高纯锗探测器
    2.
    发明申请
    高纯锗探测器 审中-公开

    公开(公告)号:WO2019114707A1

    公开(公告)日:2019-06-20

    申请号:PCT/CN2018/120346

    申请日:2018-12-11

    CPC classification number: G01T1/24

    Abstract: 一种高纯锗探测器(100),包括高纯锗晶体单元阵列,高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元(101),其中,两个或更多个高纯锗晶体单元(101)每一个包括位于侧面(101c)和/或第一顶表面(101a)的部分电极,并且两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面(101c)和/或第一顶表面(101a)的电极电连接共同作为高纯锗探测器(100)的第一接触电极;每个高纯锗晶体单元(101)包括位于其内的各自的第二接触电极使得高纯锗探测器(100)包括两个或更多个第二接触电极。

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