Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie mit Wellenlängen ≤ 157 nm, insbesondere für die EUV-Lithographie zur Ausleuchtung einer Objektebene umfassend eine Strahlungsquelle, die ein Bündel von Lichtstrahlen zur Verfügung stellt, wobei das Bündel von Lichtstrahlen das Beleuchtungssystem in einem Strahlengang in einer Richtung von der Strahlungsquelle zur Objektebene durchläuft und eine Lichtintensität aufweist; einer ersten optischen Komponente, die mindestens ein erstes optisches Element mit einer Vielzahl von Rasterelementen umfasst, wobei das erste optische Element im Strahlengang zwischen der Strahlungsquelle und der Objektebene angeordnet ist; dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorrichtung zur Einstellung der Lichtintensität für Wellenlängen ≤ 157 nm vorgesehen ist, die im Strahlengang von der Strahlungsquelle zur Objektebene zwischen der Strahlungsquelle und dem ersten optischen Element angeordnet ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optisches Teilsystem, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem Strahlbüschel (4), das das optische Teilsystem durchläuft mindestens einem optischen Element, auf das die Strahlen des Strahlbüschels (4) in einem ersten Nutzbereich (12, 108.1, 152, 208.1, 308.1) auftreffen, Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element mindestens einen weiteren Nutzbereich (14, 108.2, 154, 208.1, 308.1) aufweist und Einrichtungen zum Verbringen des optischen Elementes in mindestens zwei Stellungen, eine erste Stellung und eine (weitere) Stellung(en) wobei das Strahbüschel in der ersten Stellung im ersten Nutzbereich (12, 152, 108.1, 208.1, 308.1) und in der zweiten (weiteren) Stellung in einem zweiten (weiteren) Nutzbereich (14, 154, 108.2, 208.2, 308.2) auf die Oberfläche des optischen Elementes auftrifft.
Abstract:
An illumination system (12) for a microlithographic projection exposure apparatus (10) comprises a masking device (36) and a masking objective (38; 138; 238) which projects the masking device (36) onto an image plane (18). The illumination system further includes an optical correction element (46; 34'; 146a, 146b; 242; 242a, 242b, 242c) having a surface (48; 44; 44'; 148a, 148b) that is either aspherically shaped or supports diffractive structures that have at least substantially the effect of an aspherical surface. This surface is arranged at least approximately in a field plane (40; 140) which precedes the image plane (18) of the masking objective The aspherically acting surface is designed such that a principal ray distribution generated by the illumination system (12; 112; 212) in the image plane matches a principal ray distribution required by a projection objective (16).
Abstract:
Ein optisches Abbildungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage dient zur Abbildung eines in einer Objekt-ebene des Abbildungssystems angeordneten Objektfeldes in ein in einer Bildebene des Abbildungssystems angeordnetes Bildfeld. Es kann sich insbesondere um ein Projektionsobjektiv oder um ein im Beleuchtungs-system einzusetzendes Relais-Objektiv handeln. Das Abbildungssystem hat eine Vielzahl von Linsen, die zwischen der Objektebene und der Bildebene angeordnet sind und jeweils eine erste Linsenfläche und eine zweite Linsenfläche aufweisen. Mindestens eine der Linsen ist eine Doppelasphärenlinse, bei der die erste Linsenfläche und die zweite Lin-senfläche eine asphärische Fläche ist. Bei Doppelasphärenlinsen ist es möglich, mit vertretbarem Aufwand bei der Oberflächenbearbeitung und Prüfung der Linsenoberflächen Linsen mit guter Qualität herzustellen, die die Wirkung einer Asphäre mit sehr starker Deformation haben.
Abstract:
The invention relates to a collector for a projection printing installation, which is operated in a scanning mode along a scanning direction with a wavelength
Abstract:
An illumination system (12) for a microlithographic projection exposure apparatus (10) comprises a masking device (36) and a masking objective (38; 138; 238) which projects the masking device (36) onto an image plane (18). The illumination system further includes an optical correction element (46; 34'; 146a, 146b; 242; 242a, 242b, 242c) having a surface (48; 44; 44'; 148a, 148b) that is either aspherically shaped or supports diffractive structures that have at least substantially the effect of an aspherical surface. This surface is arranged at least approximately in a field plane (40; 140) which precedes the image plane (18) of the masking objective The aspherically acting surface is designed such that a principal ray distribution generated by the illumination system (12; 112; 212) in the image plane matches a principal ray distribution required by a projection objective (16).
Abstract:
The present invention relates to an illumination system for microlithography, especially for wavelengths ≤ 193 nm, especially preferably for EUV lithography for illuminating a field in a field plane with at least one optical integrator which splits up a light bundle emitted by a light source into a plurality of light channels each having a light intensity, characterized in that a filter is provided in the light path from the light source to the field plane, with the filter comprising filter elements which are configured in such a way that the light intensity of at least one light channel is reduced in the light path after the filter element.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Kollektor für eine Projektionsbelichtungsanlage, die in einem Scan-Modus entlang einer Scanrichtung mit einer Wellenlänge ≤ 193 nm, bevorzugt ≤ 126 nm, besonders bevorzugt EUV-Wellenlängen betrieben wird, wobei der Kollektor Licht einer Lichtquelle objektseitig aufnimmt und einen Bereich in einer bildseitigen Ebene, die von einem lokalen Koordinatensystem aufgespannt wird, wobei die y-Richtung des lokalen Koordinatensystems parallel zur Scanrichtung und die x-Richtung senkrecht zur Scanrichtung ist, ausleuchtet, wobei der Kollektor aufweist: eine Vielzahl von rotationssymmetrischen Spiegelschalen, umfassend jeweils wenigstens ein erstes Spiegelsegment, umfassend eine erste optische Fläche, wobei die Spiegelschalen um eine gemeinsame Rotationsachse ineinander angeordnet sind; Befestigungseinrichtungen zum Befestigen der Vielzahl von rotationssymmetrischen Spiegelschalen, und die Befestigungseinrichtungen Stützspeichen aufweisen, die sich in radialer Richtung der rotationssymmetrischen Spiegelschalen erstrecken. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Stützspeichen derart angeordnet sind, dass, wenn sie in die bildseitige auszuleuchtende Ebene projiziert werden, gegenüber der y-Richtung des lokalen Koordinatensystems in der bildseitigen Ebene geneigt sind.