公开(公告)号：WO2007043095A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：PCT/JP2005/018085

申请日：2005-09-30

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  荒川 秀貴 ,  川本 悟

Inventor： 荒川 秀貴 ,  川本 悟

IPC: G11C16/30

CPC classification number: G11C5/145

Abstract: 　メモリセルアレイに供給されるバイアス電圧を、外部電圧に対して昇圧された昇圧電圧と昇圧されない非昇圧電圧との間で選択して供給するに当たり、ＤＣ－ＤＣコンバータ部が、メモリセルアレイにバイアス電圧を供給する内部バイアス線に、外部電圧を昇圧した昇圧電圧を供給する期間には、外部電圧以下の非昇圧電圧を供給する非昇圧電圧供給部を休止状態とし、非昇圧電圧供給部が、内部バイアス線に非昇圧電圧を供給する期間には、ＤＣ－ＤＣコンバータ部を休止状態とする。内部バイアス線への昇圧電圧の供給期間には、ＤＣ－ＤＣコンバータ部を使用して充分な電力供給能力を確保した上で、内部バイアス線に非昇圧電圧を供給する期間には、ＤＣ－ＤＣコンバータ部を休止状態に維持することができる。昇圧電圧の供給が不要な期間に、ＤＣ－ＤＣコンバータ部による消費電力の低減を図ることができる。

Abstract translation: 被

提供给存储单元阵列的偏置电压，当供给到非之间进行选择升压电压升压不和升压电压升压到外部电压，DC-DC转换器 但是，用于向存储单元阵列，用于提供通过提高外部电压而获得的升压电压的期间，以及用于以下非升压电压休眠提供外部电压的非升压电压供给单元供给的偏置电压的内部偏置线，非 升压后的电压供给单元，在期间用于提供DC-DC转换器的非升压电压施加到所述内部偏置线，以及休眠。 升压电压到内部偏置线的供给期间，同时确保通过使用DC-DC转换器，用于提供非升压电压施加到所述内部偏置线，DC-DC的期间足够的功率供给能力 有可能维持转换器部分进入休眠状态。 升压电压的不必要的时间供给，所以能够减少由DC-DC转换器的功率消耗。

公开(公告)号：WO2007069321A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：PCT/JP2005/023011

申请日：2005-12-15

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  矢野 勝 ,  荒川 秀貴 ,  坂下 基匡 ,  小川 暁 ,  新村 義明 ,  青木 一

Inventor： 矢野 勝 ,  荒川 秀貴 ,  坂下 基匡 ,  小川 暁 ,  新村 義明 ,  青木 一

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/0475

Abstract: 　絶縁性トラップ層を備えるメモリセルにおいて、第１トラップ領域の電荷の有無に応じて１ビットデータを記憶する記憶モードを有する不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶装置の制御方法であって、ダイナミックリファレンスセルの初期化動作において、メモリセルの第２トラップ領域への電荷蓄積動作に合せて、初期化動作におけるプリセット動作として、第１および第２ダイナミックリファレンスセルの第２トラップ領域に対して電荷蓄積動作を行なう。また、データ書き換え時に、第１トラップ領域に対してプリプログラムベリファイ、およびプリプログラム動作を行なう。これにより、初期化動作および書き換え動作の時間短縮を図ることができる。

Abstract translation: 一种非易失性存储器，其中包括绝缘陷阱层的存储单元具有用于根据第一陷阱区域中的电荷的存在来存储一位数据的存储模式，以及控制非易失性存储器的方法。 在第一和第二动态参考单元的初始化中，与在存储单元的第二陷阱区域上执行的电荷累积同步地，在第一和第二动态参考单元的第二陷阱区域上执行作为初始化的预设操作的电荷累积。 在数据重写中，在第一陷阱区域执行预编程验证和预编程操作。 以这种方式，可以缩短初始化和重写所需的时间。

公开(公告)号：WO2006129339A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/JP2005/009860

申请日：2005-05-30

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  荒川 秀貴

Inventor： 荒川 秀貴

IPC: G11C16/30 ,  H02M3/155

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C5/145 ,  G11C8/08

Abstract: 　誤差増幅回路Ａ１に応じて第１スイッチ回路Ｔ１の導通／非導通の制御を周期的に行なうことにより、入力電圧ＶＩＮからインダクタンス回路Ｌ１に蓄積される電力を、整流回路Ｄ１を介してメモリセルアレイ１１に放出して、設定電圧に昇圧されたバイアス電圧ＶＰＰを供給する。このとき、電圧調整部１３が、バイアス電圧ＶＰＰの印加対象メモリセルの位置情報ＡＤおよびカウンタ情報ＣＯＵＮＴに応じて昇圧電圧供給部１２の誤差増幅回路Ａ１に作用し、バイアス電圧ＶＰＰの電圧値を直接に調整する。記憶容量が大容量化された場合にも、メモリセルアレイに対して充分な供給能力で昇圧されたバイアス電圧を供給することができると共に、対象メモリセルの位置に応じて設定電圧を調整して、対象メモリセル数、位置に関わらず好適な昇圧電圧を供給することができる。

Abstract translation: 根据误差放大电路（A1）周期性地执行第一开关电路（T1）的导通/非导通控制，从而将已经从输入电压（VIN）存储的电力放电到电感电路（ L1）通过整流电路（D1）提供给存储单元阵列（11），以提供升压到设定值的偏置电压（VPP）。 此时，通过根据计数器信息（COUNT）操作升压电压供给部（12）的误差放大电路（A1），电压调整部（13）直接调整偏置电压（VPP）的电压值， 要施加偏置电压（VPP）的目标存储单元的位置信息（AD）。 以这种方式，即使要扩大存储容量，也可以向存储单元阵列提供已经被提供足够的供应能力的偏置电压。 此外，可以根据目标存储单元的位置来调整设定电压，从而向目标存储单元的位置和数量提供合适的升压电压。