公开(公告)号：WO2019117363A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：PCT/KR2017/014738

申请日：2017-12-14

申请人： 엘티메탈 주식회사

发明人： 강동한 ,  박정구 ,  홍길수 ,  박주현

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

摘要： 본 발명은 산화인듐; 산화주석; 산화아연; 및 적어도 1종 이상의 금속 이온(M, 여기서 M = Al, Ga, Hf, V)이 함유된 금속산화물을 포함하며, (M+Sn)/(M+In+Sn+Zn)로 표시되는 원자수 비가 10~20 원자%인 산화물 소결체 및 이의 제조방법, 상기 산화물 소결체로부터 형성되어 고이동도 특성이 확보되고, 안정성이 구현된 박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에서는 박막 트랜지스터의 채널층으로 이용되는 반도체 타겟의 조성을 최적화함으로써, 20 cm/Vs 이상의 고이동도 박막 트랜지스터 특성을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：WO2019117384A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：PCT/KR2017/014914

申请日：2017-12-18

申请人： 엘티메탈 주식회사

发明人： 권오집 ,  홍길수 ,  박주현

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  B22F3/12 ,  B22F5/00 ,  B22F3/24

CPC分类号： B22F3/12 ,  B22F3/24 ,  B22F5/00 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  H05K9/00

摘要： 본 발명은 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법과 관련된다. 본 발명은 실시예로 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟으로서, FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어지고, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법을 제시한다.