光起電力素子およびその製造方法
    1.
    发明申请
    光起電力素子およびその製造方法 审中-公开
    光电元件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2009087708A1

    公开(公告)日:2009-07-16

    申请号:PCT/JP2008/002862

    申请日:2008-10-10

    CPC classification number: H01L31/075 C23C16/24 H01L31/036 H01L31/06 Y02E10/548

    Abstract: 光起電力素子(10)は、p層(3)、i層(4)、n層(5)および電極(6)を透明導電膜(2)が形成された絶縁基板(1)上に順次積層した構造からなる。p層(3)は、p型a-Si:Hからなり、n層(5)は、n型a-Si:Hからなる。i層(4)は、複数の非晶質薄膜(41)と複数の結晶薄膜(42)とからなる。そして、複数の非晶質薄膜(41)および複数の結晶薄膜(42)は、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)が相互に接するように絶縁基板(1)に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜(41)は、i型a-Si:Hからなり、ナノサイズの結晶粒(411)と、光を吸収する光吸収剤(412)とを含む。結晶薄膜(42)は、i型poly-Siからなる。そして、i層(4)は、300nm~1000nmの膜厚を有し、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)の各々は、10nm~20nmの膜厚を有する。

    Abstract translation: 提供一种光电动元件(10),其通过在绝缘基板(1)上依次层叠p层(3),i层(4),n层(5)和电极(6) ),其上形成有透明导电膜(2)。 p层(3)由p型a-Si:H制成,n层(5)由n型a-Si:H制成。 i层(4)由多个非晶薄膜(41)和多个晶体薄膜(42)构成。 非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)在与绝缘基板(1)基本垂直的方向上被层叠,使得非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)可以彼此接触 。 无定形薄膜(41)由i型a-Si:H制成,并含有纳米尺寸的晶体颗粒(411)和用于吸收光的光吸收剂(412)。 晶体薄膜(42)由i型多晶硅制成。 i层(4)具有300nm至1000nm的膜厚度,并且非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)分别具有10nm至20nm的膜厚度。

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