒连接的输出,并且其中第三电源单元能够提供低于开路电压的电压范围内的电流 的第二变压器,该电流高于第二变压器的短路电流。

    VERFAHREN ZUR STROMVERSORGUNG EINES CVD-PROZESSES BEI DER SILIZIUMABSCHEIDUNG
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR STROMVERSORGUNG EINES CVD-PROZESSES BEI DER SILIZIUMABSCHEIDUNG 审中-公开
    方法用于电源的CVD工艺在硅沉积

    公开(公告)号:WO2010066479A1

    公开(公告)日:2010-06-17

    申请号:PCT/EP2009/061261

    申请日:2009-09-01

    CPC classification number: C23C16/4418 C01B33/035 C23C16/24 C23C16/46

    Abstract: Der Erfindung, welche ein Verfahren zur Stromversorgung eines CVD-Prozesses bei der Siliziumabscheidung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, bei deutlich verringertem Aufwand unter Vermeidung der aufwändigen Parallel-/Seriell-Umschaltung eine schnelle und effektive Aufheizung der Stabpaare zu gewährleisten. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Stabpaare in einer elektrischen Reihenschaltung geschaltet werden und dass jedes Stabpaar durch ein Mittel zum elektrischen überbrücken des Stabpaares zumindest teilweise überbrückbar ist und dass an mindestens einem Stabpaar die angelegte elektrische Spannung anliegt.

    Abstract translation: 本发明,其涉及一种方法,用于在硅的沉积CVD工艺供电,它的对象,同时避免了昂贵的并行/串行转换,以确保所述杆对一个快速和有效的加热在显著降低成本。 该目的的实现在于,所述杆对被连接在电串联电路,并且每个对杆的至少部分地由一种手段桥接用于电桥接所述一对杆和在该至少一个杆对承载所施加的电压。

    DEVICE AND METHOD FOR APPLYING A VOLTAGE TO A PLURALITY OF SILICON RODS IN A CVD REACTOR
    6.
    发明申请
    DEVICE AND METHOD FOR APPLYING A VOLTAGE TO A PLURALITY OF SILICON RODS IN A CVD REACTOR 审中-公开
    设备和方法产生电压硅棒的各种CVD反应器

    公开(公告)号:WO2013064229A3

    公开(公告)日:2013-07-18

    申请号:PCT/EP2012004483

    申请日:2012-10-26

    CPC classification number: C23C16/24 C23C16/4418 H02M5/12 H02M5/257

    Abstract: The invention relates to a device and a method for applying a voltage to a plurality of silicon rods in a CVD reactor. In each case, a series circuit, in which the silicon rods can be used as resistors, at least one first, at least one second and least one third power supply unit and at least one short-circuit device are provided. The short-circuit unit can be controlled in a suitable way to connect the outer ends of the series circuit to one another and to ground. At least one control unit for controlling the first, second and third power supply units and the short-circuit device is also provided, wherein the first power supply unit has a plurality of first transformers, the outputs of which are each connected to at least one silicon rod in the series, wherein the second power supply unit has a plurality of second transformers, the outputs of which are each connected to at least the same number of silicon rods as the first transformers in the series, specifically in parallel with one or more of the first transformers, and wherein the third power supply unit has outputs which are connected to the series of silicon rods, specifically in parallel with the first and second transformers. The short-circuit device has a line connecting the outer ends of the series circuit, in which line at least one resistor or a secondary side of a transformer and at least one switch are provided. The control unit is connected to at least one ammeter for measuring a current flow through the resistor or to a voltmeter for measuring a voltage on the primary side of the transformer.

    Abstract translation: 描述了用于在CVD反应器中向多个硅棒施加电压的装置和方法。 在每种情况下,提供其中硅棒可用作电阻器的串联连接,提供至少一个第一,至少一个第二和至少一个第三电源单元以及至少一个短路装置。 短路单元可适当地控制以将串联电路的外端彼此连接并接地。 此外,用于控制第一,第二和第三电源装置和短路装置的控制单元至少被设置,其中所述第一电源单元包括多个第一变压器,其输出是各自与至少一个硅棒连接在所述系列中,其中,所述第二电源单元包括多个的 具有第二变压器,它们的输出分别连接到至少相同数量的硅棒作为系列中的第一变压器,并且其中所述第三电源单元包括与一个或更多个第一变压器的并联,并且其输出端连接到硅棒的数量 ,平行于第一和第二变压器。 短路装置具有的串联电路的连接线,电阻器或变压器的次级侧和至少一个开关的外端部在所述至少提供。 所述控制单元被连接到至少一个电流表,用于测量通过该电阻或电流流动为在变压器的初级侧测量的电压的电压表。

