公开(公告)号：WO2011007529A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/JP2010/004465

申请日：2010-07-09

Applicant: パナソニック株式会社 ,  夘野高史 ,  八幡和宏 ,  石崎俊雄

Inventor： 夘野高史 ,  八幡和宏 ,  石崎俊雄

IPC: H03F3/24 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F3/245 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/56 ,  H03F3/189 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/423 ,  H03F2203/7215

Abstract: 　高周波電力増幅器は、第１の周波数の高周波信号を増幅するトランジスタ（１０４）と、トランジスタ（１０４）の入力端側に接続された入力整合回路（１０２）と、トランジスタ（１０４）の出力端側に接続された出力整合回路（１０５）と、一端側がトランジスタ（１０４）の出力端に接続され、他端側が出力整合回路（１０５）の入力端およびバイアス端子（１０３）に接続されたリアクタンス制御回路（１０７）とを有する。リアクタンス制御回路（１０７）は、トランジスタ（１０４）の出力端における当該トランジスタ（１０４）の寄生容量成分との間で第２の周波数で共振するリアクタンスを有する。第２の周波数は、第１の周波数と同一の周波数、または、第１の周波数の近傍の周波数である。

Abstract translation: 提供了一种高频功率放大器，其具有：放大具有第一频率的高频信号的晶体管（104） 连接到晶体管（104）的输入侧的输入匹配电路（102）; 连接到晶体管（104）的输出侧的输出匹配电路（105）; 和电抗控制电路（107），其一侧连接到晶体管（104）的输出侧，另一侧连接到输出匹配电路（105）的输入侧，并与偏置端 （103）。 电抗控制电路（107）具有以第二频率与所述晶体管（104）的输出侧上的晶体管（104）的寄生电容分量谐振的电抗。 第二个频率与第一个频率相同或接近。

公开(公告)号：WO2009139136A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/JP2009/002024

申请日：2009-05-08

Applicant: パナソニック株式会社 ,  石崎俊雄 ,  岡島利幸 ,  八幡和宏 ,  夘野高史

Inventor： 石崎俊雄 ,  岡島利幸 ,  八幡和宏 ,  夘野高史

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  Y02B40/143 ,  Y02B40/146

Abstract: 　周波数可変型発振器１と、周波数可変型発振器１の出力を増幅する半導体電力増幅器２と、半導体電力増幅器２の出力に基づいて加熱用電磁波を放射する放射器３と、加熱用電磁波の反射波を検出する反射波モニタ回路５と、周波数可変型発振器１の発振周波数を制御する制御回路７とを備えている。制御回路７は、周波数可変型発振器１の発振周波数を不連続に切り替えることにより、放射器３から周波数ホッピング式スペクトル拡散型の放射を行うことができる。放射器３から放射された電磁波は、加熱庫８の内部に配置される被加熱物（通常は食品）９を照射し、被加熱物を加熱する。

Abstract translation: 提供了一种可变频率振荡器（1），放大可变频率振荡器（1）的输出的半导体功率放大器（2），基于半导体功率放大器的输出辐射用于加热的电磁波的散热器（3） （2），检测用于加热的电磁波的反射波的反射波监视电路（5）和用于控制可变频率振荡器（1）的振荡频率的控制电路（7）。 控制电路（7）通过不连续地切换可变频率振荡器（1）的振荡频率，通过跳频扩频来实现来自散热器（3）的辐射。 从散热器（3）辐射的电磁波照射放置在加热装置（8）内部的被加热物（通常为食品）（9），对被加热物进行加热。

公开(公告)号：WO2009044518A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/JP2008/002682

申请日：2008-09-26

Applicant: パナソニック株式会社 ,  田村昌也 ,  石崎俊雄

Inventor： 田村昌也 ,  石崎俊雄

IPC: H01P1/20 ,  H03H7/01 ,  H03H7/075

CPC classification number: H03H7/0115 ,  H01P1/203 ,  H03H7/175 ,  H03H7/1775 ,  H03H7/1791

