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1.KERAMISCHES VIELSCHICHTBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KERAMISCHEN VIELSCHICHTBAUELEMENTS 审中-公开
Title translation: 陶瓷多层元件和陶瓷多层元件的制造方法公开(公告)号:WO2017089095A1
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:PCT/EP2016/076726
申请日:2016-11-04
Applicant: EPCOS AG
Inventor: WOZNIAK, Uwe , FEICHTINGER, Thomas
CPC classification number: H01C7/112 , B32B18/00 , C04B35/453 , C04B37/021 , C04B37/023 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3265 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , C04B2237/60 , H01C1/148 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/108 , H01C7/18 , H01C17/00 , H01C17/06533 , H01C17/283
Abstract: Es wird ein Vielschichtbauelement (1) beschrieben, aufweisend einen keramischen Grundkörper (2) und wenigstens eine Metall struktur (3, 5, 6), wobei die Metall struktur (3, 5, 6) co-gesintert ist, wobei der Grundkörper (2) eine Dotierung mit einem Material der Metallstruktur (3, 5, 6) aufweist, und wobei der Grundkörper (2) derart mit dem Material der Metall struktur (3, 5, 6), dotiert ist, dass eine Diffusion von Material der Metall struktur (3, 5, 6), in den Grundkörper (2) während des Sintervorgangs verringert wird. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements (1) beschrieben.
Abstract translation:
下面将描述包含陶瓷求&OUML的多层部件(1);主体(2)和至少一个金属结构(3,5,6),其中所述金属结构(3,5,6) 是共烧结,其中,所述求&oUML;主体(2)具有与所述金属结构的材料的掺杂(3,5,6),并且其中,所述求&oUML;本体(2)与金属结构(3,5的材料这样的方式, 6)被掺杂,使得在烧结过程期间金属结构(3,5,6)的材料向基体(2)中的扩散减少。 此外,描述了用于制造多层部件(1)的方法
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公开(公告)号:WO2016178536A3
公开(公告)日:2017-01-05
申请号:PCT/KR2016004758
申请日:2016-05-04
Applicant: AMOTECH CO LTD
Inventor: LEE SEUNG CHUL , KANG SEUNG JIN
IPC: C04B35/453 , C04B35/47 , H01C7/10 , H01C7/112
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/47 , H01C7/10 , H01C7/112
Abstract: Provided is varistor ceramic. The varistor ceramic according to one embodiment of the present invention comprises praseodymia-based zinc oxide and strontium titanate (SrTiO3), wherein the atomic percent of strontium titanate ratio with respect to praseodymia-based zinc oxide is 92-99:8-1. Accordingly, the present invention improves ESD tolerance, has superb electrostatic capacity, and can exhibit stability in a heterojunction.
Abstract translation: 提供压敏电阻陶瓷。 根据本发明的一个实施方案的压敏电阻陶瓷包括基于氧化镨的氧化钛和钛酸锶(SrTiO 3),其中相对于基于氧化镨的氧化锌的钛酸锶比的原子百分数为92-99:8-1。 因此,本发明提高ESD耐受性,具有极好的静电容量,并且可以在异质结中表现出稳定性。
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公开(公告)号:WO2016178537A2
公开(公告)日:2016-11-10
申请号:PCT/KR2016/004760
申请日:2016-05-04
Applicant: 주식회사 아모텍
IPC: C04B35/453 , C04B35/468 , H01C7/112 , H01C7/10
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/468 , H01C7/10 , H01C7/112
Abstract: 바리스터 세라믹이 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 바리스터 세라믹은 프라세오디미아계 산화아연 및 티탄산 바륨(BaTiO 3 )을 포함하고, 프라세오디미아계 산화아연 및 티탄산 바륨의 원자백분율 비가 88 ~ 99: 12 ~ 1이 되도록 포함되어 구현된다. 이에 의하면, ESD 내성이 향상되고, 정전용량이 우수하며, 이종접합시 안정성을 나타낼 수 있다.
