公开(公告)号：WO2015023096A2

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：PCT/KR2014/007458

申请日：2014-08-11

申请人： 서울시립대학교산학협력단

发明人： 박병은

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/542

摘要： 본 발명은 광전변환 효율이 높은 실리콘 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서, 기판과, 상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극, 상기 기판의 상측과 하부 전극의 외측 부분에 형성되는 강유전체층, 상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극, 상기 하부 전극과 보조 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층 및, 투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 本发明涉及具有高光电效率的硅太阳能电池。 根据本发明的用于将从外部照射的光转换成电的太阳能电池包括：基板; 形成在所述基板上的下电极; 形成在所述基板上的铁电层和所述下电极的外部; 形成在铁电层上的辅助电极; 形成在所述下电极和所述辅助电极上的第一导电半导体层; 形成在第一导电半导体层上并由与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体制成的第二导电半导体层; 以及形成在所述第二导电半导体层上的由透明导电材料制成的上电极。

公开(公告)号：WO2014130868A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/US2014/017793

申请日：2014-02-21

申请人： THE GOVERNING COUNCIL OF THE UNIVERSITY OF TORONTO ,  THON, Susanna Mitrani

发明人： THON, Susanna Mitrani ,  SARGENT, Edward H. ,  LEE, Anna ,  PAZ-SOLDAN, Daniel

IPC分类号： H01L31/09

CPC分类号： H01L31/035218 ,  B82Y20/00 ,  G02B5/008 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/204 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/054 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/52 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/825

摘要： This application describes photovoltaic devices that include, in some embodiments, plasmonic nanoparticles and colloidal quantum dots and that have enhanced photovoltaic conversion efficiencies. This application also describes methods of making and using photovoltaic devices. Certain photovoltaic devices include plasmonic nanoparticles integrated with light absorbing semiconductor nanoparticles such as, but not limited to, colloidal quantum dots. Certain photovoltaic devices include solution-processed materials (e.g., colloidal plasmonic and light absorbing semiconductor nanoparticles) that are specifically tuned to enhance overall photovoltaic performance through increased absorbance of the light absorbing material.

摘要翻译： 本申请描述了在一些实施例中包括等离子体激元纳米颗粒和胶体量子点并且具有增强的光伏转换效率的光伏器件。 本申请还描述了制造和使用光伏器件的方法。 某些光伏器件包括与光吸收半导体纳米颗粒集成的等离子体纳米颗粒，例如但不限于胶体量子点。 某些光伏器件包括通过增加光吸收材料的吸光度而专门调整以提高整体光伏性能的溶液处理材料（例如胶体等离子体激光和光吸收半导体纳米颗粒）。

公开(公告)号：WO2014054350A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/JP2013/072490

申请日：2013-08-23

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 村上　貴志 ,  渡部　武紀 ,  大塚　寛之

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/03125 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

摘要： 　少なくともｐｎ接合を有する半導体基板の受光面側に形成した反射防止膜上に導電材を含むペースト状の電極剤を塗布する工程（７）と、上記電極剤塗布部分のみにレーザー光を照射して上記導電材の少なくとも一部が焼成するように加熱する局所加熱処理（工程（９ａ））及び上記半導体基板全体を８００℃未満の温度に加熱する全体加熱処理（工程９（ｂ））を有する電極焼成工程（９）とを含む、長期信頼性に優れた高効率の太陽電池セルの製造方法に関する。

摘要翻译： 本发明涉及一种具有优异的长期可靠性和高效率的太阳能电池的制造方法，所述方法包括：步骤（7），用于将糊状电极剂施加到形成在受光面侧的抗反射膜 具有至少pn结的半导体衬底，所述电极剂含有导电材料; 以及具有局部热处理（步骤（9a））的电极烧制步骤（9），用于施加热量，使得至少一部分导电材料仅通过用激光束照射电极剂施加部分而被烧制，并且全身 热处理（步骤（9b）），用于将整个半导体衬底加热到​​低于800℃的温度。

公开(公告)号：WO2013074530A2

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/US2012064844

申请日：2012-11-13

申请人： SOLAR JUNCTION CORP

发明人： JONES-ALBERTUS REBECCA ,  MISRA PRANOB ,  SHELDON MICHAEL J ,  YUEN HOMAN B ,  LIU TING ,  DERKACS DANIEL ,  SABNIS VIJIT ,  WIEMER MICHAEL W ,  SUAREZ FERRAN

IPC分类号： H01L31/0687

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： Multijunction solar cells having at least four subcells are disclosed, in which at least one of the subcells comprises a base layer formed of an alloy of one or more elements from group III on the periodic table, nitrogen, arsenic, and at least one element selected from the group consisting of Sb and Bi, and each of the subcells is substantially lattice matched. Methods of manufacturing solar cells and photovoltaic systems comprising at least one of the multijunction solar cells are also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有至少四个子电池的多结太阳能电池，其中至少一个子电池包括由周期表上第III族的一种或多种元素的合金形成的基底层，氮，砷和至少一种选择的元素 来自由Sb和Bi组成的组，并且每个子电池基本上晶格匹配。 还公开了制造包括至少一个多结太阳能电池的太阳能电池和光伏系统的方法。

