公开(公告)号：WO2019045126A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/KR2017/009389

申请日：2017-08-28

Applicant: 한양대학교에리카산학협력단

Inventor： 좌용호 ,  임효령 ,  엄누시아

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

Abstract: 박막 게터가 제공된다. 기판, 및 상기 기판 상의 흡수층을 포함하되, 상기 흡수층은, 타겟 가스를 흡수하는 게터재, 및 상기 타겟 가스의 이동 경로를 제공하는 보조재를 포함하되, 상기 게터재는, 상기 보조재에 의해 복수의 게터 영역으로 구분될 수 있다.

公开(公告)号：WO2019022381A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：PCT/KR2018/006887

申请日：2018-06-19

Applicant: 에스케이실트론 주식회사

Inventor： 이재형 ,  이기상 ,  박형국 ,  남병욱 ,  이규형

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

Abstract: 실시 예에 의한 웨이퍼 제조 방법은 1E17 atoms/㎤ 이하의 저농도로 도핑된 도펀트를 포함하며, 0.2 Ω·㎝ 이상의 비저항을 가지며, 보이드 결함을 갖지 않는 기판을 준비하는 단계와, 준비된 기판을 급속 열처리하는 단계와, 급속 열처리된 기판에서 질화막을 제거하는 단계와, 기판을 어닐링하는 단계와 어닐링된 기판 위에 에피텍셜층을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：WO2019013524A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：PCT/KR2018/007806

申请日：2018-07-10

Applicant: 주식회사 유진테크

Inventor： 양승국

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 실리콘을 포함하는 기판을 챔버에 배치하는 단계; 상기 기판의 표면을 불화암모늄(NH4F) 또는 불화수소 암모늄(NH4F(HF))에 노출시키는 반응 단계; 그리고 상기 기판을 어닐링하면서 플라즈마에 노출시키는 어닐링 단계를 포함한다.

公开(公告)号：WO2018208112A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/KR2018/005411

申请日：2018-05-11

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  김상철 ,  문정현 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법에 있어서, 탄화규소 기판 상부에 니켈층 및 티타늄층을 적층하는 단계와; 열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명의 오믹접촉은 탄화규소와 우수한 반응성을 통해 니켈실리사이드의 형성이 용이하며, 카본 클러스터의 형성이 방지되어 균일한 계면을 가지는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：WO2018174355A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：PCT/KR2017/009849

申请日：2017-09-08

Applicant: 주식회사 미코

Inventor： 남성용 ,  김민기 ,  정인영

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/677 ,  H01L23/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L23/00

Abstract: 본딩 장치의 본딩 헤드는 베이스 블록과, 상기 베이스 블록 상에 구비되고, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 칩을 가열하기 위한 발열체를 내장하며, 진공력을 제공하기 위해 상부면까지 연장하는 제1 진공 라인 및 제2 진공 라인을 갖는 가열 블록 및 상기 가열 블록 상에 상기 제1 진공 라인의 진공력에 의해 고정되며, 칩을 진공력으로 고정하기 위해 상기 제2 진공 라인과 연결되는 진공홀을 갖는 흡착판을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2018093213A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/KR2017/013146

申请日：2017-11-17

Applicant: 주식회사 디이에스

Inventor： 유성옥 ,  김흥수 ,  박범선

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

Abstract: 냉매(C)가 순환되기 위한 유로(12)가 형성된 베이스(10), 베이스(10)의 상면 상에 유로(12)를 커버하며 반도체 웨이퍼가 안착되기 위한 위한 커버(20), 및 베이스(10)에 형성된 유로(12)의 저면으로부터 수직하게 돌출되어 냉매(C)의 흐름에 대하여 와류(X)를 형성하여 냉매(C)로부터 커버(20)에 대하여 직접적인 냉각 에너지를 열전달을 하기 위한 열전달 핀(30)으로 이루어지며, 상기 열전달 핀(30)은 유로(12)의 저면(12a) 상에서 유로(12)의 곡률 방향에 평행이 되도록 복수개로 구비되며, 상기 열전달 핀(30)은 동일한 유로(12)의 저면에서 서로 곡률 반경을 달리하는 다중 배열을 가지며, 다중 배열을 이루는 각 열전달 핀(30)의 각 전후면이 서로 겹치지 않도록 배열되는 반도체 웨이퍼 냉각 척이 제공된다.