Abstract: 　本発明に係る左手系フィルタは、コンデンサ（１２ｃ）及びグランドに接続された段間結合素子（９ｂ）と、段間結合素子（９ｂ）接続されたコンデンサ（１２）と、コンデンサ（１２）に接続されたコンデンサ（２）と、コンデンサ（２）とコンデンサ（１２）との接続点及びグランドに接続されたインダクタ（１１）と、コンデンサ（１０）及びグランドに接続されたインダクタ（１）と、コンデンサ（２ｃ）に接続された入出力結合素子（８ｂ）と、コンデンサ２に接続された入出力結合素子（７ｂ）とを含む。コンデンサ（１２，１２ｃ）、コンデンサ（２，２ｃ）、インダクタ（１１，１１ｃ）、インダクタ（１，１ｃ）はそれぞれ段間結合素子（８）に関して対称位置に配置した。

Abstract translation: 提供一种左旋过滤器，包括与冷凝器（12c）和地面连接的级间联接元件（9b），与级间联接元件（9b）连接的冷凝器（12），与冷凝器 （12），与冷凝器（2）和冷凝器（12）之间的节点和地面连接的电感器（11），与电容器（10）和地连接的电感器（1），输入/输出耦合器 与电容器（2c）连接的元件（8b）和与冷凝器（2）连接的输入/输出耦合元件（7b）。 电容器（12和12c），电容器（2和2c），电感器（11和11c）和电感器（1和1c）分别布置在相对于级间耦合元件（8）的对称位置。

公开(公告)号：WO2010140342A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/JP2010/003645

申请日：2010-05-31

Applicant: パナソニック株式会社 ,  岡島利幸 ,  石崎俊雄

Inventor： 岡島利幸 ,  石崎俊雄

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H05B6/686 ,  H05B6/70 ,  H05B6/705 ,  H05B6/72 ,  H05B2206/044 ,  Y02B40/143 ,  Y02B40/146

Abstract: 　本発明の高周波加熱装置は、複数の高周波電力を放射する複数の高周波電力発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）と、複数の高周波電力発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）が放射する高周波電力の各周波数の組み合わせを複数の高周波電力発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）に設定する制御部（１５０）とを備え、複数の高周波電力発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）における逆流電力検出部（１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ）は、反射電力とスルー電力とを個別に検出し、制御部（１５０）は、検出された反射電力およびスルー電力の位相と振幅に基づいて、被加熱物を加熱する際の複数の高周波電力発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）に発生させる複数の高周波電力の各周波数の組み合わせを決定する。

Abstract translation: 公开了一种高频加热装置，包括：多个高频发电单元（101a，101b，101c），每个高频发电单元产生高频功率; 以及控制器（150），其设定由所述多个高频发电单元（101a，101b，101c）生成的所述高频电力的不同频率的组合，所述多个高频发电单元 ，101b，101c）。 多个高频发电单元（101a，101b，101c）中的逆流功率检测部（108a，108b，108c）分别检测反射功率和通过功率。 基于检测到的反射功率和通过功率的相位和幅度，控制部（150）确定由多个高频发生部（101a，...）产生的高频电力的不同频率的组合， 101b，101c）。

公开(公告)号：WO2011007542A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/JP2010/004508

