公开(公告)号：WO2006059373A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：PCT/JP2004/017806

申请日：2004-11-30

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  小森秀樹 ,  河村祥一 ,  田屋正則

Inventor： 小森秀樹 ,  河村祥一 ,  田屋正則

IPC: G11C16/12

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C2216/14

Abstract: 　半導体装置は、メモリセルのドレインに書込み電圧を供給する書込電圧供給回路と、書込電圧供給回路が供給する書込み電圧を書込電圧供給回路の出力電圧によって検出する検出回路と、書込み電圧供給回路が供給する書込み電圧が所定の電圧以下に低下した場合、所定の発振回路が出力するクロック信号を低い周波数のクロック信号に変換する周波数変換回路と、周波数変換回路が周波数を変換したクロック信号を用いて、メモリセルのゲートに供給する電圧を発生する電圧発生回路とを含む。これにより、プログラム電圧発生回路の電流供給能力を超えないように正確にゲート電圧を制御して多ビットを同時に書込むことができる。よって、プログラム電圧発生回路の能力を最大限に利用した書込みを行うことができる。

Abstract translation: 一种半导体器件包括用于向存储单元的漏极提供写入电压的写入电压提供电路; 检测电路，用于通过写入电压供给电路的输出电压检测由写入电压供给电路提供的写入电压; 当由写入电压提供电路提供的写入电压降低到规定电压以下时，将由规定的振荡电路输出的时钟信号变换为低频时钟信号的变频电路; 以及电压产生电路，用于通过使用频率由频率转换电路转换的时钟信号产生要提供给存储单元的栅极的电压。 因此，栅极电压被精确地控制，以便不会产生编程电压产生电路的过大的电流供应能力，并且同时写入多个位。 因此，可以通过最大程度地利用程序电压产生电路的能力来进行写入。