Abstract translation: 提供压敏电阻陶瓷。 根据本发明的一个实施方案的压敏电阻陶瓷包含基于氧化锌的氧化锌和钛酸钡(BaTiO 3),其中原生质酸基氧化锌和钛酸钡的原子百分比为88-99:12-1。 因此,本发明提高ESD耐受性,具有极好的静电容量,并且可以在异质结中表现出稳定性。
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公开(公告)号:WO2016152349A1
公开(公告)日:2016-09-29
申请号:PCT/JP2016/054839
申请日:2016-02-19
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/01 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6565 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、前記焼結体に存在するクラックの平均長さが3μm以上、15μm以下であることを特徴とするIGZO焼結体。DCスパッタリングによる成膜時にターゲット割れやパーティクル発生を低減し、良好な薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
Abstract translation: 该氧化物烧结体包括铟(In),镓(Ga),锌(Zn),氧(O)和不可避免的杂质,并且是具有烧结体中存在的平均裂纹长度的IGZO烧结体, 超过3μm但不大于15μm。 本发明解决了提供一种能够通过减少靶中裂纹发生而形成优异薄膜的溅射靶的问题,并且通过DC溅射进行沉积时减少了颗粒的产生。
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公开(公告)号:WO2016103114A1
公开(公告)日:2016-06-30
申请号:PCT/IB2015/059650
申请日:2015-12-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C01G15/006 , C01G19/006 , C01P2006/80 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01J37/3426 , H01L29/786
Abstract: 不純物濃度の低い酸化物を有するスパッタリング用ターゲットを提供する。 インジウムと、亜鉛と、元素 M(元素Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)と、 酸素と、を有する混合物を準備する第1のステップと、混合物を、窒素を90体積%以上100体積% 以下の濃度で有する第1の雰囲気で、 第1の温度から第2の温度まで昇温する第2のステップと、 混 合物を、 酸素を10体積%以上100体積%以下の濃度で有する第2の雰囲気で、 第2の温度から第 3の温度まで降温する第3のステップと、を有するスパッタリング用ターゲットの作製方法である。
Abstract translation: 提供了含有杂质浓度低的氧化物的溅射靶。 制造溅射靶的方法包括:制备包含铟,锌,元素M(其中M为铝,镓,钇或锡)和氧的混合物的第一步骤; 第二步,在含有浓度为90体积%至100体积%的氮气的第一气氛中将混合物从第一温度加热至第二温度; 以及在含有10体积%〜100体积%的浓度的氧气的第二气氛中,混合物的温度从第二温度降低到第三温度的第三步骤。
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公开(公告)号:WO2016072427A1
公开(公告)日:2016-05-12
申请号:PCT/JP2015/081076
申请日:2015-11-04
Applicant: 株式会社村田製作所
Inventor: 岡田 佳子
CPC classification number: H01F1/34 , B32B18/00 , C04B35/26 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3239 , C04B2235/3265 , C04B2235/3268 , C04B2235/3274 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/612 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01F1/344 , H01F3/14 , H01F17/0013 , H01F27/245 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F2027/2809