申请日：2010-07-12

Applicant: パナソニック株式会社 ,  石崎俊雄

Inventor： 石崎俊雄

IPC: H05B6/74 ,  H05B6/64 ,  H05B6/66 ,  H05B6/68

CPC classification number: H05B6/705

Abstract: 　高周波加熱装置（１００）は、加熱室（１２０）と、加熱室に高周波を放射する第１高周波発生ユニット（１０１ａ）及び第２高周波発生ユニット（１０１ｂ）と、第１及び第２高周波発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ）を制御する制御部（１０２）とを備える。第１及び第２高周波発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ）はそれぞれ、加熱室に高周波を放射する放射部（１０８ａ、１０８ｂ）と、加熱室から入射してくる逆流波を復調する逆流波復調部（１０９ａ、１０９ｂ）とを備える。第１高周波発生ユニットの逆流波復調部（１０９ａ）は、放射部（１０８ａ）から放射された高周波が反射により当該放射部（１０８ａ）へ戻ってくる反射波と、他の放射部（１０８ｂ）が放射した高周波が放射部（１０８ａ）に入ってくるスルー波とを検出する。制御部（１０２）は、検出された反射波とスルー波とに基づいて、第１及び第２高周波発生ユニット（１０１ａ、１０１ｂ）を制御する。

Abstract translation: 公开了一种高频辐射加热装置（100），其具有加热室（120），第一高频辐射发生单元（101a）和第二高频辐射发生单元（101b），其将高频辐射发射到 加热室和控制第一和第二高频辐射发生单元（101a，101b）的控制器（102）。 第一和第二高频辐射发生单元（101a，101b）各自设置有向加热室发射高频辐射的发射器（108a，108b）和向后解调的后辐射解调器（109a，109b） 来自加热室的辐射。 第一高频辐射发生单元中的后辐射解调器（109a）检测由发射器（108a）发射并经由反射返回发射器（108a）的反射高频辐射，并且还检测通过辐射 其在从另一发射器（108b）发射之后进入发射极（108a）。 控制器（102）基于检测到的反射辐射和通过辐射来控制第一和第二高频辐射发生单元（101a，101b）。

公开(公告)号：WO2009028153A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/JP2008/002247

申请日：2008-08-20

Applicant: パナソニック株式会社 ,  田村昌也 ,  石崎俊雄

Inventor： 田村昌也 ,  石崎俊雄

IPC: H03H5/02 ,  H03H7/01 ,  H03H7/09 ,  H01P1/203 ,  H01P7/08

CPC classification number: H01P7/084 ,  H01P1/20372 ,  H01P1/20381

Abstract: 　上面グランド電極（４）と平行に配置された平板状の第１高インピーダンス配線（７ａ）と、第１高インピーダンス配線（７ａ）に対向するよう配置された平板状の第２高インピーダンス配線（７ｂ）と、第１高インピーダンス配線（７ａ）と第２高インピーダンス配線（７ｂ）とを電気的に接続する第１柱状導体（９ａ）と、第１高インピーダンス配線（７ａ）と第２高インピーダンス配線（７ｂ）との間に配置された第１低インピーダンス配線（８ａ）と、第１高インピーダンス配線（７ａ）と第１低インピーダンス配線（８ａ）と、を電気的に接続する第２柱状導体（９ｂ）と、第１低インピーダンス配線（８ａ）と第２高インピーダンス配線（７ｂ）との間に配置された第２低インピーダンス配線（８ｂ）と、第２高インピーダンス配線（７ｂ）と第２低インピーダンス配線（８ｂ）とを電気的に接続する第３柱状導体（９ｃ）とを有する共振器により、共振器の小面積化を実現する。

Abstract translation: 谐振器设置有平行于上表面接地电极（4）布置的平板状的第一高阻抗布线（7a）; 布置成面向第一高阻抗布线（7a）的平板状的第二高阻抗布线（7b）; 用于电连接第一高阻抗布线（7a）和第二高阻抗布线（7b）的第一柱状导体（9a）; 布置在第一高阻抗布线（7a）和第二高阻抗布线（7b）之间的第一低阻抗布线（8a）; 用于电连接第一高阻抗布线（7a）和第一低阻抗布线（8a）的第二柱状导体（9b）; 布置在第一低阻抗布线（8a）和第二高阻抗布线（7b）之间的第二低阻抗布线（8b）; 以及用于电连接第二高阻抗布线（7b）和第二低阻抗布线（8b）的第三柱状导体（9c）。 谐振器面积小。