公开(公告)号：WO2019023186A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：PCT/US2018/043411

申请日：2018-07-24

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： CASTILONE, Robert Joseph ,  FLYNN, Cecilia Sarah ,  LEWIS, Mark Alan ,  MURRAY, William Joseph ,  RAVICHANDRAN, Manivannan ,  SHAVER, Rachel Marie ,  WALTON, Molly Kyser

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/632 ,  C04B35/10 ,  C04B35/185 ,  C04B35/195 ,  C04B35/478 ,  C04B35/565 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77

Abstract: Green ceramic mixture for extruding into an extruded green body includes one or more inorganic components selected from the group consisting of ceramic ingredients, inorganic ceramic-forming ingredients, and combinations thereof, at least one mineral oil, and from about 0.01 wt% to about 0.45 wt% of an antioxidant based on a total weight of the inorganic component(s), by super addition. The mineral oil has a kinematic viscosity of ≥ about 1.9 cSt at 100° C. The at least one antioxidant may have a degradation-rate peak temperature that is greater than the degradation-rate peak temperature of the at least one mineral oil. In some embodiments, the at least one mineral oil includes greater than about 20 wt% alkanes with greater than 20 carbons, based on a total weight of the at least one mineral oil. Methods of making an unfired extruded body using the batch mixture are also disclosed.

公开(公告)号：WO2016152349A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/JP2016/054839

申请日：2016-02-19

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山口　洋平 ,  角田　浩二

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、前記焼結体に存在するクラックの平均長さが３μｍ以上、１５μｍ以下であることを特徴とするＩＧＺＯ焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

Abstract translation: 该氧化物烧结体包括铟（In），镓（Ga），锌（Zn），氧（O）和不可避免的杂质，并且是具有烧结体中存在的平均裂纹长度的IGZO烧结体， 超过3μm但不大于15μm。 本发明解决了提供一种能够通过减少靶中裂纹发生而形成优异薄膜的溅射靶的问题，并且通过DC溅射进行沉积时减少了颗粒的产生。

公开(公告)号：WO2015137275A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/056809

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友金属鉱山株式会社

Inventor： 中山　徳行 ,  西村　英一郎 ,  井藁　正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 　スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。　この酸化物焼結体は、インジウムおよびガリウムを酸化物として含有し、窒素を含有し、亜鉛を含有しない。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．６０以下であり、ＧａＮ相を実質的に含まない。また、Ｇａ ２ Ｏ ３ 相を有さないことが好ましい。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度３×１０ １８ ｃｍ －３ 以下で、キャリア移動度１０ｃｍ ２ Ｖ －１ ｓｅｃ －１ 以上が得られる。

Abstract translation: 提供了一种烧结氧化物，其中当使用烧结氧化物通过溅射法获得氧化物半导体薄膜时，可以获得低载流子浓度和高载流子迁移率，以及使用所述烧结氧化物的溅射靶。 该烧结氧化物含有铟和镓作为氧化物，含有氮，不含锌。 以Ga /（In + GA）原子比计的镓含量在0.20-0.60之间，并且基本上不包括GaN相。 此外，烧结氧化物优选不具有Ga 2 O 3相。 使用该烧结氧化物作为溅射靶形成的无定形氧化物半导体薄膜的载流子浓度为3.0×10 18 cm -3以下，载流子迁移率为10cm 2·V -1·sec -1以上。

公开(公告)号：WO2015052927A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/005120

申请日：2014-10-08

Applicant: 出光興産株式会社

Inventor： 西村　麻美 ,  大山　正嗣

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786

Abstract: 　酸化インジウム及び酸化亜鉛を主成分とし、Ｉｎ ２ Ｏ ３ （ＺｎＯ） ｍ （式中、ｍ＝２～７の整数）で表される六方晶層状化合物を含有し、Ｓｎ元素及びＺｒ元素を含有し、全金属元素に対するＳｎ元素の割合が２０００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下である、スパッタリングターゲット。

Abstract translation: 一种溅射靶，其包含主要由氧化铟和氧化锌组成的六方层状化合物，由式In2O3（ZnO）m（其中m为2-7的整数）表示，并且还含有元素Sn和元素Zr 。 元素Sn相对于该溅射靶中的全部金属元素的比例大于2,000ppm但为20,000ppm以下。

公开(公告)号：WO2015046434A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/075649

申请日：2014-09-26

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 石井　秀樹 ,  川田　慎一郎 ,  林　裕之 ,  奥澤　匡 ,  鈴木　祥一郎