Abstract: 本発明は、フェライト材料から構成される磁性体部と、非磁性フェライト材料から構成される非磁性体部と、それらの内部に埋設されたコイル状の導体部を有する積層コイル部品であって、 前記非磁性体部が、Fe 2 O 3 に換算したFe含有量、ZnOに換算したZn含有量、およびV 2 O 5 に換算したV含有量、ならびに存在する場合、CuOに換算したCu含有量およびMn 2 O 3 に換算したMn含有量の合計に対して、 Feの含有量が、Fe 2 O 3 に換算して、36.0~48.5mol%であり、 Znの含有量が、ZnOに換算して、46.0~57.5mol%であり、 Vの含有量が、V 2 O 5 に換算して、0.5~5.0mol%であり、 Mnの含有量が、Mn 2 O 3 に換算して、0~7.5mol%であり、 Cuの含有量が、CuOに換算して、0~5.0mol%である ことを特徴とする積層コイル部品を提供する。本発明の積層コイル部品は、低酸素分圧下で焼成した場合であっても、比抵抗が高い。
Abstract translation: 本发明提供一种层叠线圈部件,其具有包含铁素体材料的磁性部分,包含非磁性铁素体材料的非磁性部分和嵌入在磁性和非磁性部分内部的线圈状导体部分,层叠线圈 组分的特征在于相对于转化为Fe 2 O 3的Fe含量,转化为ZnO的Zn含量,V含量转化为V 2 O 5的量,如果存在Cu转化为CuO,Mn含量转化为Mn 2 O 3, 转化为Fe2O3时,非磁性部分含有Fe为36.0〜48.5摩尔%的Fe,转化为ZnO时为Zn为46.0〜57.5摩尔%,V 2 O为0.5〜5.0摩尔%时为V, 当转化为Mn 2 O 3时,Mn为0-7.5mol%,Cu转化成CuO时为0-5.0mol%。 此外,即使在低氧分压下烧结,该层叠线圈部件也具有高电阻率。
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公开(公告)号:WO2016067884A1
公开(公告)日:2016-05-06
申请号:PCT/JP2015/078654
申请日:2015-10-08
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M2/16 , B32B9/00 , B32B18/00 , C01F7/00 , C01F7/005 , C01P2004/03 , C04B35/03 , C04B35/057 , C04B35/10 , C04B35/18 , C04B35/185 , C04B35/195 , C04B35/26 , C04B35/453 , C04B35/46 , C04B35/48 , C04B35/565 , C04B38/00 , H01M2/1646 , H01M2/1686 , H01M10/26 , H01M12/08 , H01M2300/0068 , H01M2300/0094 , Y02E60/128 , C04B38/0054 , C04B38/0074
Abstract: 多孔質基材の表面に層状複水酸化物緻密膜を形成する方法が提供される。この方法は、層状複水酸化物緻密膜が、一般式:M 2+ 1-x M 3+ x (OH) 2 A n- x/n ・mH 2 O(式中、M 2+ は2価の陽イオン、M 3+ は3価の陽イオンであり、A n- はn価の陰イオン、nは1以上の整数、xは0.1~0.4である)で表される層状複水酸化物からなり、(a)多孔質基材を用意する工程と、(b)多孔質基材に、層状複水酸化物の結晶成長の起点を与えうる起点物質を均一に付着させる工程と、(c)層状複水酸化物の構成元素を含む原料水溶液中で、多孔質基材に水熱処理を施して、層状複水酸化物緻密膜を多孔質基材の表面に形成させる工程とを含む。本発明の方法によれば、多孔質基材の表面に、高度に緻密化されたLDH緻密膜をムラなく均一に形成することができる。
Abstract translation: 提供了在多孔基材的表面上形成层状双氢氧化物致密膜的方法。 在该方法中,层状双氢氧化物致密膜包含由通式M2 + 1-xM3 + x(OH)2An-x / n·mH2O表示的层状双氢氧化物(式中,M2 +为二价阳离子,M3 +为 三价阳离子,An-为n价阴离子,n为1以上的整数,x为0.1〜0.4),该方法包括(a)制备多孔质基材的工序,(b)均匀的工序 在多孔基材上沉积可以提供层状双氢氧化物的晶体生长起始点的原料,和(c)使多孔基材在含水原料溶液中进行水热处理的步骤,所述水性原料溶液包括 并且在多孔基材的表面上形成层状双氢氧化物致密膜。 根据该方法,可以在多孔基材的表面上均匀地形成高密度LDH致密膜而不均匀。
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公开(公告)号:WO2016067205A1
公开(公告)日:2016-05-06
申请号:PCT/IB2015/058288
申请日:2015-10-27
Applicant: QUANTUM DESIGNED MATERIALS LTD.
