公开(公告)号：WO2017098363A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/IB2016/056946

申请日：2016-11-18

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LTD. ,  IBM RESEARCH GMBH

Inventor： ALTMANN, Patrick Brian ,  SALIS, Gian R.

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H03K19/23

Abstract: The present invention is notably directed to a spin-orbit coupled device. This device comprises a confinement part. It further includes a circuitry, having an input device, energizable to inject spin-polarizations to charge carriers in an input region of the confinement part. The circuitry further comprises an output device, usable to detect spin- polarizations of charge carriers in an output region of the confinement part. The confinement part may be is configured to subject charge carriers drifting therein to a non¬ linear spin-orbit interaction, which causes to rotate a spin polarization of the drifting charge carriers by an angle that depends non-linearly on momenta of such charge carriers. The circuitry may be configured to allow momenta of charge carriers drifting in the confinement part to be varied, while injecting spin-polarizations in the input region. Varying momenta allows spin-polarizations of drifting charge carriers to be rotated, owing to said non-linear spin-orbit interaction.

Abstract translation: 本发明特别针对自旋 - 轨道耦合装置。 该设备包括一个限制部分。 它还包括具有输入装置的电路，其可激励以将自旋极化注入到限制部件的输入区域中的载流子。 该电路还包括输出设备，其可用于检测限制部件的输出区域中的电荷载流子的自旋极化。 限制部分可以被配置为使在其中漂移的电荷载流子不经过; 线性自旋 - 轨道相互作用，其导致漂移电荷载流子的自旋极化旋转非线性取决于这种电荷载流子的动量的角度。 该电路可以被配置为允许在限制部分中漂移的电荷载流子的动量被改变，同时在输入区域中注入自旋极化。 由于所述非线性自旋 - 轨道相互作用，变化的动量允许漂移电荷载体的自旋极化旋转。

公开(公告)号：WO2017052622A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/US2015/052357

申请日：2015-09-25

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： KARPOV, Elijah V. ,  O'BRIEN, Kevin P. ,  MANIPATRUNI, Sasikanth ,  YOUNG, Ian A. ,  DOYLE, Brian S.

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01L27/224

Abstract: A one-transistor (1T), one-selector (1S), one magnetic tunnel junction (1MTJ), spin torque transfer (STT), spin Hall effect (SHE), magnetic random access memory (MRAM) may be configured to provide separate write current and read current paths. In such a configuration, the write current may pass through a SHE electrode disposed proximate the MTJ device. The direction of write current flow through the SHE electrode determines spin polarization of the write current, the magnetic field orientation of a free magnetic layer in the MTJ device, and consequently the resistance of the MTJ device. The write current can be at a level sufficient to cause the reliable storage of binary information in the MTJ device. The read current, at a lower level than the write current, passes through the MTJ.

Abstract translation: 单晶体管（1T），单选择器（1S），一个磁性隧道结（1MTJ），自旋转矩传递（STT），自旋霍尔效应（SHE），磁性随机存取存储器（MRAM） 写入当前路径和读取当前路径。 在这种配置中，写入电流可以通过靠近MTJ器件设置的SHE电极。 写入电流流过SHE电极的方向决定了写入电流的自旋极化，MTJ器件中自由磁性层的磁场取向，从而确定了MTJ器件的电阻。 写入电流可以处于足以导致MTJ器件中的二进制信息的可靠存储的水平。 在写入电流以下的读取电流通过MTJ。

公开(公告)号：WO2017048229A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/US2015/050056

申请日：2015-09-14

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： MANIPATRUNI, Sasikanth ,  NIKONOV, Dmitri E. ,  CHAUDHRY, Anurag ,  YOUNG, Ian A.

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C11/221 ,  H01L27/228 ,  H01L43/00

Abstract: Described is an apparatus which comprises: a first transistor; a second transistor having a first terminal coupled to a first terminal of the first transistor; a first conductor coupled to a second terminal of the second transistor; a magnetoelectric (ME) layer coupled to the first conductor; and a ferromagnetic (FM) layer coupled to the ME layer and to a second terminal of the first transistor.

Abstract translation: 描述了一种装置，包括：第一晶体管; 第二晶体管，其具有耦合到所述第一晶体管的第一端子的第一端子; 耦合到所述第二晶体管的第二端子的第一导体; 耦合到所述第一导体的磁电（ME）层; 以及耦合到ME层和第一晶体管的第二端子的铁磁（FM）层。

公开(公告)号：WO2016035758A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/JP2015/074735

申请日：2015-08-31

Applicant: 国立研究開発法人理化学研究所

Inventor： 永長　直人 ,  小椎八重　航 ,  岩崎　惇一 ,  川崎　雅司 ,  十倉　好紀 ,  金子　良夫

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/14 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C19/08 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/085 ,  G11C19/0866 ,  H01F7/20 ,  H01F10/3254 ,  H01L27/105 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08

