公开(公告)号：WO2018004160A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/KR2017/006235

申请日：2017-06-15

Applicant: 에스케이실트론 주식회사

Inventor： 이우성 ,  김자영 ,  신정원

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 실시예는 웨이퍼에 있어서, TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown) 평가시 A 모드 결함과 B 모드 결함과 C 모드 결함 및 C+ 모드 결함이 각각 1% 미만이고, 여기서 상기 A 모드 결함은 상기 TZDB 값이 0 내지 4 Mega volt/cm이고, 상기 B 모드 결함은 상기 TZDB 값이 4 내지 8 Mega volt/cm이고, 상기 C 모드 결함은 상기 TZDB 값이 8 내지 10 Mega volt/cm이고, 상기 C+ 모드는 상기 TZDB 값이 10 내지 12 Mega volt/cm인 웨이퍼를 제공한다.

Abstract translation:

实施例中，在晶片上，TZDB（时间零电介质击穿）评价A模式缺陷和B模式缺陷和C模式缺陷和C +模式缺陷分别低于1％，在该A模式 缺陷是，TZDB值从0到4兆伏/厘米时，B模式缺​​陷是，TZDB值4至8百万伏/厘米，该C-模式的故障是8至10兆伏特/厘米的TZDB值，和 并且C +模式提供具有10至12兆伏特/厘米的TZDB值的晶片。