公开(公告)号：WO2005088818A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/004055

申请日：2005-03-09

Applicant: ローム株式会社 ,  酒井 優 ,  梅本 清貴 ,  蜂谷 尚悟

Inventor： 酒井 優 ,  梅本 清貴 ,  蜂谷 尚悟

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 　制御信号生成回路１は、出力電圧Ｖ Ｏ と基準電圧源１１から出力される基準電圧とを比較する比較器１０と、比較器１０の出力によってセットされるフリップフロップ１２と、入力電圧Ｖ ＩＮ 、基準電圧Ｖ ＲＥＦ２ 、及びフリップフロップ１２の反転出力を入力し、入力電圧Ｖ ＩＮ と基準電圧Ｖ ＲＥＦ２ との比に応じてオン期間を設定し、フリップフロップ１２の出力パルスが立ち上がってから前記オン期間が経過するとフリップフロップ１２をリセットするパルス制御回路１３と、を備え、フリップフロップ１２の出力パルスを制御信号としてドライバ論理回路２に出力する。ドライバ論理回路２は、前記制御信号に基づいてＮＭＯＳ３及び４をオン／オフ制御する。これにより、高速動作が可能なスイッチングレギュレータを実現することができる。

Abstract translation: 控制信号发生电路（1）包括比较器（10），用于将输出电压VO与从参考电压源（11）输出的参考电压进行比较，由比较器（10）的输出设置的触发器（12） ）和接收输入电压VIN，参考电压VREF2和触发器（12）的反相输出的脉冲控制电路（13）根据输入电压VIN和 参考电压VREF2，并且在触发器（12）的输出脉冲上升之后导通时间过去时复位触发器（12）。 触发器（12）的输出脉冲作为控制信号输出到驱动器逻辑电路（2）中。 驱动器逻辑电路（2）根据控制信号进行NMOS（3,4）的接通/断开控制。 因此，能够实现能够高速运转的开关稳压器。

公开(公告)号：WO2005046036A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：PCT/JP2004/016720

申请日：2004-11-11

Applicant: ローム株式会社 ,  梅本 清貴 ,  竹村 興

Inventor： 梅本 清貴 ,  竹村 興

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 　セラミックコンデンサを平滑化コンデンサとして用いることができるＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。このＤＣ／ＤＣコンバータ１は、スイッチング素子１４を開閉することにより、入力電源（Ｖ ＣＣ ）から負荷３が接続される出力端子OUTにコイル１６を通じて電力を供給し、出力端子OUTの電圧を調整する。そして、コイル電流Ｉ Ｌ を検出するコイル電流検出抵抗１７と、コイル電流検出抵抗１７の負荷側に接続され、出力端子OUTの電圧を平滑化する平滑化コンデンサ１８と、コイル電流検出抵抗１７のコイル側の電圧を検出して、コイル電流Ｉ Ｌ の基準電流値を制御する基準電流値制御回路８と、基準クロックCLKを発生するクロック発生器１０と、基準クロックCLKに同期してスイッチング素子１４を閉じ、コイル電流Ｉ Ｌ が基準電流値を越えるとスイッチング素子１４を開く帰還回路９と、を備えて構成される。

Abstract translation: 一种DC / DC转换器，其中可以使用陶瓷电容器作为平滑电容器。 在DC / DC转换器（1）中，开关元件（14）开闭，从而将来自输入电源（VCC）的电力通过线圈（16）提供给连接到输出端子（OUT）的输出端子 到负载（3），并调节输出端（OUT）的电压。 DC / DC转换器（1）包括线圈电流检测电阻（17），用于检测线圈电流（IL）; 连接到线圈电流检测电阻器（17）的负载侧的平滑电容器（18），用于平滑输出端子（OUT）处的电压; 用于检测线圈电流检测电阻器（17）的线圈侧的电压以控制线圈电流（IL）的参考电流值的参考电流值控制电路（8）; 用于产生参考时钟（CLK）的时钟发生器（10）; 以及用于当所述线圈电流（IL）超过所述参考电流值时与所述基准时钟（CLK）同步地闭合所述开关元件（14）并用于断开所述开关元件（14）的反馈电路（9）。

公开(公告)号：WO2005088817A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/000394

申请日：2005-01-14

Applicant: ローム株式会社 ,  酒井 優 ,  梅本 清貴

Inventor： 酒井 優 ,  梅本 清貴

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/1588 ,  Y02B70/1466

Abstract: 　制御信号生成回路１は、出力電圧Ｖ Ｏ と基準電圧源１１から出力される基準電圧とを比較する比較器１０と、比較器１０の出力によってセットされるフリップフロップ１２と、入力電圧Ｖ ＩＮ 、基準電圧Ｖ ＲＥＦ２ 、及びフリップフロップ１２の反転出力を入力し、入力電圧Ｖ ＩＮ と基準電圧Ｖ ＲＥＦ２ との比に応じてオン期間を設定し、フリップフロップ１２の出力パルスが立ち上がってから前記オン期間が経過するとフリップフロップ１２をリセットするパルス制御回路１３と、を備え、フリップフロップ１２の出力パルスを制御信号としてドライバ論理回路２に出力する。ドライバ論理回路２は、前記制御信号に基づいてＮＭＯＳ３及び４をオン／オフ制御する。これにより、高速動作が可能なスイッチングレギュレータを実現することができる。