公开(公告)号：WO2018026251A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/KR2017/008515

申请日：2017-08-07

Applicant: 무진전자 주식회사

Inventor： 이길광 ,  윤용혁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L33/00

Abstract: 본 개시는 반도체 웨이퍼 세정 방법에 있어서, 웨이퍼를 준비하는 단계; 웨이퍼를 건식 세정 하는 단계;그리고, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;를 포함하며, 웨이퍼를 습식 세정 하는 단계;에서, 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本公开涉及一种半导体晶片清洁方法，包括：准备晶片; 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于在湿法清洗晶片的步骤中加热晶片，并湿法清洗晶片。

公开(公告)号：WO2017176038A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：PCT/KR2017/003702

申请日：2017-04-04

Applicant: 한국화학연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 노준홍 ,  신성식 ,  서장원 ,  석상일

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C01G19/02

CPC classification number: C01G19/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 a) 바륨염, 주석염, 과산화수소수 및 유기산을 포함하는 혼합용액에 알칼리 수용액을 첨가하여 비정질 침전물을 침전시키는 단계; b) 상기 비정질 침전물이 포함된 혼합용액을 예열처리하여 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 제조하는 단계; c) 상기 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 극성 유기용매에 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; d) 상기 분산액을 기판 상에 도포하는 단계; 및 e) 상기 기판 상에 도포된 분산액을 열처리하여 페로브스카이트 구조의 BaSnO 3 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 BaSnO 3 박막의 저온 제조 방법에 관한 것이다.

Abstract translation:

本发明）向碱水溶液含有钡盐，锡盐，过氧化氢和有机酸，以沉淀的无定形沉淀物的混合溶液的步骤; b）预热含有无定形沉淀物的混合溶液以制备晶体BaSnO 3子前体材料; c）将晶体BaSnO 3子前体材料分散在极性有机溶剂中以制备分散体; d）将分散体施加到基底上; 并且e）热处理施加在基材上的分散体以产生钙钛矿BaSnO 3薄膜，其中BaSnO 3薄膜包括： 方法。

公开(公告)号：WO2017142645A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/US2017/012781

申请日：2017-01-10

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Inventor： GORCZYCA, Thomas, Bert

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/4933 ,  H01L21/049 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: In an embodiment, a wide bandgap semiconductor power device, includes a wide bandgap semiconductor substrate layer; an epitaxial semiconductor layer disposed above the wide bandgap semiconductor substrate layer; a gate dielectric layer disposed directly over a portion of the epitaxial semiconductor layer; and a gate electrode disposed directly over the gate dielectric layer. The gate electrode includes an in-situ doped semiconductor layer disposed directly over the gate dielectric layer and a metal-containing layer disposed directly over the in-situ doped semiconductor layer.

Abstract translation: 在一个实施例中，宽带隙半导体功率器件包括宽带隙半导体衬底层; 设置在宽带隙半导体衬底层上的外延半导体层; 直接设置在所述外延半导体层的一部分上的栅极电介质层; 以及直接设置在栅介质层上的栅电极。 栅电极包括直接设置在栅介质层上的原位掺杂半导体层和直接设置在原位掺杂半导体层上的含金属层。

公开(公告)号：WO2017138183A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：PCT/JP2016/077143

申请日：2016-09-14

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 山口　天和 ,  谷山　智志 ,  佐々木　隆史

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/455 ,  H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

Abstract: [課題]　基板上に形成する膜の均一性を向上させることが可能な技術を提供する。 [解決手段]　基板を処理する反応管内にガスを導入するよう構成されたガス導入部と、ガスを反応管外で加熱する加熱部と、ガス導入部と加熱部との間に設置される接続部と、を有し、接続部は、ガス導入部と密閉部材を介して接続される外管と、外管よりも小さい径に形成され、一端が加熱部と接続し、他端が少なくとも密閉部材が設置される位置まで延伸する内管と、で構成される。

Abstract translation: [问题]提供一种能够改善在基板上形成的膜的均匀性的技术。 和[溶液]气体入口被配置为将气体引入反应管来处理加热单元气体入口之间设置的基板，在反应管外面加热气体的加热单元，连接 包括一个部分，和连接部，并且其经由密封构件和所述进气口部相连接的外管，被形成为比所述外管的较小直径的一端被连接到加热单元，至少密封的另一端 并且延伸到安装构件的位置的内管。