公开(公告)号：WO2012106002A8

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/US2011039518

申请日：2011-06-07

申请人： UNIV TEXAS ,  SOLARNO INC ,  ZAKHIDOV ANVAR A ,  MIELCZAREK KAMIL ,  PAPADIMITRATOS ALEXIOS

发明人： ZAKHIDOV ANVAR A ,  MIELCZAREK KAMIL ,  PAPADIMITRATOS ALEXIOS

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L27/302 ,  H01L31/043 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A tandem (or multijunction) hybrid photovoltaic device (PV) device comprised of multiple stacked single PVs connected in parallel with each other is described herein. Furthermore, nanomaterials are used as transparent charge collecting electrodes that allow both parallel connection via anode interlayer and also "inverted parallel" connection via cathode type interlayer of different types of solar cells. Carbon nanotube sheets are used as a convenient example for the charge collecting electrodes. The development of these alternative interconnecting layers simplifies the process and may be also used for combined organic PVs with traditional inorganic PVs and Dye Sensitized Solar Cells (DSSC). In addition, novel architectures are enabled that allow the parallel connection of the stacked PVs into monolithic multi-junction PV tandems. This new monolithic parallel connection architecture enables enhanced absorption of the solar spectrum and results in increased power conversions efficiency. Moreover, architectures where cells are stacked monolithically using a series connection can be coupled with cells to create mixed series and parallel connected tandem cells.

摘要翻译： 本文描述了由彼此并联连接的多个堆叠的单个PV组成的串联（或多结）混合光伏装置（PV）装置。 此外，纳米材料被用作透明电荷收集电极，其允许经由阳极夹层的并联连接以及经由不同类型的太阳能电池的阴极型夹层的“反向并联”连接。 碳纳米管片被用作电荷收集电极的便利例子。 这些替代互连层的发展简化了工艺过程，也可用于与传统无机PV和染料敏化太阳能电池（DSSC）组合的有机光伏组件。 此外，新型架构可实现堆叠光伏并行连接成单片多结光伏串联。 这种新型单片并联连接结构能够增强太阳光谱的吸收能力，并提高功率转换效率。 此外，使用串联连接将单元堆叠在一起的架构可以与单元耦合以创建混合串联和并联连接的串联单元。

公开(公告)号：WO2011068857A3

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/US2010058539

申请日：2010-12-01

申请人： VERSATILIS LLC ,  JAIN AJAYKUMAR R

发明人： JAIN AJAYKUMAR R

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/06 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y10T307/707

摘要： Devices that include one or more functional semiconductor elements that are immersed in static electric fields (E-fields). In one embodiment, one or more electrets are placed proximate the one or more organic, inorganic, or hybrid semiconductor elements so that the static charge(s) of the electret(s) participate in creating the static E-field(s) that influences the semiconductor element(s). An externally applied electric field can be used, for example, to enhance charge-carrier mobility in the semiconductor element and/or to vary the width of the depletion region in the semiconductor material.

摘要翻译： 包含浸入静电场（电场）的一个或多个功能半导体元件的器件。 在一个实施例中，一个或多个驻极体靠近一个或多个有机，无机或混合半导体元件放置，使得驻极体的静电荷参与形成影响静电电场的静电场， 半导体元件。 例如，可以使用外加电场来增强半导体元件中的电荷载流子迁移率和/或改变半导体材料中耗尽区的宽度。

公开(公告)号：WO2009152063A2

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/US2009/046531

申请日：2009-06-07

申请人： NANOPTEK CORPORATION ,  GUERRA, John, M. ,  THULIN, Lukas, M. ,  CHANDEKAR, Amol, N.

发明人： GUERRA, John, M. ,  THULIN, Lukas, M. ,  CHANDEKAR, Amol, N.

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L31/06 ,  C25B1/003 ,  C25B15/02 ,  H01L31/0547 ,  H02S40/44 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/60 ,  Y02E60/368

摘要： Titania is a semiconductor and photocatalyst that is also chemically inert. With its bandgap of 3.2 and greater, to activate the photocatalytic property of titania requires light of about 390 nm wavelength, which is in the ultra-violet, where sunlight is very low in intensity. A method and devices are disclosed wherein stress is induced and managed in a thin film of titania in order to shift and lower the bandgap energy into the longer wavelengths that are more abundant in sunlight. Applications of this stress-induced bandgap- shifted titania photocatalytic surface include photoelectrolysis for production of hydrogen gas from water, photovoltaics for production of electricity, and photocatalysis for detoxification and disinfection.

