公开(公告)号：WO2010134207A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/JP2009/059639

申请日：2009-05-20

Applicant: 住友ベークライト株式会社 ,  平野孝 ,  番場敏夫 ,  岡明周作 ,  眞壁裕明

Inventor： 平野孝 ,  番場敏夫 ,  岡明周作 ,  眞壁裕明

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/023

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0226

Abstract: ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂（Ａ）と、感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）と、一般式（１）で示されるヒンダード系フェノール酸化防止剤（Ｃ）と、一般式（２）で示されるフェノール化合物（Ｄ）と、を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。一般式（１）： （式（１）中、Ｒ １ は水素原子又は炭素数１～４の有機基である。ａは１～３の整数である。ｂは１～３の整数である。）一般式（２）： （式（２）中、Ｒ ２ はメチレン又は単結合である。ｃは１～３の整数である。ｄは１～３の整数である。） 本発明によれば、感度及び解像度が高く、硬化後の膜の色が淡く、硬化後の熱処理においても変色が少なく、且つ、基盤に対する硬化膜の密着性が高いポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子を提供することができる。

Abstract translation: 一种正型感光性树脂组合物，其特征在于，包括聚苯并恶唑前体树脂（A），感光性重氮醌化合物（B），由通式（1）表示的受阻酚抗氧化剂（C）和由通式 （2）。 通式（1）:(式（1）中，R 1表示氢原子或碳原子数1〜4的有机基团，变数a表示1〜3的整数，b表示1以上的整数） 通式（2）:(式（2）中，R 2为亚甲基或单键，变量c表示1〜3的整数，变数d表示1〜3的整数。） 是正性感光性树脂复合体，保护膜，层间绝缘膜以及使用其的显示元件和显示元件，其中灵敏度和分辨率高，固化后的膜颜色变浅，即使在后固化中也几乎没有变色 热处理，并且固化膜牢固地粘附到基底上。

公开(公告)号：WO2009022732A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：PCT/JP2008/064614

申请日：2008-08-08

Applicant: 住友ベークライト株式会社 ,  番場敏夫

Inventor： 番場敏夫

IPC: G03F7/023

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/40

Abstract: 下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなるポリアミド樹脂(A)と、感光性化合物(B)とを、含むポジ型感光性樹脂組成物であって、該ポリアミド樹脂(A)の重量平均分子量Mwは、５，０００～８０，０００であり、該ポジ型感光性樹脂組成物を２５０°Cで硬化させた時の硬化膜の引っ張り弾性率が２．０～４．０GPaであり、かつ引張り伸び率が１０～１００%であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。　本発明によれば、低温硬化が可能なポジ型感光性樹脂組成物、さらには、前記ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を有する信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。

Abstract translation: 公开了含有由下述式（1）表示的结构单元和由下式（2）表示的结构单元和光敏化合物（B）组成的聚酰胺树脂（A）的正型感光性树脂组合物。 该正型感光性树脂组合物的特征在于，聚酰胺树脂（A）的重均分子量Mw为5,000〜80,000，通过使正性感光性树脂组合物在250℃下固化得到的固化膜的拉伸弹性模量为2.0〜 4.0GPa，拉伸伸长率为10-100％。 （1）（2）该正型感光性树脂组合物可以在低温下固化。 还公开了具有这种正性感光性树脂组合物的固化膜的半导体装置，其可靠性优异。

公开(公告)号：WO2008156190A1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/JP2008/061385

申请日：2008-06-17

Applicant: 住友ベークライト株式会社 ,  番場敏夫

Inventor： 番場敏夫

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/3171 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  C09D179/04 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0233 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半導体用ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路配線を形成する回路形成工程と、前記回路配線を形成した後に、前記回路配線を保護するように硬化膜を形成する硬化膜形成工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記硬化膜は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明によれば、半導体装置を製造する際に、半導体ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路を形成する時に生じるＴ−トップの現象等の不具合を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。　　

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使用化学放大抗蚀剂在半导体晶片上形成电路布线的电路形成工序，以及在所述电路布线形成后形成固化膜的固化膜形成工序 以保护电路接线。 该方法的特征在于，固化膜由包含具有聚苯并恶唑结构的碱溶性树脂或聚苯并恶唑前体结构的光敏树脂组合物的固化产物，曝光时产生酸的材料和溶剂形成， 感光性树脂组合物基本上不含N-甲基-2-吡咯烷酮。 在该过程中，在制造半导体器件时，可以抑制在使用化学放大抗蚀剂的半导体晶片中形成电路引起的T顶部现象等问题。