公开(公告)号：WO2009107768A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/JP2009/053651

申请日：2009-02-27

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  長原 達郎 ,  林 昌伸

Inventor： 長原 達郎 ,  林 昌伸

IPC: H01L21/76 ,  B05D7/24 ,  C09D5/25 ,  C09D183/16 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3125 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224 ,  Y10T428/24612

Abstract: 　本発明は、膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法を提供するものである。本発明によるシリカ質膜の形成方法は、 　凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、 　前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、 　前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する ことを含んでなる。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積させることもできる。

Abstract translation: 公开了一种形成膜中氮含量低的硅质膜的方法。 该方法包括以下步骤：在具有凹凸的基板的表面上涂布聚硅氮烷组合物以形成涂膜，仅在涂膜中固化一部分与基板表面相邻的部分，以形成符合标准的覆盖薄膜 具有凹凸的基板的形状，并且在覆盖薄膜形成工序中除去未固化的聚硅氮烷组合物。 关于通过该方法形成的硅质膜，可以沉积多个硅质膜。

公开(公告)号：WO2004019132A1

公开(公告)日：2004-03-04

申请号：PCT/JP2003/008928

申请日：2003-07-14

Applicant: クラリアント インターナショナル リミテッド ,  長原 達郎 ,  松尾 英樹

Inventor： 長原 達郎 ,  松尾 英樹

IPC: G03F7/075

CPC classification number: H01B3/30 ,  C08L83/16 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01B3/46

Abstract: The dimensional changes of patterns formed from polysilsesquiazane-based photosensitive compositions containing a photo-acid generator are prevented. Provided is a photosensitive composition characterized by comprising: a modified polysilsesquiazane which has basic structural units represented by the general formula -[SiR (NR )1.5]- (wherein R 's each independently represents C1-3 alkyl or (un)substituted phenyl; and R 's each independently represents hydrogen, C1-3 alkyl, or (un)substituted phenyl), up to 50 mol% of the basic structural units being substituted by groups other than silazane bonds, and has a weight-average molecular weight of 500 to 200,000; a photo-acid generator; and a basic substance.

Abstract translation: 防止由含有光酸产生剂的聚倍半ane基感光性组合物形成的图案的尺寸变化。 本发明提供一种感光性组合物，其特征在于，具有：具有由通式[SiR 1（NR 2）]]表示的基本结构单元的改性聚倍半芪（其中R 1各自独立地表示C1- 3烷基或（取代）取代的苯基; R 2各自独立地表示氢，C 1-3烷基或（取代的）取代的苯基），至多50摩尔％的基本结构单元被除 硅氮烷键，重均分子量为500〜200,000; 光酸发生器; 和基本物质。

公开(公告)号：WO2005006083A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：PCT/JP2004/007706

申请日：2004-06-03

Applicant: クラリアント インターナショナル リミテッド ,  長原 達郎 ,  武藤 正 ,  林 昌伸

Inventor： 長原 達郎 ,  武藤 正 ,  林 昌伸

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/322

Abstract: 　感光性組成物を簡便に、かつ十分な感度および解像度を保ちながら現像する現像液と、それによるパターン形成方法を提供する。この現像液は、アミン−Ｎ−オキシド基、スルホン酸塩基、硫酸塩基、カルボン酸塩基、およびリン酸塩基からなる群から選ばれる親水性基を有する化合物を含んでなるものであり、特にケイ素を含有するポリマーを含む感光性組成物の現像に用いられるものである。本発明はそれを用いたパターン形成方法にも関するものである。

Abstract translation: 用于显影光敏组合物的显影液，其包含具有选自胺-N-氧化物基团，磺酸盐基团，硫酸盐基团，羧酸盐基团的亲水基团的化合物和 磷酸基。 显影液特别用于显影含有具有硅的聚合物的光敏组合物; 以及形成使用显影液的图案的方法。 显影液可以方便简便地用于显影光敏组合物，同时保持令人满意的感光度和分辨率。

公开(公告)号：WO2004010223A1

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：PCT/JP2003/006613

申请日：2003-05-27

Applicant: クラリアント インターナショナル リミテッド ,  長原 達郎 ,  松尾 英樹

Inventor： 長原 達郎 ,  松尾 英樹

IPC: G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  G03F7/0045

Abstract: A photosensitive composition which has excellent storage stability and gives an interlayer dielectric having an improved thickness limit. The photosensitive composition is characterized by comprising: a modified polysilsesquiazane which is obtained by replacing up to 50 mol% of basic structural units represented by the general formula -[SiR (NR )1.5]- (wherein R 's each independently represents C1-3 alkyl or (un)substituted phenyl; and R 's each independently represents hydrogen, C1-3 alkyl, or (un)substituted phenyl) by connecting groups other than silazane bonds and which has a weight-average molecular weight of 500 to 200,000; and a photo-acid generator.

Abstract translation: 具有优异的储存稳定性并提供具有改善的厚度极限的层间电介质的光敏组合物。 光敏组合物的特征在于包含：通过将由通式 - [SiR 1（NR 2）]]表示的至多50摩尔％的碱性结构单元代替而得到的改性聚倍半芪 - （其中R 1 各自独立地表示C1-3烷基或（未）取代的苯基; R 2各自独立地表示氢，C 1-3烷基或（未）取代的苯基），通过连接除硅氮烷键之外的基团，并且其中 重均分子量为500〜200,000; 和光酸发生器。