公开(公告)号：WO2009157333A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/JP2009/060849

申请日：2009-06-15

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  長原 達郎 ,  林 昌伸

Inventor： 長原　達郎 ,  林　昌伸

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/76232

Abstract: 　本発明によれば、絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法が提供される。このシャロー・トレンチ・アイソレーション構造は、表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるものである。このようなアイソレーション構造は、基板表面にポリシラザン組成物を塗布し、前記塗膜の表面に紫外線を照射して、塗膜の表面近傍にあるポリシラザンの一部を硬化させ、さらに前記塗膜を焼成することにより形成させることができる。

Abstract translation: 公开了具有优异绝缘性能的浅沟槽隔离结构。 还公开了用于形成浅沟槽隔离结构的简单且低成本的方法。 浅沟槽隔离结构具有嵌入二氧化硅膜的表面槽结构。 二氧化硅膜位于基板的表面侧，空隙存在于槽的底部。 隔离结构可以通过将聚硅氮烷组合物涂布在基材的表面上，将涂膜的表面暴露于紫外光以固化存在于涂膜表面附近的聚硅氮烷的一部分而形成，此外， 涂膜。

公开(公告)号：WO2012111729A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/JP2012/053605

申请日：2012-02-16

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズIP株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  長原 達郎 ,  林 昌伸 ,  鈴木 勝力

Inventor： 長原　達郎 ,  林　昌伸 ,  鈴木　勝力

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/0223 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: ［課題］低収縮かつ低応力である絶縁膜を製造することができる方法の提供。 ［解決手段］基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、引き続き前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、５０～２００℃で加熱することを含んでなることを特徴とする、二酸化ケイ素膜の製造方法。この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。

Abstract translation: [问题]提供一种可以生产具有低收缩和低应力的绝缘膜的方法。 [解决方案]一种形成二氧化硅膜的方法，其特征在于将聚硅氮烷组合物施加到基材表面以形成膜，然后在50℃至200℃的温度范围内在过氧化氢气氛中加热该膜 。 这种二氧化硅膜的制造方法可以用于形成绝缘膜等隔离结构。

公开(公告)号：WO2008029834A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：PCT/JP2007/067284

申请日：2007-09-05

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  林 昌伸

Inventor： 林 昌伸

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  C08G77/62 ,  C09D183/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76

CPC classification number: C09D183/16 ,  C08G77/62 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/31663

Abstract: 　均一性の高いシリカ質膜を形成することができる、膜厚収縮率の小さいシリカ質膜形成用組成物と、トレンチ幅が非常に狭い場合であっても、トレンチ内部まで均一に埋設できるトレンチ・アイソレーション構造の形成方法を提供する。このシリカ質膜形成用組成物は、ハロシラン化合物を１種類または２種類以上組み合わせて共アンモノリシスさせることにより得られるポリシラザン化合物と、溶剤とを含んでなる。また本発明によるシリカ質膜の製造法は、シリコン基板の表面上に、前記シリカ質膜形成用組成物を塗布し、１０００°C未満の酸素雰囲気または水蒸気を含む酸化雰囲気で加熱処理して前記組成物を二酸化ケイ素膜に転化させる。

Abstract translation: 可以形成具有高均匀度并且减小厚度收缩率的硅质膜的硅成膜组合物; 以及形成沟槽隔离结构的方法，即使当沟槽具有非常小的宽度时，也可以将沟槽均匀地填充到其内部。 用于硅质膜形成的组合物包括：通过单独的卤代硅烷化合物或两种或更多种卤代硅烷化合物的组合的共铵解来获得的聚硅氮烷化合物; 和溶剂。 另外还提​​供了一种制备硅质薄膜的方法，该方法包括将硅质薄膜形成用组合物涂布到硅基材的表面，并在低于1000℃的氧气氛或含蒸气的氧化气氛中进行热处理 以将组合物转化为二氧化硅膜。

公开(公告)号：WO2005006083A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：PCT/JP2004/007706

申请日：2004-06-03

Applicant: クラリアント インターナショナル リミテッド ,  長原 達郎 ,  武藤 正 ,  林 昌伸

Inventor： 長原 達郎 ,  武藤 正 ,  林 昌伸

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/322

Abstract: 　感光性組成物を簡便に、かつ十分な感度および解像度を保ちながら現像する現像液と、それによるパターン形成方法を提供する。この現像液は、アミン−Ｎ−オキシド基、スルホン酸塩基、硫酸塩基、カルボン酸塩基、およびリン酸塩基からなる群から選ばれる親水性基を有する化合物を含んでなるものであり、特にケイ素を含有するポリマーを含む感光性組成物の現像に用いられるものである。本発明はそれを用いたパターン形成方法にも関するものである。

