コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法
    1.
    发明申请
    コバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法 审中-公开
    钴复合物及其生产方法,和含钴薄膜及其生产方法

    公开(公告)号:WO2015190420A1

    公开(公告)日:2015-12-17

    申请号:PCT/JP2015/066412

    申请日:2015-06-05

    Abstract:  酸化性ガスを用いない条件下でコバルト含有薄膜を作製するのに有用なコバルト錯体を提供する。 一般式(I)で示されるコバルト錯体。(式中、R A は一般式(II)(式中、R H は水素原子、又はフッ素原子で置換されていても良い炭素数1~6のアルキル基を表す。)で表されるアシル基、一般式(III) (式中、R H は一般式(II)のR H と同義を表す。R I は炭素数1~4のアルキル基を表す。)で表される1-トリフルオロメチル-1-シリルオキシアルキル基、一般式(IV)(R J は炭素数1~6のアルキル基を表す。R K はジ(炭素数1~3のアルキル)アミノ基で置換されていても良い炭素数1~6のアルキル基を表す。)で表されるN-アルキルイミドイル基、又は一般式(V)(式中、R M は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。R L は炭素数1~4のアルキル基を表す。波線はE/Z幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であることを示す。)で表されるアルケニル基を表す。mは0又は2を表す。R B 及びR C は水素原子、又は一体となって炭素数1~4のアルキレン基を形成する基を表す。R D 、R E 、R F 及びR G は各々独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。ただしmが2の時、R A はアシル基(II)、1-トリフルオロメチル-1-シリルオキシアルキル基(III)及びアルケニル基(V)である場合を除く。R A がN-アルキルイミドイル基(IV)の時、R B 及びR C は一体となってメチレン基を形成する基である場合を除く。)

    Abstract translation: 提供一种钴配合物,其可用于在不使用氧化气体的条件下制造含钴薄膜。 钴络合物由通式(I)表示。 (式中,RA表示由通式(II)表示的酰基(式中,RH表示氢原子或可以被氟原子任意取代的C 1-6烷基); 1- 由通式(III)表示的三氟甲基-1-甲硅烷氧基烷基(式中,RH与通式(II)中的RH相同,RI表示C1-4烷基); N-烷基 由通式(IV)表示的亚氨基(RJ表示C1-6烷基,RK表示可被二(C1-3烷基)氨基取代的C1-6烷基);或表示为 通式(V)(式中,RM表示氢原子或C1-4烷基,RL表示C1-4烷基,波浪线表示E或Z几何异构体或其混合物。 )m表示0或2.RB和RC表示氢原子,或表示一起形成C1-4亚烷基的基团,RD,RE,RF和RG各自独立 其代表氢原子或C 1-4烷基。 然而,m为2表示当RA表示酰基(II),1-三氟甲基-1-甲硅烷氧基烷基(III)或烯基(V)时的情况。 另外,作为N-烷基亚胺基(Ⅳ)的RA是指排除RB和RC为一起形成亚甲基的基团的情况)

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