公开(公告)号：WO2018210408A1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：PCT/EP2017/061728

申请日：2017-05-16

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  WHITE, John M. ,  CAN, Linh ,  LINDENBERG, Ralph

发明人： WHITE, John M. ,  CAN, Linh ,  LINDENBERG, Ralph

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  H01L21/677

CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/50 ,  C23C14/562 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/545 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/6776

摘要： An apparatus (100) for processing a substrate is described. The apparatus includes a first vacuum processing arrangement (101), a second vacuum processing arrangement (102), and a support structure (103) arranged in an atmospheric space (108) between the first vacuum processing arrangement (101) and the second vacuum processing arrangement (102).

公开(公告)号：WO2017101971A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/EP2015/079629

申请日：2015-12-14

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  HINTERSCHUSTER, Reiner

发明人： HINTERSCHUSTER, Reiner

IPC分类号： H01L21/677 ,  C23C14/56

CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/50 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/6776

摘要： According to one aspect of the present disclosure, a method of two-side processing of a substrate (10) in a vacuum chamber is provided. The method comprises: attaching a substrate to a carrier (20) for holding the substrate during transport; transporting the carrier along a first transport path section (T1) through a first processing area, where a first main surface (11) of the substrate is processed; transferring the carrier from the first transport path section to a second transport path section (T2) laterally offset from the first transport path section; and transporting the carrier along the second transport path section through a second processing area, where a second main surface (12) of the substrate is processed, wherein transferring the carrier comprises moving the carrier together with the substrate from the first transport path section to the second transport path section. According to a second aspect, a processing system for two-side processing of a substrate is provided. Further, a path switching module for a processing system is provided.

摘要翻译： 根据本公开的一个方面，提供了一种在真空室中对衬底（10）进行双面处理的方法。 该方法包括：将衬底附着到载体（20）上以在运输期间保持衬底; 沿着第一传送路径部分（T1）传送载体通过第一处理区域，其中基板的第一主表面（11）被处理; 将载体从第一传送路径部分传送到横向偏离第一传送路径部分的第二传送路径部分（T2） 以及沿着所述第二传送路径部分传送所述载体通过第二处理区域，在所述第二处理区域处理所述基板的第二主表面（12），其中传送所述载体包括将所述载体与所述基板一起从所述第一传送路径部分移动到 第二传送路径部分。 根据第二方面，提供了一种用于衬底的双面处理的处理系统。 此外，提供了用于处理系统的路径切换模块。

公开(公告)号：WO2017071831A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/059536

申请日：2016-04-28

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  WHITE, John M. ,  BUSCH, John D. ,  KIM, Kyung Bong ,  LINDENBERG, Ralph

发明人： WHITE, John M. ,  BUSCH, John D. ,  KIM, Kyung Bong ,  LINDENBERG, Ralph

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C14/566 ,  C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54

摘要： The present disclosure provides an apparatus (100) configured for treatment of a substrate (10) for a vacuum deposition process in a vacuum processing module. The apparatus (100) includes a substrate holder (110) configured to hold the substrate (10), a gas supply (130) configured to direct a stream of gas along a substrate surface of the substrate (10), and one or more conditioning devices configured for adjusting at least one physical and/or chemical property of the gas directed along the substrate surface, wherein the physical and/or chemical property of the gas is selected for a treatment of the substrate (10).

摘要翻译： 本公开提供了一种设备（100），其被配置用于在真空处理模块中处理用于真空沉积工艺的衬底（10）。 该设备（100）包括被配置成保持衬底（10）的衬底保持器（110），被配置为引导气体流沿着衬底（10）的衬底表面的气体供应（130），以及一个或多个调节 被配置用于调节沿着衬底表面引导的气体的至少一种物理和/或化学性质的装置，其中选择气体的物理和/或化学性质用于衬底（10）的处理。

公开(公告)号：WO2017040140A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/US2016/048351

申请日：2016-08-24

申请人： VEECO INSTRUMENTS INC.

发明人： PAPASOULIOTIS, George ,  SALDANA, Miguel ,  SNOWDEN, Brett ,  RASHKOVSKY, Yuliy ,  PACIER, Michael

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C14/22 ,  C23C14/568 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

摘要： A chemical vapor deposition system is disclosed herein. The chemical vapor deposition system has a plurality of reaction chambers to operate independently in the growth of epitaxial layers on wafers within each of the reaction chambers for the purpose of reducing processing time while maintaining the quality necessary for the fabrication of high-performance semiconductor devices.