Abstract translation: 用于显影光敏组合物的显影液，其包含具有选自胺-N-氧化物基团，磺酸盐基团，硫酸盐基团，羧酸盐基团的亲水基团的化合物和 磷酸基。 显影液特别用于显影含有具有硅的聚合物的光敏组合物; 以及形成使用显影液的图案的方法。 显影液可以方便简便地用于显影光敏组合物，同时保持令人满意的感光度和分辨率。

公开(公告)号：WO2009110449A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/JP2009/053931

申请日：2009-03-03

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  林 昌伸

Inventor： 林 昌伸

IPC: H01L21/316 ,  B05D3/10 ,  C09D183/16 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/02282 ,  C03C1/008 ,  C03C2203/20 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122

Abstract: 　本発明は、本発明はシリカ質膜の製造過程において用いられる浸漬用溶液に関するものであり、凹凸を有する基板上に凹部の内部まで均一なシリカ質膜を形成させるための浸漬用溶液とそれを用いたシリカ質膜の製造法を提供するものである。この浸漬用溶液は、ポリシラザン組成物塗布済み基板を焼成前に浸漬させるためのものであって、過酸化水素、気泡付着防止剤、および溶媒を含んでなる。

Abstract translation: 公开了一种用于生产硅质膜的方法的浸渍溶液。 更具体地，公开了一种用于在具有凹入到凹部内侧的基底上形成均匀的硅质膜的浸渍溶液。 还公开了使用浸渍溶液生产硅质膜的方法。 浸渍溶液用于在烧制之前浸渍涂覆有聚硅氮烷组合物的基材。 浸渍溶液含有过氧化氢，泡沫粘附防止剂和溶剂。

公开(公告)号：WO2011027826A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/JP2010/065035

申请日：2010-09-02

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  尾崎 祐樹 ,  林 昌伸

Inventor： 尾崎　祐樹 ,  林　昌伸

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C18/1208 ,  C04B35/14 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/483 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  C23C18/122 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326

Abstract: 　本発明はポリシラザン化合物を用いて、低温で表面が親水性のシリカ質膜を得る方法を提供するものである。この方法は、基板の表面上に、ポリシラザン化合物およびシリカ転化反応促進化合物を含んでなる組成物を塗布し、得られた塗膜に、ポリシラザン塗膜処理液を塗布し、３００℃以下でポリシラザン化合物をシリカ質膜に転化させるものである。このポリシラザン塗膜処理液は、過酸化水素とアルコールと溶媒とを含むものである。

Abstract translation: 提供了通过使用聚硅氮烷化合物获得在低温下具有亲水性表面的硅质膜的方法。 该方法包括用包括聚硅氮烷化合物和用于促进二氧化硅转化反应的化合物的组合物涂覆基材的表面; 将聚硅氮烷涂层处理液涂布在所得涂层上; 并在300℃以下的温度下将聚硅氮烷化合物转化成硅质膜。 聚硅氮烷涂层处理液包括过氧化氢，醇和溶剂。

公开(公告)号：WO2009107768A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/JP2009/053651

申请日：2009-02-27

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション ,  長原 達郎 ,  林 昌伸

Inventor： 長原 達郎 ,  林 昌伸

IPC: H01L21/76 ,  B05D7/24 ,  C09D5/25 ,  C09D183/16 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3125 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76224 ,  Y10T428/24612

Abstract: 　本発明は、膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法を提供するものである。本発明によるシリカ質膜の形成方法は、 　凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、 　前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、 　前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する ことを含んでなる。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積させることもできる。

Abstract translation: 公开了一种形成膜中氮含量低的硅质膜的方法。 该方法包括以下步骤：在具有凹凸的基板的表面上涂布聚硅氮烷组合物以形成涂膜，仅在涂膜中固化一部分与基板表面相邻的部分，以形成符合标准的覆盖薄膜 具有凹凸的基板的形状，并且在覆盖薄膜形成工序中除去未固化的聚硅氮烷组合物。 关于通过该方法形成的硅质膜，可以沉积多个硅质膜。