    METHOD AND APPARATUS FOR IGNITING SILICON RODS OUTSIDE A CVD-REACTOR
    7.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR IGNITING SILICON RODS OUTSIDE A CVD-REACTOR 审中-公开
    用于在CVD反应器外点火的硅球的方法和装置

    公开(公告)号:WO2012010329A1

    公开(公告)日:2012-01-26

    申请号:PCT/EP2011/003724

    申请日:2011-07-25

    CPC classification number: C23C16/24 C01B33/035

    Abstract: A method and a device for igniting silicon rods outside a CVD-reactor for preparing silicon rods for subsequent processing in a CVD-reactor are described. In the method, a silicon rod is disposed inside an ignition device, and a first voltage is applied to the silicon rod by means of a first power supply unit, wherein the voltage is sufficient to ignite the silicon rod. Optionally, the silicon rod may be heated by means of a current flow and/or by means of an external heating unit to a temperature within a predetermined temperature range, thereafter. The silicon rod is removed from the ignition device and may be exposed to a depositing process inside a CVD-reactor, thereafter. The ignition of the silicon rod outside the CVD-reactor facilitates a new ignition for the depositing process. The device comprises a casing having a chamber for receiving at least one silicon rod. In the chamber, at least one pair of contact electrodes is arranged, in order to hold at least one silicon rod therebetween. Furthermore, a first power supply unit having at least one transformer is provided, wherein each output of the transformer is connected to one contacting electrode of a pair, respectively. The transformer comprises an open circuit voltage which is sufficiently high, in order to initialize a current flow in the silicon rod.

    Abstract translation: 描述了用于点燃CVD反应器外部的硅棒以制备用于在CVD反应器中进行后续处理的硅棒的方法和装置。 在该方法中,将硅棒设置在点火装置的内部,并且通过第一电源单元向硅棒施加第一电压,其中电压足以点燃硅棒。 任选地,硅棒可以通过电流和/或借助于外部加热单元加热至预定温度范围内的温度。 硅棒从点火装置移除,然后暴露于CVD反应器内的沉积工艺。 CVD反应器外的硅棒点火有利于沉积过程的新点火。 该装置包括具有容纳至少一个硅棒的腔室的壳体。 在腔室中,布置有至少一对接触电极,以便在其间保持至少一个硅棒。 此外,提供具有至少一个变压器的第一电源单元,其中变压器的每个输出分别连接到一对的一个接触电极。 变压器包括足够高的开路电压,以便初始化硅棒中的电流。

    ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR PHASENANSCHNITT-STEUERUNG
    8.
    发明申请
    ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR PHASENANSCHNITT-STEUERUNG 审中-公开
    安排和方法前沿控制

    公开(公告)号:WO2010049185A1

    公开(公告)日:2010-05-06

    申请号:PCT/EP2009/058674

    申请日:2009-07-08

    CPC classification number: H05B39/08 G05F1/20 H02M5/12 H02M5/257

    Abstract: Der Erfindung, welche eine Anordnung und ein Verfahren zur Phasenanschnitt-Steuerung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Phasenanschnitt-Steuerung anzugeben, mit welcher der Aufwand und die Kosten bei der Herstellung und Funktionskontrolle vermindert werden. Diese Aufgabe wird anordnungsseitig dadurch gelöst, dass alle steuerbaren elektrischen Schaltmittel mit einem gemeinsamen Steller welcher einen ersten Eingang für ein erstes Steuersignal aufweist, verbunden sind. Die Aufgabe wird verfahrensseitig dadurch gelöst, dass der Sollwert einem Mittel zur Steuerung der steuerbaren elektrischer Schaltmittel als eine erste Eingangsgrösse vorgegeben wird, dass der jeweils durch ein Schaltmittel fliessende Strom gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine jeweilige zweite Eingangsgrösse übertragen wird, dass der aktuelle Wert der Spannung an der Last gemessen und an das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel als eine dritte Eingangsgrösse übertragen wird, und dass das Mittel zur Steuerung der Schaltmittel gesteuert durch die erste, zweite und dritte Eingangsgrösse alle Schaltmittel steuert, wobei maximal zwei Schaltmittel gleichzeitig aktiv sind.

    Abstract translation: 本发明,其涉及一种装置和用于相位控制的方法,其目的是提供与该复杂度和成本可以在生产和功能控制来降低相位控制。 这个目的是通过排列侧所有可控电气开关装置具有用于与公共控制器的第一控制信号的第一输入解决,被连接。 对象是该方法,解决了,所述设定值是用于控制可控电气开关装置的装置设置为被测量在每种情况下流动的电流由一个开关装置和传送到用于控制该开关装置作为一个相应的第二输入变量的装置的第一输入值, 该电压的当前值在负载被测量并且传送到用于控制开关装置的装置作为第三输入变量,并且用于控制开关装置的装置由所述第一,第二和第三输入可变控制所有的开关装置,控制其中一个最大的两个开关装置 同时激活。

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