公开(公告)号：WO2011115385A2

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：PCT/KR2011/001655

申请日：2011-03-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  이해근 ,  송정빈 ,  이종훈

Inventor： 이해근 ,  송정빈 ,  이종훈

IPC: H01B12/00

CPC classification number: H01L39/02 ,  H02G15/34 ,  Y02E40/648 ,  Y10T29/49014

Abstract: 본 발명은 제 1세대 초전도 선재의 초전도 접합 방법에 관한 것으로서 서로 접합하고자 하는 제 1세대 초전도 선재의 접합부에 있는 상전도체 층 부분을 제거하여 초전도 필라멘트를 노출시키는 단계; 상기 접합부에 초전도체 분말을 삽입한 후, 상기 서로 접합하고자 하는 제 1세대 초전도 선재의 초전도 필라멘트를 맞대어 압력을 가하는 단계; 및 상기 맞대어진 제 1세대 초전도 선재를 용융확산시켜 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 임계 전류의 저하와 접합 저항을 최소화할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于第一代高温超导带的超导接头方法，包括以下步骤：通过除去要彼此接合的第一代超导带的接合部分中的相导体层部分来暴露超导细丝; 将第一代超导带的面向超导细丝施加压力，以将超导体粉末插入到接合部分中以彼此接合; 融合，扩散和组合放在一起的第一代超导带，从而减少阈值电流并最小化接触电阻。

公开(公告)号：WO2010016720A2

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：PCT/KR2009/004360

申请日：2009-08-04

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  이해근 ,  송정빈 ,  김현성 ,  권나영

Inventor： 이해근 ,  송정빈 ,  김현성 ,  권나영

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L39/02

Abstract: 본 발명은 기판부, 완충층, 초전도체층 및 안정화재층을 포함한 2세대 고온 초전도 선재의 접합방법에 관한 것으로서, 2세대 고온 초전도 선재 2가닥에 포함된 안정화재층의 일부를 제거하고, 안정화재층이 제거되어 노출된 2세대 고온 초전도 선재 2가닥의 초전도체층을 맞대어 접촉하도록 고정한 다음 초전도체층의 용융점(melting point)까지 가열함으로써 맞대어 접촉한 초전도체층을 용융확산(melting diffusion)시켜 2세대 고온 초전도 선재 2가닥을 접합한다. 이후 접합부분을 산소분위기로 산화(oxygenation annealing)시켜 2세대 고온 초전도 선재의 초전도 특성을 회복한다. 이러한 구성에 의하여 중간 매개체 없이 직접 초전도체층을 맞대어 용융확산함으로써, 상전도 접합에 비해 접합저항이 거의 없이 충분히 긴 선재를 제작할 수 있고, 특히, 산소분압을 진공에 가까운 상태로 만들어 공융점을 낮춤으로써, 은(Ag)을 함유한 안정화재층 등이 용융되지 않게 하면서 접합할 수 있다.

Abstract translation:

含有第二代高温超导线材2股涉及一种超导线材的接合方法，包括一个基底部分，缓冲层，超导体层的稳定剂层的本发明，和稳定剂层 去除的部分，并除去被固定的稳定层是在接触对接第二代高温超导线材2线暴露的超导体层，然后熔融加热到超导体层（熔点）扩散的熔点对接接触的超导层（熔化 第二高温超导线材的扩散。 之后，在氧气氛中进行氧化退火以恢复第二代高温超导线材的超导特性。 通过对接熔融扩散成引导超导层，而不通过该结构的任何中间介质，相变可以产生足够长的引线接合性与结相比非常小，特别是，通过减小共晶点创建在接近真空的状态下的氧分压 ，含有银（Ag）的稳定防火层可以粘合而不熔化。

公开(公告)号：WO2014065487A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/KR2013/005965

申请日：2013-07-05

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이해근 ,  송정빈 ,  이종석

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B57/00

Abstract: 본 발명은 CMP 폐수 내 불순물 분리 방법 및 이를 이용한 CMP 폐수 내 불순물 분리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 소자의 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 처리시 발생되는 CMP 폐수로 마그네타이트(Magnetite)를 첨가한 후 교반하는 단계; 상기 CMP 폐수로 상기 CMP 폐수 내 존재하는 불순물을 응집시키기 위한 응집제를 첨가한 후 교반하는 단계; 상기 CMP 폐수에 산도조절제를 첨가하여 기설정된 범위에 해당하도록 상기 CMP 폐수의 수소이온지수를 조절하여 제1 응집물을 생성하는 단계; 및 상기 CMP 폐수 내 생성된 제1 응집물을 자기장을 이용하여 상기 CMP 폐수로부터 분리하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 CMP 폐수 내 불순물 분리 방법 및 이를 이용한 CMP 폐수 내 불순물 분리 장치는 CMP 폐수로 응집제 및 산도조절제를 첨가하여 실리카 및 구리이온을 포함하는 응집물을 생성하고, 자성을 띠는 응집물을 자기장을 이용하여 용이하게 CMP폐수로부터 필터링할 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于分离CMP废水中的杂质的方法和使用其分离CMP废水中的杂质的分离装置。 具体地说，本发明包括：在半导体器件化学机械抛光（CMP）工艺处理中产生的CMP废水中加入磁铁矿，然后搅拌CMP废水的步骤; 向CMP废水中加入凝结剂以凝结CMP废水中存在的杂质，然后搅拌CMP废水的步骤; 向CMP废水中添加酸度控制器，将CMP废水中的氢的电位控制在预设范围内并产生第一凝结材料的步骤; 以及通过使用磁场将CMP废水中产生的第一凝结材料与CMP废水分离的步骤。 根据本发明的用于分离CMP废水中的杂质的方法和用于分离CMP废水中的杂质的装置可以通过将凝结剂和酸度控制剂加入到CMP废水中来产生含有二氧化硅和铜离子的凝结剂 ，并且通过使用磁场容易地从CMP废水中过滤磁性凝结材料。