公开(公告)号：WO2017186283A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：PCT/EP2016/059363

申请日：2016-04-27

Applicant: BASF SE

Inventor： REICHARDT, DR.,, Robert ,  SIEBERT, DR.,, Max ,  LAN, Yongqing ,  LAUTER, DR., Michael ,  USMAN IBRAHIM, Sheik Ansar ,  GOLZARIN, Reza ,  GUEVENC , DR., Haci Osman ,  PROELSS, DR., Julian ,  LEUNISSEN, DR.,, Leonardus

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition (Q) for chemical mechanical polishing of a substrate (S) comprising (i) cobalt and/or (ii) a cobalt alloy, wherein the CMP composition (Q) comprises (A) Inorganic particles (B) an anionic surfactant of the general formula (I) R-S wherein R is C 5 -C 20 -alkyl, C 5 -C 20 -alkenyl, C 5 -C 20 -alkylacyl or C 5 -C 20 -alkenylacyl and S is a sulfonic acid derivative, an amino acid derivative or a phosphoric acid derivative or salts or mixtures thereof (C) at least one amino acid, (D) at least one oxidizer (E) an aqueous medium and wherein the CMP composition (Q) has a pH of from 7 to 10.

Abstract translation: 化学机械抛光（CMP）组合物（Q）用于包含（i）钴和/或（ii）钴合金的基材（S）的化学机械抛光的用途，其中所述CMP组合物 （Q）包含：（A）无机颗粒（B）通式（I）RS的阴离子表面活性剂，其中R为C 5 -C 20的烷基， C 5 -C 20 - 烯基，C 5 -C 20 - 烷基酰基或C 5 - / - 亚烷基 （C）至少一种氨基酸，（D）至少一种氨基酸，（C）至少一种氨基酸，（C）至少一种氨基酸， （E）水性介质，并且其中所述CMP组合物（Q）具有7至10的pH。