Abstract: 　１個のスキルミオンを生成し、１個のスキルミオンの消去が可能な磁気素子であって、略矩形の平板形状の磁性体と、磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる上流側電極と、上流側電極と対向して磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる下流側電極と、スキルミオンを検出するスキルミオン検出素子とを有し、磁性体の略矩形形状の幅Ｗｍは、スキルミオン直径をλとして、３・λ＞Ｗｍ≧λであり、磁性体の略矩形形状の長さＨｍは、２・λ＞Ｈｍ≧λであり、磁性体は上流側電極および下流側電極が挟む端部に凹部を有する磁気素子を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种能够产生一个电极并消除一个电极的磁性元件，所述磁性元件具有：大致矩形的板状磁性体; 上游电极，其包括非磁性金属，并且以所述磁体的宽度（Wm）方向连接; 包括以磁性体的宽度（Wm）方向连接并与上游电极相对的非磁性金属的下游电极; 以及一个检测爬虫的爬虫检测元件。 当skyrmion的直径定义为λ时，基本矩形磁体的宽度（Wm）为3∙λ

公开(公告)号：WO2015081301A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/US2014/067772

申请日：2014-11-26

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： WU, Wenqing ,  MADALA, Raghu, Sagar ,  YUEN, Kendrick, Hoy Leong ,  ARABI, Karim ,  GILMORE, Robert, Philip

IPC: H01L43/08 ,  H03K19/18

CPC classification number: H03K3/45 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H03K19/18 ,  H03K19/20

Abstract: Aspects described herein are related to spintronic logic gates employing a Giant Spin Hall Effect (GSHE) magnetic tunnel junction (MTJ) element(s) for performing logical operations. In one aspect, a spintronic logic gate is disclosed that includes a charge current generation circuit and a GSHE MTJ element. The charge current generation circuit is configured to generate a charge current representing an input bit set. The input bit set may include one or more input bit states for a logical operation. The GSHE MTJ element is configured to set a logical output bit state for the logical operation, and has a threshold current level. The GSHE MTJ element is configured to generate a GSHE spin current in response to the charge current and perform the logical operation on the input bit set by setting the logical output bit state based on whether the GSHE spin current exceeds the threshold current level.

Abstract translation: 本文描述的方面涉及采用用于执行逻辑操作的巨型旋转霍尔效应（GSHE）磁性隧道结（MTJ）元件的自旋电子逻辑门。 一方面，公开了一种包括充电电流产生电路和GSHE MTJ元件的自旋电子逻辑门。 充电电流产生电路被配置为产生表示输入位组的充电电流。 输入位集可以包括用于逻辑运算的一个或多个输入位状态。 GSHE MTJ元件配置为逻辑运算的逻辑输出位状态，并具有阈值电流电平。 GSHE MTJ元件被配置为响应于充电电流产生GSHE自旋电流，并且基于GSHE自旋电流是否超过阈值电流电平来设置逻辑输出位状态来对所设置的输入位执行逻辑运算。

公开(公告)号：WO2014046361A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：PCT/KR2013/003367

申请日：2013-04-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이서원

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18

Abstract: 본 발명은 수직 자기이방성을 갖는 자유 자성층에 인접한 도선에 면내 전류를 인가하여 자유 자성층의 자화 반전을 유도하고, 이와 동시에 자기터널접합 셀마다 선택적으로 전압을 인가하여 특정 셀마다 선택적으로 자유 자성층의 자화를 반전시킬 수 있는 자기 메모리 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 자기 메모리 소자는 자화반전을 일으키는 스핀 홀 스핀토크가 도선과 자유 자성층의 계면에서 일어나기 때문에 부피를 줄여 소자의 고집적화를 구현할 수 있고, 자성층의 수직 자기이방성을 높여 열적 안정성을 확보함과 동시에 스핀전류의 양을 증가시켜 임계전류밀도를 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 두꺼운 절연체로 터널자기저항을 높여 메모리의 읽는 속도를 증가시키면서도 임계전류밀도에 영향을 미치지 않는 메모리 소자이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种磁存储元件，其通过向与其相邻的导线施加面内电流，同时选择性地反转自由磁性层的通量，从而在垂直各向异性自由磁性层中引起磁通反转 每个特定的单元通过选择性地向每个磁性端子结施加电压，因此，由于在导线和自由磁性层之间的界面中产生引起磁通反转的旋转霍尔效应自旋扭矩，磁性 根据本发明的记忆元件由于其体积减小而具有高度集成的元件，并且由于自由磁性层的垂直各向异性的改善而具有热稳定性，并且还允许由于自旋电流量的增加而降低临界电流密度 。 此外，通过用厚的绝缘体提高隧道磁阻，而对临界电流密度没有不利影响，存储元件增加了存储器读取速度。

公开(公告)号：WO2010062073A3

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/KR2009006715

申请日：2009-11-16

Applicant: UNIV KOREA RES & BUS FOUND ,  LEE SANGHOON

Inventor： LEE SANGHOON

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/06 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C11/5607 ,  H01L43/08

Abstract: The present invention relates to an information processing apparatus and to a manufacturing method thereof, and more particularly, to a magnetic information processing apparatus and to a manufacturing method thereof. The magnetic information processing apparatus according to the present invention comprises a substrate, and a magnetic layer which is formed on the substrate, and which contains a magnet having multi-axis magnetic anisotropic properties, wherein said magnet includes a crystal structure. The crystal surface of the magnet and the surface of the magnetic layer do not correspond with each other.