摘要翻译： 本文公开了化学气相沉积系统。 化学气相沉积系统具有多个反应室，以在每个反应室内的晶片上的外延层的生长中独立地操作，以便在保持制造高性能半导体器件所需的质量的同时缩短处理时间。

公开(公告)号：WO2016143747A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/JP2016/057015

申请日：2016-03-07

申请人： 株式会社トプコン

发明人： 秋葉　正博 ,  山口　義宏 ,  瀬田　誠

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  H01L21/677

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/50 ,  C23C14/505 ,  C23C14/548 ,  C23C14/568 ,  G02B1/10 ,  G11B7/265 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3447 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 　各種の要求に対応できるスパッタリング装置を提供することを目的とする。　減圧容器１０１内に配置される回転を独自に制御可能な自公転テーブルと、前記自公転テーブル上に配置される複数のワーク１０７に対し、前記自公転テーブルの公転軌道上に設けられた複数のスパッタリングターゲットおよびプラズマ処理を行うＲＦプラズマ源と、前記自公転テーブル上にワークをセットするためのロードロック室１０２とを有し、前記自公転テーブルは、公転テーブル１０４上に複数の自転テーブル１０５が配置された構造を有し、公転テーブル１０４の回転と自転テーブル１０５の回転とが独立に制御可能であることを特徴とする。

摘要翻译： 本发明的目的是提供能够满足各种要求的溅射装置。 该溅射装置的特征在于：溅射装置包括旋转和旋转台，它们设置在真空容器101中，并被构造成可以独立地控制旋转台和旋转台中的每一个的旋转，多个溅射靶和 用于等离子体处理的RF等离子体源，其设置在旋转台和旋转台的转动路径中并且面对设置在旋转台和转台上的多个工件107，以及用于将工件设置在旋转 和旋转台; 旋转台和旋转台由设置在其上的旋转台104和多个旋转台105构成; 可以独立地控制旋转台104的旋转和旋转台105的旋转。

公开(公告)号：WO2016075189A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/EP2015/076306

申请日：2015-11-11

申请人： VON ARDENNE GMBH

发明人： BORCHEL, Ronny ,  HÄUSLER, Christoph ,  KRAUSE, Jochen ,  VON DER WAYDBRINK, Hubertus ,  ZAHN, Richard

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  B01J3/00 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C14/568 ,  B01J3/03 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591

摘要： Ein Kammerdeckel (100) zum Abdichten einer Kammeröffnung (104o) in einer Gasseparationskammer (300), wobei sich der Kammerdeckel (100) im Wesentlichen entlang einer Kammerdeckel-Ebene erstreckt, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen Folgendes aufweisen: einen Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) zum Anschließen einer Hochvakuumpumpe (804a, 804b) an den Kammerdeckel (100); wobei der Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) eine Öffnung (106a, 106b) aufweist, welche den Kammerdeckel (100) durchdringt; und ein Trennelement (110), welches sich quer zur Kammerdeckel-Ebene in der Öffnung (106a, 106b) derart erstreckt, dass der Hochvakuumpumpen-Anschluss (126) mittels des Trennelements (110) in zumindest einen ersten Öffnungsbereich (113a) und einen zweiten Öffnungsbereich (113b) separiert ist.

摘要翻译： 腔室盖（100），用于密封在气体分离室（300），其中，所述腔室盖（100）沿着腔室盖平面延伸基本上可根据各种实施例包括一个腔室开口（104o）：高真空端口（126），用于 连接的高真空泵（804A，804B）连接到腔室盖（100）; 其中，所述高真空泵连接（126）具有贯通腔室盖（100）中的开口（106A，106B）; 并且朝向开口的腔室覆盖层，其横向（106B 106A）延伸的分隔构件（110），以使高真空泵连接（126）通过在至少一个第一开口部的分离部件（110）的装置（113A）和第二 开口部（113B）被分离。

公开(公告)号：WO2016007394A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2015/039158

申请日：2015-07-03

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： BEASLEY, Cara ,  HOFMANN, Ralf ,  FOAD, Majeed A. ,  BECKSTROM III, Rudy

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G02B5/0891 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5873 ,  C23C28/32 ,  C23C28/3455 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/085 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

摘要： A method of manufacture of an extreme ultraviolet reflective element includes: providing a substrate; forming a multilayer stack on the substrate, the multilayer stack includes a plurality of reflective layer pairs having a first reflective layer and a second reflective layer for forming a Bragg reflector; and forming a capping layer on and over the multilayer stack, the capping layer formed from titanium oxide, ruthenium oxide, niobium oxide, ruthenium tungsten, ruthenium molybdenum, or ruthenium niobium, and the capping layer for protecting the multilayer stack by reducing oxidation and mechanical erosion.