IPC: C04B35/00 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/273 ,  H01L41/277 ,  H01L41/43

Abstract: 　積層焼結体１は、Ｎｉを主成分とした内部電極３と圧電セラミック層とが交互に積層され焼結されてなる。圧電セラミック層は、Ｎｂ、Ｋ、Ｎａ、及びＬｉを含むペロブスカイト型化合物を主成分として含有すると共に、Ｎｄ及びＤｙから選択される少なくとも一種の元素Ｍ１と、Ｇａ及びＡｌから選択される少なくとも一種の元素Ｍ２とを含んでいる。溶解処理して溶解させた場合において、前記元素Ｍ２の含有量が、前記Ｎｂ１モル部に対し０．０７１モル部以下である。この積層型圧電セラミック圧電部品は、Ｎｉの酸化を抑制する還元性雰囲気で内部電極３となる導電膜と圧電セラミック層となるセラミックグリーンシートが共焼成されて作製される、これにより信頼性の良好な積層型圧電セラミック電子部品とその製造方法を実現する。　

Abstract translation: 通过交替层叠主要由Ni和压电陶瓷层组成的内部电极（3）并烧结层压体来获得多层烧结体（1）。 作为主要成分，压电陶瓷层含有含有Nb，K，Na，Li的钙钛矿化合物，同时含有选自Nd和Dy中的至少一种元素M1和选自Ga和Al中的至少一种元素M2。 如果通过溶解处理溶解，元素M2的含量相对于1摩尔Nb为0.071摩尔％。 这种多层压电陶瓷电子部件是通过在形成压电陶瓷层的形成内部电极（3）的导电膜和抑制Ni的氧化的还原气氛中共烧而制造的。 因此，实现了高度可靠的多层压电陶瓷电子部件和制造多层压电陶瓷电子部件的方法。

公开(公告)号：WO2014195974A1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：PCT/IN2014/000376

申请日：2014-06-03

Applicant: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH

Inventor： GOPINATH, Chinnakonda Subramanian ,  SIVARAMAN, Raja Ambal

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  B01J23/00 ,  B01J23/06 ,  B01J23/08 ,  C01B3/04 ,  C01G9/00 ,  C01B21/06 ,  C01B21/082

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J23/002 ,  B01J23/08 ,  B01J27/24 ,  B01J37/03 ,  B01J37/08 ,  B01J37/088 ,  B01J2523/00 ,  C01B3/042 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0632 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/443 ,  Y02E60/364 ,  B01J2523/27 ,  B01J2523/32 ,  B01J2523/33

Abstract: The present invention discloses photostable composite of indium gallium nitride and zinc oxide for solar water splitting, comprising Indium content in the range of 1-40 wt %, Ga content in the range of 1 to 15 wt %, nitrogen content in the range of 0.1 to 5 wt %, and the remaining is ZnO. The combusiton synthesis comprises the steps of: (a) dissolving 45 to 55 wt % urea, 75 to 80 wt % Zinc nitrate, 3 to 5 wt % Gallium nitrate, and 15 to 20 wt % Indium nitrate in water with stirring until a homogenous solution is formed; and (b) heating the homogenous solution of step (a) at a temperature in the range of 450-550 [deg.]C for period in the range of 2 to 20 min to obtain the photostable composite. '

Abstract translation: 本发明公开了用于太阳能水分解的氮化铟镓和氧化锌的光稳定复合材料，其中铟含量在1-40重量％范围内，Ga含量在1-15重量％范围内，氮含量在0.1 至5重量％，其余为ZnO。 合成合成法包括以下步骤：（a）在搅拌下，将45至55重量％的尿素，75至80重量％的硝酸锌，3至5重量％的硝酸镧和15至20重量％的硝酸铟在水中溶解，直到均匀 溶液形成; 和（b）将步骤（a）的均匀溶液在450-550℃的温度范围内加热2-20分钟，得到光稳定复合物。 “

公开(公告)号：WO2014189817A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/US2014/038543

申请日：2014-05-19

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： BACKHAUS-RICOULT, Monika ,  GLOSE, Christopher Raymond

IPC: C04B35/00 ,  C04B38/00 ,  C04B35/195 ,  C04B35/478 ,  C04B35/626

CPC classification number: B28B11/243 ,  C04B35/195 ,  C04B35/478 ,  C04B35/626 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0058 ,  C04B38/0064 ,  C04B38/0074

Abstract: The present disclosure relates to porous ceramic articles and a method of making the same. The porous ceramic articles have microstructure of sinter bonded or reaction bonded large pre-reacted particles and pore network structure exhibiting large pore necks. The method of making the porous ceramic articles involves using pre-reacted particles having one or more phases. A plastic ceramic precursor composition is also disclosed. The composition includes a mixture of at least one of dense, porous, or hollow spheroidal pre-reacted particles and a liquid vehicle.