Abstract translation: 信息处理装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种信息处理装置及其制造方法，更具体地涉及一种磁信息处理装置及其制造方法。 根据本发明的磁信息处理装置包括基板和形成在基板上的磁性层，并且其包含具有多轴磁性各向异性特性的磁体，其中所述磁体包括晶体结构。 磁体的晶体表面和磁性层的表面彼此不对应。

公开(公告)号：WO2009133744A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/JP2009/056480

申请日：2009-03-30

Applicant: 日本電気株式会社 ,  深見 俊輔 ,  鈴木 哲広 ,  永原 聖万 ,  石綿 延行 ,  大嶋 則和

Inventor： 深見 俊輔 ,  鈴木 哲広 ,  永原 聖万 ,  石綿 延行 ,  大嶋 則和

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/18 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L29/66984 ,  H01L43/08

Abstract: 　本発明に係る磁気記憶素子、及び磁気メモリは、記憶層と読み出し機構を具備し、前記記憶層は強磁性体から構成され、前記記憶層は第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と磁壁領域を具備し、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域は磁壁領域に対して対称方向に固定された磁化を有する。

Abstract translation: 磁存储元件和磁存储器分别设置有存储层和读出机构。 存储层由铁磁材料构成。 存储层设置有第一磁化固定区域，第二磁化固定区域和磁壁区域。 第一磁化固定区域和第二磁化固定区域在相对于磁壁区域对称的方向上固定磁化。

公开(公告)号：WO2008115258A3

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/US2007074864

申请日：2007-07-31

Applicant: UNIV WASHINGTON ,  SOLIN STUART A ,  WALLACE KIRK D ,  WICKLINE SAMUEL A ,  HUGHES MICHAEL S

Inventor： SOLIN STUART A ,  WALLACE KIRK D ,  WICKLINE SAMUEL A ,  HUGHES MICHAEL S

IPC: G06F19/00

CPC classification number: G01N27/04 ,  G01N15/1031 ,  G01N2015/0038 ,  G01R27/02 ,  G01R33/09 ,  G01R33/095 ,  G01R33/1269 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  G11C13/0019

Abstract: Disclosed herein is an apparatus for sensing characteristics of an object. In a preferred embodiment, the apparatus comprises an array, wherein the array comprises a plurality of nanoscale hybrid semiconductor/metal devices which are in proximity to an object, each hybrid semiconductor/metal device being configured to produce a voltage in response to a perturbation, wherein the produced voltage is indicative of a characteristic of the object. Any of a variety of nanoscale EXX sensors can be selected as the hybrid semiconductor/ metal devices in the array. With such an array, ultra high resolution images of nanoscopic resolution can be generated of objects such as living cells, wherein the images are indicative of a variety of cell biologic processes.

Abstract translation: 本文公开了一种用于感测物体的特性的装置。 在优选实施例中，该装置包括阵列，其中阵列包括接近物体的多个纳米级混合半导体/金属器件，每个混合半导体/金属器件被配置为响应于扰动产生电压， 其中所产生的电压表示物体的特性。 可选择各种纳米级EXX传感器中的任何一种作为阵列中的混合半导体/金属器件。 利用这样的阵列，可以生成诸如活细胞的物体的纳米分辨率的超高分辨率图像，其中图像指示各种细胞生物过程。

公开(公告)号：WO2006010258A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：PCT/CA2005/001167

申请日：2005-07-27

Applicant: UNIVERSITY OF TORONTO ,  AOUBA, Stephane ,  RUDA, Harry

Inventor： AOUBA, Stephane ,  RUDA, Harry

IPC: G11C11/02

CPC classification number: G11C11/14 ,  G11C11/18 ,  H01L27/222 ,  H01L43/065

Abstract: A tunable magnetic switch for use in a magnetic memory device, including a magnetic source to provide a magnetic bias field, a magnetic component located in the bias field, and a coil coaxially disposed around the magnetic component to set a magnetization level in the magnetic component in accordance with a magnetic recoil effect.

Abstract translation: 一种用于磁存储器件的可调磁开关，包括提供磁偏置磁场的磁源，位于偏置磁场中的磁性部件，以及围绕磁性部件同轴设置的线圈，以在磁性部件中设置磁化水平 按照磁性反冲作用。