Abstract translation: 控制信号产生电路（1）包括比较器（10），其将输出电压（VO）与从参考电压源（11）输出的参考电压进行比较; 由比较器（10）的输出设置的触发器（12）; 以及接收输入电压（VIN），参考电压（VREF2）和触发器（12）的输出的反相版本的脉冲控制电路（13），然后根据所述比例设置ON间隔 的输入电压（VIN）和参考电压（VREF2），然后当触发器（12）的输出脉冲的上升经过接通间隔时，复位触发器（12）。 触发器（12）的输出脉冲作为控制信号输出到驱动器逻辑电路（2），驱动器逻辑电路（2）根据控制信号控制NMOS（3,4）的导通/截止。 以这种方式，可以实现能够执行高速率操作的开关调节器。

公开(公告)号：WO2006137213A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：PCT/JP2006/308340

申请日：2006-04-20

Applicant: ローム株式会社 ,  酒井 優 ,  梅本 清貴

Inventor： 酒井 優 ,  梅本 清貴

IPC: H02M3/155 ,  H02M7/21

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H02M2001/0032 ,  Y02B70/1466 ,  Y02B70/16

Abstract: 　回路面積の増加を抑えつつ、軽負荷時の効率を改善した降圧型スイッチングレギュレータおよびその制御回路を提供する。 　出力監視コンパレータ１０は、出力電圧Ｖｏｕｔが基準電圧Ｖｒｅｆより低くなるとオン信号ＳＩＧ１０を出力する。パルス変調器１２は、オン信号ＳＩＧ１０が出力されてからオン時間Ｔｏｎ、所定レベルとなるパルス信号ＳＩＧ１６を生成する。ドライバ回路２０は、パルス信号ＳＩＧ１６にもとづきスイッチングトランジスタＭ１および同期整流用トランジスタＭ２をデッドタイムを挟んで交互にオンする。軽負荷モード検出部３０は、スイッチングトランジスタＭ１と同期整流用トランジスタＭ２の接続点のスイッチング電圧Ｖｓｗと接地電位とを比較し、出力監視コンパレータ１０からオン信号ＳＩＧ１０が出力されるタイミングにおいて、スイッチング電圧Ｖｓｗが接地電位より高いとき、オン信号ＳＩＧ１０を無効化する。

Abstract translation: 降压开关调节器，其中轻负载时的效率已经得到改善，同时电路面积的增加被抑制。 降压开关调节器的控制电路。 当输出电压（Vout）变得低于参考电压（Vref）时，输出监视比较器（10）输出ON信号（SIG10）。 脉冲调制器（12）产生在ON信号（SIG10）的输出处开始的接通时间段（Ton）的预定电平的脉冲信号（SIG16）。 基于脉冲信号（SIG16），驱动电路（20）交替地接通开关晶体管（M1）和同步/整流晶体管（M2），其间具有死区时间。 轻负载模式检测部分（30）将接地电位与开关晶体管（M1）与同步/整流晶体管（M2）之间的接点处的开关电压（Vsw）进行比较，并且使（ON）信号（SIG10）无效， 在来自输出监视比较器（10）的ON信号（SIG10）的输出定时，开关电压（Vsw）高于接地电位。

公开(公告)号：WO2006135062A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：PCT/JP2006/312167

申请日：2006-06-16

Applicant: ローム株式会社 ,  梅本 清貴

Inventor： 梅本 清貴

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H02M3/155

CPC classification number: H02M3/156 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0266

Abstract: 　本発明に係る半導体装置１００は、バックゲート領域ａと、ソース領域及びドレイン領域の一方となる第１領域ｂと、ソース領域及びドレイン領域の他方となる第２領域ｃと、を備えるＭＯＳトランジスタ１０を有する半導体装置において、第１領域ｂに接続され、半導体装置１００の外部から入力電圧が印加される入力端子２０と、第２領域ｃに接続されるとともに、半導体装置１００の外部へ出力電圧を出力する出力端子３０と、入力電圧もしくは出力電圧のいずれかの電圧をバックゲート領域ａに印加するバックゲート制御回路４０とを有して成る。このような構成とすることにより、出力ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、入出力端子間に逆バイアスが印加されても、両端子間を絶縁すると同時に、基板バイアス効果によるドレイン電流の低下を抑制することが可能となる。

Abstract translation: 半导体器件（100）包括具有背栅极区域“a”的MOS晶体管（10），用作源区域和漏极区域之一的第一区域“b”和用作第二区域“ 源极区域和漏极区域中的另一个。 半导体器件还包括连接到第一区域“b”并从半导体器件（100）的外部施加输入电压的输入端子（20），连接到第二区域“c”的输出端子（30） 并输出半导体器件（100）外部的输出电压;以及用于将输入电压或输出电压施加到背栅极区域“a”的背栅极控制电路（40）。 利用具有输出MOS晶体管的半导体器件的这种配置，即使在输入和输出端子之间施加反向偏压，端子彼此绝缘，也可以抑制衬底偏置效应引起的漏极电流的降低。