VARISTOR CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING SAME
    2.
    发明申请
    VARISTOR CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
    变压器陶瓷及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016178536A3

    公开(公告)日:2017-01-05

    申请号:PCT/KR2016004758

    申请日:2016-05-04

    Applicant: AMOTECH CO LTD

    CPC classification number: C04B35/453 C04B35/47 H01C7/10 H01C7/112

    Abstract: Provided is varistor ceramic. The varistor ceramic according to one embodiment of the present invention comprises praseodymia-based zinc oxide and strontium titanate (SrTiO3), wherein the atomic percent of strontium titanate ratio with respect to praseodymia-based zinc oxide is 92-99:8-1. Accordingly, the present invention improves ESD tolerance, has superb electrostatic capacity, and can exhibit stability in a heterojunction.

    Abstract translation: 提供压敏电阻陶瓷。 根据本发明的一个实施方案的压敏电阻陶瓷包括基于氧化镨的氧化钛和钛酸锶(SrTiO 3),其中相对于基于氧化镨的氧化锌的钛酸锶比的原子百分数为92-99:8-1。 因此,本发明提高ESD耐受性,具有极好的静电容量,并且可以在异质结中表现出稳定性。

    바리스터 세라믹 및 이의 제조방법
    3.
    发明申请
    바리스터 세라믹 및 이의 제조방법 审中-公开
    变压器陶瓷及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016178537A2

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:PCT/KR2016/004760

    申请日:2016-05-04

    Inventor: 이승철 강승진

    CPC classification number: C04B35/453 C04B35/468 H01C7/10 H01C7/112

    Abstract: 바리스터 세라믹이 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 바리스터 세라믹은 프라세오디미아계 산화아연 및 티탄산 바륨(BaTiO 3 )을 포함하고, 프라세오디미아계 산화아연 및 티탄산 바륨의 원자백분율 비가 88 ~ 99: 12 ~ 1이 되도록 포함되어 구현된다. 이에 의하면, ESD 내성이 향상되고, 정전용량이 우수하며, 이종접합시 안정성을 나타낼 수 있다.

    Abstract translation: 提供压敏电阻陶瓷。 根据本发明的一个实施方案的压敏电阻陶瓷包含基于氧化锌的氧化锌和钛酸钡(BaTiO 3),其中原生质酸基氧化锌和钛酸钡的原子百分比为88-99:12-1。 因此,本发明提高ESD耐受性,具有极好的静电容量,并且可以在异质结中表现出稳定性。

    酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
    4.
    发明申请
    酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット 审中-公开
    氧化物烧结体和包含氧化物烧结体的溅射靶

    公开(公告)号:WO2016152349A1

    公开(公告)日:2016-09-29

    申请号:PCT/JP2016/054839

    申请日:2016-02-19

    Abstract: インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、前記焼結体に存在するクラックの平均長さが3μm以上、15μm以下であることを特徴とするIGZO焼結体。DCスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

    Abstract translation: 该氧化物烧结体包括铟(In),镓(Ga),锌(Zn),氧(O)和不可避免的杂质,并且是具有烧结体中存在的平均裂纹长度的IGZO烧结体, 超过3μm但不大于15μm。 本发明解决了提供一种能够通过减少靶中裂纹发生而形成优异薄膜的溅射靶的问题,并且通过DC溅射进行沉积时减少了颗粒的产生。

    スパッタリング用ターゲットの作製方法
    5.
    发明申请
    スパッタリング用ターゲットの作製方法 审中-公开
    生产喷射目标的方法

    公开(公告)号:WO2016103114A1

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:PCT/IB2015/059650

    申请日:2015-12-16

    Abstract: 不純物濃度の低い酸化物を有するスパッタリング用ターゲットを提供する。 インジウムと、亜鉛と、元素 M(元素Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)と、 酸素と、を有する混合物を準備する第1のステップと、混合物を、窒素を90体積%以上100体積% 以下の濃度で有する第1の雰囲気で、 第1の温度から第2の温度まで昇温する第2のステップと、 混 合物を、 酸素を10体積%以上100体積%以下の濃度で有する第2の雰囲気で、 第2の温度から第 3の温度まで降温する第3のステップと、を有するスパッタリング用ターゲットの作製方法である。

    Abstract translation: 提供了含有杂质浓度低的氧化物的溅射靶。 制造溅射靶的方法包括:制备包含铟,锌,元素M(其中M为铝,镓,钇或锡)和氧的混合物的第一步骤; 第二步,在含有浓度为90体积%至100体积%的氮气的第一气氛中将混合物从第一温度加热至第二温度; 以及在含有10体积%〜100体积%的浓度的氧气的第二气氛中,混合物的温度从第二温度降低到第三温度的第三步骤。

