公开(公告)号：WO2008090982A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/JP2008/051094

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社大阪真空機器製作所 ,  東京エレクトロン株式会社 ,  植田 吉彦 ,  茂山 和基 ,  福森 弘司

Inventor： 植田 吉彦 ,  茂山 和基 ,  福森 弘司

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01L51/0008

Abstract: 　簡単な構成でありながら、低温・低ダメージ成膜が可能であり、且つ生産性の高いスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。真空容器内で、被成膜対象物に初期層を成膜した後、さらに第２層を初期層上に成膜するスパッタ方法であって、前記真空容器内において、一対のターゲットを、その表面同士が間隔をおいて互いに対向し且つ該表面がターゲット間の側方に配置される被成膜対象物に向かって傾斜するように配置し、前記一対のターゲットの対向面側に磁場空間を発生させてスパッタリングし、該スパッタリングされたスパッタ粒子で被成膜対象物に初期層を成膜し、さらに初期層の成膜速度よりも速い成膜速度で被成膜対象物に第２層を成膜することを特徴とする。

Abstract translation: 可以提供能够以简单的结构和高生产率进行低温和低损伤成膜的溅射方法和溅射装置。 根据溅射法，在真空容器中，在要形成膜的物体上形成初始膜，然后在初始层上形成第二层。 在真空容器中，一对靶被配置成彼此分离并彼此相对并且朝向配置在靶的侧面的物体倾斜并且其上将形成膜。 在一对溅射靶的相对表面的一侧产生磁空间，使得溅射颗粒在要形成膜的物体上形成初始层，并且在物体上形成第二层 要形成薄膜的速度高于初始层的形成速度。

公开(公告)号：WO2008126489A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/JP2008/053400

申请日：2008-02-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  福森 弘司

Inventor： 福森 弘司

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408

Abstract: 【課題】スループットの向上および資源の有効利用を図ることが可能なスパッタ処理装置を提供すること。 【解決手段】スパッタ処理装置１０の処理室１００には、所定の距離離れて八の字状に傾斜して配置された一対のターゲット１０５と、各ターゲットの背面近傍に設置された磁界発生手段１２５が設けられている。スパッタ処理装置１０は、可動式ステージ１３５ａ、１３５ｂをスライド移動させることによりターゲット１０５の対向空間Ｕの両側方ＳＬ，ＳＨに異なる基板Ｇを配置した状態にて、磁界発生手段１２５により磁界を発生させながら、一対のターゲット１０５をスパッタリングすることにより、対向空間Ｕの両側方ＳＬ、ＳＨに配置された基板Ｇ上に同時に膜を形成する。対向空間Ｕの狭められた側方ＳＬ位置ににてスパッタリングされた基板Ｇは、搬送室２００を搬送され、対向空間Ｕの広められた側方ＳＨ位置にて再度スパッタリングされる。

Abstract translation: [问题]提供一种利用资源有效地提高吞吐量的溅射系统。 解决问题的手段一边以规定的距离间隔一定的斜面形状的一对靶（105），在该处理室（100）内设置有紧密配置在每个靶的背面的磁场产生装置（125） ）的溅射系统（10）。 在通过滑动可移动台（135a，135b）在靶（105）的相对空间（U）的两侧（SL，SH）上布置不同基板（G）的状态下，溅射系统（10）执行 在由磁场产生装置（125）产生磁场的同时对一对靶（105）进行溅射。 因此，薄膜同时位于布置在相对空间（U）的两侧（SL，SH）上的基板（G）上。 溅射在对置空间（U）的变窄侧SL上的位置处的基板（G）被运送到承载室（200）并再次溅射在相对空间（U）的加宽侧SH上的位置。