摘要翻译： 一种制造极紫外反射元件的方法包括：提供基底; 在所述衬底上形成多层叠层，所述多层堆叠包括多个具有第一反射层和用于形成布拉格反射器的第二反射层的反射层对; 并且在多层叠层上形成覆盖层，由氧化钛，氧化钌，氧化铌，钌钨，钌钼或钌铌形成的覆盖层，以及通过还原氧化和机械保护多层叠层的覆盖层 侵蚀。

公开(公告)号：WO2015194458A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2015/066926

申请日：2015-06-11

申请人： 株式会社アルバック

发明人： 小林　宏樹 ,  逸見　充則 ,  廣瀬　光隆 ,  塚越　和也 ,  木村　勲 ,  鄒　弘綱

IPC分类号： C23C14/06 ,  C01G25/00 ,  C01G55/00 ,  C23C14/34 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C01G25/00 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/74 ,  C23C14/06 ,  C23C14/088 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/568 ,  C23C28/30 ,  C23C28/32 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

摘要： 　この多層膜の製造方法は、基板に導電層を形成する工程Ａと、前記導電層を覆うようにシード層を形成する工程Ｂと、前記シード層を覆うように誘電体層を形成する工程Ｃと、を少なくとも備えた多層膜の製造方法であって、前記工程Ｂにおいて、前記シード層として、ストロンチウム（Ｓｒ）とルテニウム（Ｒｕ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物を、スパッタ法により形成し、前記工程Ｃにおいて、前記誘電体層を形成する際の基板温度をＴｄと定義したとき、５６０≦Ｔｄ≦７２０［℃］である。

摘要翻译： 该制造多层膜的方法至少提供有用于在基板上形成导电层的步骤（A），用于形成覆盖导电层的晶种层的工序（B）和工序（C） 用于形成介电层以覆盖种子层; 其中在步骤（B）中，溅射包含锶（Sr），钌（Ru）和氧（O）的化合物作为籽晶层，在步骤（C）中，560≤Td≤720（℃） Td是在形成介电层期间的衬底温度。

公开(公告)号：WO2015194453A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2015/066891

申请日：2015-06-11

申请人： 株式会社アルバック

发明人： 小林　宏樹 ,  逸見　充則 ,  廣瀬　光隆 ,  間嶋　新之介 ,  木村　勲 ,  鄒　弘綱

IPC分类号： B32B15/00 ,  B41J2/14 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316

CPC分类号： H01L41/083 ,  B32B15/00 ,  B41J2/14 ,  C23C14/04 ,  C23C14/088 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  C23C14/588 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/29 ,  H01L41/297 ,  H01L41/314 ,  H01L41/316

摘要： 　この多層膜は、基板の一主面側に、第一導電層と、誘電体層と、第二導電層とが順に重ねて配された多層膜であって、前記誘電体層は、前記誘電体層の下面が前記第一導電層の上面に接するとともに、前記誘電体層の上面及び側面が前記第二導電層により被覆されており、かつ、前記基板の一主面側において、前記第一導電層と前記第二導電層が直接重なる部位の側端部は、前記基板の側端部より内側に位置する。

摘要翻译： 该多层膜具有第一导电层，电介质层和第二导电层，该第一导电层，介电层和第二导电层按顺序叠加在基板的一个主表面上，其中介电层被布置成使得介电层的下表面 接触第一导电层的上表面，并且电介质层的上表面和侧表面被第二导电层覆盖，并且在基板的一个主表面上，在第一导电层和 直接叠加的第二导电层从基板的侧边缘位于内侧。

公开(公告)号：WO2015168166A1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：PCT/US2015/028067

申请日：2015-04-28

申请人： VIEW, INC.

发明人： PRADHAN, Anshu A. ,  ROZBICKI, Robert T. ,  GILLASPIE, Dane ,  KAILASAM, Sridhar K.

IPC分类号： G02F1/15

CPC分类号： G02F1/1523 ,  C23C14/08 ,  C23C14/185 ,  C23C14/568 ,  G02F2202/06

摘要： Prior electrochromic devices frequently suffer from high levels of defectivity. The defects may be manifest as pin holes or spots where the electrochromic transition is impaired. This is unacceptable for many applications such as electrochromic architectural glass. Improved electrochromic devices with low defectivity can be fabricated by depositing certain layered components of the electrochromic device in a single integrated deposition system. While these layers are being deposited and/or treated on a substrate, for example a glass window, the substrate never leaves a controlled ambient environment, for example a low pressure controlled atmosphere having very low levels of particles. These layers may be deposited using physical vapor deposition. In certain embodiments, the device includes a counter electrode having an anodically coloring electrochromic material in combination with an additive.

摘要翻译： 先前的电致变色器件经常遭受高水平的缺陷。 缺陷可能表现为电致变色转变受损的针孔或斑点。 这对于许多应用如电致变色建筑玻璃是不可接受的。 具有低缺陷性的改进的电致变色器件可以通过将电致变色器件的某些分层部件沉积在单个集成沉积系统中来制造。 虽然这些层在基底（例如玻璃窗）上沉积和/或处理，但是基底不会离开受控的周围环境，例如具有非常低水平的颗粒的低压控制气氛。 可以使用物理气相沉积来沉积这些层。 在某些实施方案中，该装置包括具有与添加剂组合的阳极着色电致变色材料的对电极。