    積層コイル部品
    6.
    发明申请
    積層コイル部品 审中-公开
    层压线圈组件

    公开(公告)号:WO2016072427A1

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:PCT/JP2015/081076

    申请日:2015-11-04

    Inventor: 岡田 佳子

    Abstract:  本発明は、フェライト材料から構成される磁性体部と、非磁性フェライト材料から構成される非磁性体部と、それらの内部に埋設されたコイル状の導体部を有する積層コイル部品であって、 前記非磁性体部が、Fe 2 O 3 に換算したFe含有量、ZnOに換算したZn含有量、およびV 2 O 5 に換算したV含有量、ならびに存在する場合、CuOに換算したCu含有量およびMn 2 O 3 に換算したMn含有量の合計に対して、 Feの含有量が、Fe 2 O 3 に換算して、36.0~48.5mol%であり、 Znの含有量が、ZnOに換算して、46.0~57.5mol%であり、 Vの含有量が、V 2 O 5 に換算して、0.5~5.0mol%であり、 Mnの含有量が、Mn 2 O 3 に換算して、0~7.5mol%であり、 Cuの含有量が、CuOに換算して、0~5.0mol%である ことを特徴とする積層コイル部品を提供する。本発明の積層コイル部品は、低酸素分圧下で焼成した場合であっても、比抵抗が高い。

    Abstract translation: 本发明提供一种层叠线圈部件,其具有包含铁素体材料的磁性部分,包含非磁性铁素体材料的非磁性部分和嵌入在磁性和非磁性部分内部的线圈状导体部分,层叠线圈 组分的特征在于相对于转化为Fe 2 O 3的Fe含量,转化为ZnO的Zn含量,V含量转化为V 2 O 5的量,如果存在Cu转化为CuO,Mn含量转化为Mn 2 O 3, 转化为Fe2O3时,非磁性部分含有Fe为36.0〜48.5摩尔%的Fe,转化为ZnO时为Zn为46.0〜57.5摩尔%,V 2 O为0.5〜5.0摩尔%时为V, 当转化为Mn 2 O 3时,Mn为0-7.5mol%,Cu转化成CuO时为0-5.0mol%。 此外,即使在低氧分压下烧结,该层叠线圈部件也具有高电阻率。

    層状複水酸化物緻密膜の形成方法
    7.
    发明申请
    層状複水酸化物緻密膜の形成方法 审中-公开
    形成层状双羟基渗透膜的方法

    公开(公告)号:WO2016067884A1

    公开(公告)日:2016-05-06

    申请号:PCT/JP2015/078654

    申请日:2015-10-08

    Abstract:  多孔質基材の表面に層状複水酸化物緻密膜を形成する方法が提供される。この方法は、層状複水酸化物緻密膜が、一般式:M 2+ 1-x M 3+ x (OH) 2 A n- x/n ・mH 2 O(式中、M 2+ は2価の陽イオン、M 3+ は3価の陽イオンであり、A n- はn価の陰イオン、nは1以上の整数、xは0.1~0.4である)で表される層状複水酸化物からなり、(a)多孔質基材を用意する工程と、(b)多孔質基材に、層状複水酸化物の結晶成長の起点を与えうる起点物質を均一に付着させる工程と、(c)層状複水酸化物の構成元素を含む原料水溶液中で、多孔質基材に水熱処理を施して、層状複水酸化物緻密膜を多孔質基材の表面に形成させる工程とを含む。本発明の方法によれば、多孔質基材の表面に、高度に緻密化されたLDH緻密膜をムラなく均一に形成することができる。

    Abstract translation: 提供了在多孔基材的表面上形成层状双氢氧化物致密膜的方法。 在该方法中,层状双氢氧化物致密膜包含由通式M2 + 1-xM3 + x(OH)2An-x / n·mH2O表示的层状双氢氧化物(式中,M2 +为二价阳离子,M3 +为 三价阳离子,An-为n价阴离子,n为1以上的整数,x为0.1〜0.4),该方法包括(a)制备多孔质基材的工序,(b)均匀的工序 在多孔基材上沉积可以提供层状双氢氧化物的晶体生长起始点的原料,和(c)使多孔基材在含水原料溶液中进行水热处理的步骤,所述水性原料溶液包括 并且在多孔基材的表面上形成层状双氢氧化物致密膜。 根据该方法,可以在多孔基材的表面上均匀地形成高密度LDH致密膜而不均匀。

    スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法および爪部材
    9.
    发明申请
    スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法および爪部材 审中-公开
    用于制造目标和物件的目标材料的方法

    公开(公告)号:WO2016027534A1

    公开(公告)日:2016-02-25

    申请号:PCT/JP2015/064530

    申请日:2015-05-20

    Abstract:  実施形態に係るスパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法は、全長が500mm以上の筒状セラミックスの中空部に、3以上の支持爪を筒状セラミックスの全長の10%以上の長さまで挿入する工程と、3以上の支持爪を筒状セラミックスの内周面にそれぞれ当接させて、筒状セラミックスを支持する工程と、3以上の支持爪で支持された筒状セラミックスを筒状セラミックスの周方向に回転させて筒状セラミックスの外周面を加工する工程とを含む。3以上の支持爪は、硬質ゴムでコーティングされている。

    Abstract translation: 根据实施例的用于制造溅射靶的靶材的方法包括将三个或更多个支撑爪插入圆柱形陶瓷的中空部分的步骤,所述圆柱形陶瓷的总长度为500mm以上,直到长度为10%以上 圆柱形陶瓷的总长度,通过使三个或更多个支撑爪与圆柱形陶瓷的内周面接触来支撑圆柱形陶瓷的步骤,以及用于加工圆柱形陶瓷的外周表面的步骤 通过在筒状陶瓷的圆周方向上旋转由三个以上的支撑爪支撑的圆筒状陶瓷。 三个或更多个支撑爪被硬橡胶涂覆。

Patent Agency Ranking