Inventor: GATT, Refael
IPC: H01L39/12 , C04B35/453 , H01L39/24
CPC classification number: H01L39/126 , C04B35/45 , C04B35/4504 , C04B35/4521 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C04B2235/765 , H01L39/005 , H01L39/2419
Abstract: This disclosure relates to compounds of formula (I): L n D m (B x B' 1-x ) r (Z t Z' 1-t ) q M p A y (I), in which n, m, x, r, t, q, p, L, D, B, B', Z, Z', M, and A are defined in the specification. These compounds can exhibit superconductivity at a high temperature.
Abstract translation: 本发明涉及式(I)化合物:LnDm(BxB'1-x)r(ZtZ'1-t)qMpAy(I),其中n,m,x,r,t,q,p, D,B,B',Z,Z',M和A在说明书中定义。 这些化合物可以在高温下表现出超导性。
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公开(公告)号:WO2016027534A1
公开(公告)日:2016-02-25
申请号:PCT/JP2015/064530
申请日:2015-05-20
Applicant: 三井金属鉱業株式会社
IPC: C23C14/34 , B24B5/22 , C04B35/00 , C04B35/453 , C04B41/91 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: B24B5/22 , C04B35/00 , C04B35/453 , C04B41/91 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 実施形態に係るスパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法は、全長が500mm以上の筒状セラミックスの中空部に、3以上の支持爪を筒状セラミックスの全長の10%以上の長さまで挿入する工程と、3以上の支持爪を筒状セラミックスの内周面にそれぞれ当接させて、筒状セラミックスを支持する工程と、3以上の支持爪で支持された筒状セラミックスを筒状セラミックスの周方向に回転させて筒状セラミックスの外周面を加工する工程とを含む。3以上の支持爪は、硬質ゴムでコーティングされている。
Abstract translation: 根据实施例的用于制造溅射靶的靶材的方法包括将三个或更多个支撑爪插入圆柱形陶瓷的中空部分的步骤,所述圆柱形陶瓷的总长度为500mm以上,直到长度为10%以上 圆柱形陶瓷的总长度,通过使三个或更多个支撑爪与圆柱形陶瓷的内周面接触来支撑圆柱形陶瓷的步骤,以及用于加工圆柱形陶瓷的外周表面的步骤 通过在筒状陶瓷的圆周方向上旋转由三个以上的支撑爪支撑的圆筒状陶瓷。 三个或更多个支撑爪被硬橡胶涂覆。
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公开(公告)号:WO2015170592A1
公开(公告)日:2015-11-12
申请号:PCT/JP2015/062244
申请日:2015-04-22
Applicant: 株式会社サクラクレパス
IPC: H01L21/3065 , C04B35/00 , C23C16/50 , H01L21/31 , H05H1/00
CPC classification number: G01N21/255 , C01G29/00 , C01G31/02 , C01G39/02 , C01G41/02 , C01P2006/60 , C04B35/453 , C04B35/495 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C24/00 , G01N21/718 , G01N21/75 , G01N21/78 , G01N31/22 , G01N31/223 , G01N31/226 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: 本発明は、プラズマ処理により変色する変色層を有するインジケータであって、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されており、且つ、耐熱性が良好なプラズマ処理検知インジケータを提供する。 本発明は、具体的には、プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の金属元素の単体及び/又は当該金属元素を含む無機化合物を含有するプラズマ処理検知インジケータを提供する。
Abstract translation: 本发明提供了一种等离子体处理检测指示器,其具有通过等离子体处理而改变颜色的变色层,其中充分抑制了由于等离子体处理引起的气化或转变成细碎屑和色变层的散射,从而 不影响电子设备特性,指示灯具有良好的耐热性。 具体地说,本发明是一种等离子体处理检测指示器,其具有通过等离子体处理而改变颜色的变色层,其中,变色层包含选自钼,钨的至少一种金属元素的单一单元 ,锡,钒,铈,碲,铋和/或含有这种金属元素的无机化合物。
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