公开(公告)号：WO2011055492A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/JP2010/006148

申请日：2010-10-15

Applicant: パナソニック株式会社 ,  村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

Inventor： 村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 　小型化と高集積化の要望が高まっている半導体記憶装置において、メモリセルＡ、Ｂの容量素子の下層において、隣接する２つのメモリセルＡ、Ｂにまたがって、電源電圧を安定化させるなどの目的で搭載が必要な平滑容量が形成される。これにより、大容量の平滑容量の占有面積を縮小して高集積化を図りながら、その大容量の平滑容量を搭載することが可能である。

Abstract translation: 关于半导体存储装置，尺寸减小和高集成度的要求一直在增加。 公开了一种半导体存储装置，其中在存储单元（A，B）的电容元件的下层上的两个相邻的存储单元（A，B）上形成平滑电容器，所述平滑电容器需要安装在 电源稳压的目的等。 因此，可以通过减小大容量平滑电容器占用的面积来实现高集成度，可以安装大容量平滑电容器。

公开(公告)号：WO2010137097A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2009/007102

申请日：2009-12-22

Applicant: パナソニック株式会社 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫

Inventor： 岩成俊一 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/08 ,  G11C8/08

Abstract: 　高信頼性データ格納領域の読み出し動作マージンを拡大して、保持データが読み出せないエラーが発生しがちなのを防止する。　共通のビット線に接続される複数のメモリセルと、前記メモリセルを選択する選択線と、前記選択線を駆動する駆動回路と、選択されたメモリセルの記憶内容に応じて前記ビット線に生じる電圧を増幅するセンスアンプとを備えた半導体記憶装置において、前記メモリセルが設けられるメモリ領域は、第１の領域と第２の領域とを有し、前記第１の領域からの読み出しが行われる場合に、第２の領域よりも多くの前記選択線が、共通の駆動回路により同時に駆動されて、第２の領域よりも多くのメモリセルが同時に選択され、前記同時に選択されたメモリセルの記憶内容に応じて前記共通のビット線に生じる電圧が、前記センスアンプによって増幅される。

Abstract translation: 增加了高度可靠的数据存储区域的读取操作余量以防止持有数据不能读取的错误发生的事实。 一种半导体存储器件，包括连接到公共位线的多个存储单元，用于选择存储单元的选择线，用于驱动选择线的驱动器电路，以及用于放大位线中产生的电压的读出放大器， 所选择的存储单元的存储器的内容，其中提供存储单元的存储区域包括第一区域和第二区域，其中当执行来自第一区域的读取时，选择线同时由 公共驱动器电路多于第二区域，并且存储器单元被同时选择为比第二区域的存储单元多，并且其中在公共位线中产生的电压由读出放大器根据存储器的存储器的内容放大 同时选择存储单元。