有机电致发光器件及其制备方法和显示装置

    公开(公告)号:WO2020042607A1

    公开(公告)日:2020-03-05

    申请号:PCT/CN2019/080614

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置,有机电致发光器件包括有机发光层(4),有机发光层(4)包括主体材料以及共振型热活化延迟荧光材料;主体材料为激基复合物;所述激基复合物的单重态能级大于所述共振型热活化延迟荧光材料的单重态能级,所述激基复合物的三重态能级大于所述共振型热活化延迟荧光材料的三重态能级。能够克服现阶段使用传统TADF材料发光导致的器件寿命短、光谱宽的缺陷。

    一种有机电致发光器件和显示装置

    公开(公告)号:WO2023273479A1

    公开(公告)日:2023-01-05

    申请号:PCT/CN2022/084857

    申请日:2022-04-01

    Abstract: 一种有机电致发光器件和显示装置,有机电致发光器件包括阳极功能层(0)、第一电子阻挡层、第二电子阻挡层(2)、发光层以及阴极功能层(4),阳极功能层(0)包括相邻设置的第一区域和第二区域,第一电子阻挡层设置于第一区域,第二电子阻挡层(2)设置于第二区域和第一阻挡层远离阳极功能层的一侧,发光层设置于第二阻挡层(2)远离阳极功能层(0)的一侧;第一电子阻挡层包括并列设置的红光电子阻挡层(11)和绿光电子阻挡层(12),第二电子阻挡层(2)为蓝光电子阻挡层;红光电子阻挡层(11)中的红光电子阻挡材料的HOMO能级和绿光电子阻挡层(12)中的绿光电子阻挡材料的HOMO能级均浅于蓝光电子阻挡层中的蓝光电子阻挡材料的HOMO能级。

    一种有机电致发光器件和显示装置

    公开(公告)号:WO2022257817A1

    公开(公告)日:2022-12-15

    申请号:PCT/CN2022/096255

    申请日:2022-05-31

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 提供一种有机电致发光器件和显示装置,属于有机电致发光技术领域。有机电致发光器件包括有机发光层,有机发光层包括主体材料和掺杂染料,主体材料为宽带隙材料,有机发光层由磷光敏化剂和包含共振型热活化延迟荧光材料客体掺杂的主体发光材料构成,器件采用磷光材料和共振型热活化延迟荧光材料共同掺杂在主体中的方法,实现了100%激子利用率,使制备的OLEDs具有高效率和低滚降的特点。

    有机电致发光器件
    4.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019109608A1

    公开(公告)日:2019-06-13

    申请号:PCT/CN2018/088881

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 本申请属于显示技术领域,具体公开了一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件具有第一电极、第二电极以及有机功能层,有机功能层包括发光层,发光层至少包括主体材料和客体材料,主体材料包括由供体分子和受体分子构成的激基复合物,其中供体分子和/或受体分子含有用于增大供体分子和受体分子分子间间距的大位阻取代基团 X,可增强对客体材料分子的 Föster 能量传递,提高器件效率,抑制三线态-极化子湮灭 (TPA),提高器件寿命。

    电子传输层、有机电致发光器件及显示器

    公开(公告)号:WO2019128112A1

    公开(公告)日:2019-07-04

    申请号:PCT/CN2018/089977

    申请日:2018-06-05

    Abstract: 一种电子传输层,电子传输层的原料包括惰性金属及能够与惰性金属发生配位反应的有机化合物,有机化合物具有通式(I):其中,L 1 和L 2 分别独立选自含有1~12个碳原子的亚烷基及含有6~30个碳原子的亚芳基中的一种;Ar 1 、Ar 2 及Ar 3 分别独立选自氮氧配位基团、氮硫配位基团、硫氧配位基团、硫硫配位基团、氧氧配位基团及氮氮配位基团中的一种;m为0~10中的任一整数。

    一种有机电致发光器件
    7.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019227777A1

    公开(公告)日:2019-12-05

    申请号:PCT/CN2018/106108

    申请日:2018-09-18

    Abstract: 一种有机电致发光器件,发光层中包括主体材料和客体材料,主体材料是由电子供体材料和电子受体材料形成的激基复合物,客体材料为热活化延迟荧光材料,主体材料的单线态能级低于客体材料的单线态能级。由于发光层中作为主体材料的激基复合物的单线态能级低于热活化延迟荧光材料的单线态能级,避免了高能激子的产生,有效抑制由于高激发能量引起的分子键断裂;激基复合物的单线态能级低,有利于减小器件内激子的激发能量,抑制器件内的三线态-三线态湮灭、三线态-极化子湮灭和单线态-三线态湮灭现象,减轻器件的效率滚降,延长器件寿命。

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