Abstract translation: 本公开涉及多孔陶瓷制品及其制造方法。 多孔陶瓷制品具有烧结或反应结合的大的预反应颗粒和显示大孔颈的孔网络结构的微观结构。 制造多孔陶瓷制品的方法涉及使用具有一个或多个相的预反应颗粒。 还公开了塑料陶瓷前体组合物。 该组合物包括致密的，多孔的或中空的球状预反应颗粒和液体载体中的至少一种的混合物。

公开(公告)号：WO2014168073A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/JP2014/059866

申请日：2014-04-03

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 齋藤　淳 ,  森　理恵

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/257 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

Abstract: 本発明の酸化物スパッタリングターゲットは、全金属成分量に対して、Ｓｎ：７ａｔ％以上と、Ｉｎ：０．１～３５．０ａｔ％とを含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなり、ＳｎとＺｎとの含有原子比Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ）が０．５以下であり、Ｉｎが固溶したＺｎ ２ ＳｎＯ ４ を主相とした組織を有する酸化物焼結体である。

Abstract translation: 根据本发明的氧化物溅射靶包括相对于所有金属成分的总量，包含Sn为7原子％以上的Sn的烧结氧化物，In为0.1〜35.0原子％，其中 余量由Zn和不可避免的杂质构成。 在烧结氧化物中，Sn与Zn的原子含量比，即Sn /（Sn + Zn）为0.5以下。 烧结氧化物具有以固体形式存在的Zn2SnO4作为主相的结构。

公开(公告)号：WO2014112369A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/JP2014/000149

申请日：2014-01-15

Applicant: 出光興産株式会社

Inventor： 江端　一晃 ,  但馬　望

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及びアルミニウム元素（Ａｌ）を含有する酸化物からなり、ＩｎＡｌＯ ３ （ＺｎＯ） ｍ （ｍは０．１～１０）で表わされるホモロガス構造化合物、Ｉｎ ２ Ｏ ３ で表わされるビックスバイト構造化合物、及びＺｎ ２ ＳｎＯ ４ で表わされるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。

Abstract translation: 由含有铟（In），锡（Sn），锌（Zn）和铝（Al）的氧化物构成的溅射靶，其包含由InAlO 3（ZnO）m（m为0.1〜10）表示的同系结构化合物， 二氧化硅结构化合物由In2O3表示，尖晶石结构化合物由Zn2SnO4表示。

公开(公告)号：WO2014112209A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/JP2013/081773

申请日：2013-11-26

Applicant: JX日鉱日石金属株式会社

Inventor： 奈良　淳史

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/553 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/117 ,  C04B35/453 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3237 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/38 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C23C14/3414

Abstract: 亜鉛（Ｚｎ）、及び、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）、及び、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）、及び、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、酸素（Ｏ）、及び、フッ素（Ｆ）からなり、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）の含有量がＧａ 2 Ｏ 3 又はＡｌ 2 Ｏ 3 又はＢ 2 Ｏ 3 換算でＡｍｏｌ％、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）の含有量がＧｅＯ 2 又はＳiＯ 2 換算でＢｍｏｌ％、マグネシウム（Ｍｇ）の含有量がＭｇＦ 2 換算でＣｍｏｌ％としたとき、１０≦Ａ＋Ｂ＋Ｃ≦７０であることを特徴とする焼結体。特に、バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、低屈折率のアモルファス薄膜を形成することができる。

Abstract translation: 一种烧结体，其特征在于包括：锌（Zn）; 镓（Ga），铝（Al）或硼（B）; 锗（Ge）或硅（Si）; 镁（Mg）; 氧（O）; 和氟（F）; 并且满足10≤A+ B +C≤70的关系，其中A是以Ga 2 O 3，Al 2 O 3或B 2 O 3换算成镓（Ga），铝（Al）或硼（B）的含量为摩尔％的含量， B是根据GeO 2或SiO 2换算成摩尔％的锗（Ge）或硅（Si）的含量，C是以MgF 2换算为摩尔％的镁（Mg）的含量。 特别地，可以形成具有低体积电阻并且能够进行DC溅射的低折射率非晶薄膜。