公开(公告)号：WO2016182354A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/KR2016/004964

申请日：2016-05-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이현우 ,  박병국

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 자기 메모리 소자는, 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며, 상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층 및 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체 및 상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고, 상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있다.

Abstract translation: 磁存储器件包括：具有固定磁性层，绝缘层和自由磁性层的隧道结单元单元，其依次堆叠; 导电线体，其向单元电池提供面内电流并且具有邻近自由磁性层设置的反铁磁层;以及具有面内磁各向异性的铁磁层，邻近反铁磁层设置; 以及电压施加单元，用于独立地对各个隧道结单元电池施加选择电压，其中各个隧道结单元电池的磁化方向可以通过面内电流和选择电压选择性地改变。