摘要翻译： 二氧化钛是化学惰性的半导体和光催化剂。 其带隙为3.2及更大，为了激活二氧化钛的光催化性能，需要大约390nm的波长的紫外线，其中太阳光的强度非常低。 公开了一种方法和装置，其中以二氧化钛的薄膜诱导和管理应力，以便将带隙能量移动和降低到在阳光下更丰富的较长波长。 这种应力诱导带隙二氧化钛光催化表面的应用包括从水中生产氢气的光电解，用于生产电的光伏，以及用于解毒和消毒的光催化。

公开(公告)号：WO2009108162A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/US2008/007356

申请日：2008-06-11

申请人： SUNIVA, INC. ,  MEIER, Daniel, L. ,  ROHATGI, Ajeet

发明人： MEIER, Daniel, L. ,  ROHATGI, Ajeet

IPC分类号： H01L31/078 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/06 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A thin silicon solar cell is described. Specifically, the solar cell may be fabricated from a crystalline silicon wafer having a thickness of approximately 50 micrometers to 500 micrometers. The solar cell comprises a first region having a p-n homojunction, a second region that creates heterojunction surface passivation, and a third region that creates heterojunction surface passivation. Amorphous silicon layers are deposited on both sides of the silicon wafer at temperatures below approximately 400 degrees Celsius to reduce the loss of passivation properties of the amorphous silicon. A final layer of transparent conductive oxide is formed on both sides at approximately 165 degrees Celsius. Metal contacts are applied to the transparent conductive oxide. The low temperatures and very thin material layers used to fabricate the outer layers of used to fabricate the outer layers of the solar cell protect the thin wafer from excessive stress that may lead to deforming the wafer.

摘要翻译： 描述了薄硅太阳能电池。 具体地，太阳能电池可以由厚度约为50微米至500微米的晶体硅晶片制成。 太阳能电池包括具有p-n同质结的第一区域，产生异质结表面钝化的第二区域和产生异质结表面钝化的第三区域。 非晶硅层在低于约400摄氏度的温度下沉积在硅晶片的两侧，以减少非晶硅的钝化性能的损失。 在大约165摄氏度的两侧形成最终的透明导电氧化物层。 将金属触点施加到透明导电氧化物上。 用于制造用于制造太阳能电池的外层的外层的低温和非常薄的材料层保护薄晶片免受可能导致晶片变形的过大应力。

公开(公告)号：WO2009087708A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：PCT/JP2008/002862

申请日：2008-10-10

申请人： 日新電機株式会社 ,  出口洋成 ,  東大介 ,  林司 ,  緒方潔

发明人： 出口洋成 ,  東大介 ,  林司 ,  緒方潔

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  H01L31/036 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/548

摘要： 光起電力素子（１０）は、ｐ層（３）、ｉ層（４）、ｎ層（５）および電極（６）を透明導電膜（２）が形成された絶縁基板（１）上に順次積層した構造からなる。ｐ層（３）は、ｐ型ａ－Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層（５）は、ｎ型ａ－Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ層（４）は、複数の非晶質薄膜（４１）と複数の結晶薄膜（４２）とからなる。そして、複数の非晶質薄膜（４１）および複数の結晶薄膜（４２）は、非晶質薄膜（４１）および結晶薄膜（４２）が相互に接するように絶縁基板（１）に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜（４１）は、ｉ型ａ－Ｓｉ：Ｈからなり、ナノサイズの結晶粒（４１１）と、光を吸収する光吸収剤（４１２）とを含む。結晶薄膜（４２）は、ｉ型ｐｏｌｙ－Ｓｉからなる。そして、ｉ層（４）は、３００ｎｍ～１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜（４１）および結晶薄膜（４２）の各々は、１０ｎｍ～２０ｎｍの膜厚を有する。

摘要翻译： 提供一种光电动元件（10），其通过在绝缘基板（1）上依次层叠p层（3），i层（4），n层（5）和电极（6） ），其上形成有透明导电膜（2）。 p层（3）由p型a-Si：H制成，n层（5）由n型a-Si：H制成。 i层（4）由多个非晶薄膜（41）和多个晶体薄膜（42）构成。 非晶薄膜（41）和晶体薄膜（42）在与绝缘基板（1）基本垂直的方向上被层叠，使得非晶薄膜（41）和晶体薄膜（42）可以彼此接触 。 无定形薄膜（41）由i型a-Si：H制成，并含有纳米尺寸的晶体颗粒（411）和用于吸收光的光吸收剂（412）。 晶体薄膜（42）由i型多晶硅制成。 i层（4）具有300nm至1000nm的膜厚度，并且非晶薄膜（41）和晶体薄膜（42）分别具有10nm至20nm的膜厚度。

公开(公告)号：WO2008143721A3

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/US2008001769

申请日：2008-02-11

申请人： SOLASTA INC ,  KEMPA KRZYSZTOF

发明人： KEMPA KRZYSZTOF

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/03529 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/42 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

摘要： A photovoltaic cell includes a first electrode, a first nanoparticle layer located in contact with the first electrode, a second electrode, a second nanoparticle layer located in contact with the second electrode, and a thin film photovoltaic material located between and in contact with the first and the second nanoparticle layers.

摘要翻译： 光伏电池包括第一电极，与第一电极接触的第一纳米颗粒层，第二电极，与第二电极接触的第二纳米颗粒层，以及位于第一电极之间并与第一电极接触的薄膜光伏材料 和第二纳米颗粒层。