高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法
    1.
    发明申请
    高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法 审中-公开
    高密度II-VI化合物半导体紧凑型及其制造方法

    公开(公告)号:WO2009028642A1

    公开(公告)日:2009-03-05

    申请号:PCT/JP2008/065493

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: C23C14/34 B22F3/08 B22F3/087

    Abstract:  本発明は、結晶子サイズが250Å以下で、相対密度が0.85以上のII-VI族化合物半導体成型体、並びに、(A)凸状の突起を有する台座と、(B)凸状の突起に嵌着されて試料装填部を形成する台座補助具と、(C)衝撃受部材とを含み、(A)台座、(B)台座補助具および(C)衝撃受部材は着脱自在に構成された衝撃ターゲットカプセルに試料を装填し、衝撃波を用いて成型することを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法を提供する。本発明はまた、試料装填部を有する衝撃ターゲットカプセルを用意し、II-VI族化合物半導体を該試料装填部に装填し、該衝撃ターゲットカプセルに15GPa以上の衝撃波を与えることを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法をも提供する。

    Abstract translation: 提供II-VI化合物半导体压块和II-VI化合物半导体紧凑制造方法。 II-VI化合物半导体压块的微晶尺寸为250以下,相对密度为0.85以上。 II-VI化合物半导体紧凑型制造方法的特征在于,将材料装载在包括(A)具有突起的基座的冲击目标胶囊中,(B)安装在突起上并构成材料装载部的基座辅助工具, 和(C)冲击接收构件,其结构为(A)基座,(B)基座辅助工具和(C)冲击接收构件是可拆卸的,并且通过使用冲击波形成半导体压块 提供。 还提供了另一种II-VI化合物半导体紧凑制造方法。 该方法的特征在于制备具有材料装载部分的冲击靶胶囊,将II-VI化合物半导体装载在材料装载部分中,并将冲击波胶片15GPa或更大的压力施加到冲击靶胶囊 。

    高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法
    2.
    发明申请
    高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法 审中-公开
    高密度组II-VI化合物半导体成型及其制造方法

    公开(公告)号:WO2009028087A1

    公开(公告)日:2009-03-05

    申请号:PCT/JP2007/066994

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: C23C14/34 B22F3/08 B22F3/087

    Abstract:  本発明は、相対密度が0.85以上のII-VI族化合物半導体成型体、並びに、(A)凸状の突起を有する台座と、(B)凸状の突起に嵌着されて試料装填部を形成する台座補助具と、(C)衝撃受部材とを含み、(A)台座、(B)台座補助具および(C)衝撃受部材は着脱自在に構成された衝撃ターゲットカプセルに試料を装填し、衝撃波を用いて成型することを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法を提供する。本発明はまた、試料装填部を有する衝撃ターゲットカプセルを用意し、II-VI族化合物半導体を該試料装填部に装填し、該衝撃ターゲットカプセルに15GPa以上の衝撃波を与えることを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法をも提供する。                                                                        

    Abstract translation: 相对密度为0.85以上的II-VI族化合物半导体成形体。 此外,提供了一种制备II-VI族化合物半导体模制品的方法,其特征在于将样品装载到包括(A)具有突出部分的支撑座的冲击目标胶囊中,(B)支撑座椅辅助件以装配到突出部分 从而形成样品装载部,(C)冲击承受部件,这些支撑座(A),支撑座椅辅助件(B)和可拆卸地构成的冲击承受部件(C),并且通过施加冲击波从而实现模制。 此外,提供了一种制备II-VI族化合物半导体模制品的方法,其特征在于提供具有样品加载部分的冲击靶胶囊,将II-VI族化合物半导体加载到样品加载部分中并施加15GPa的冲击波 或更大到冲击目标胶囊。

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